课题基金 / 基金详情

A gradational active gate drive circuit capable of reducing surge voltages under a fast switching condition

A gradational active gate drive circuit capable of reducing surge voltages under a fast switching condition
一种能够在快速开关条件下降低浪涌电压的分级有源栅极驱动电路
批准号:
21K14151
负责人:
Yamaguchi Daiki
金额:
$3.0万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份:
2021
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2021-04-01 至 2023-03-31

项目摘要

项目成果

相似基金

相关文献

中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(6)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
パルス位置が変化する3相PWMの基準補償
具有变化脉冲位置的三相 PWM 的参考补偿
DOI: --
发表时间: 2021
期刊:
影响因子: --
作者: [佐藤 伸二, 山口 大輝, 八尾 惇, 佐藤 弘]
通讯作者: 佐藤 弘
アクティブゲート制御によるMOSFETの出力容量と浮遊インダクタンスの共振抑制効果の解析
有源栅极控制对MOSFET输出电容和杂散电感的谐振抑制效果分析
DOI: --
发表时间: 2023
期刊:
影响因子: --
作者: [M. Kato, and F. Kitayama, 長沼大樹,加藤雅之, 山口大輝,佐藤伸二,八尾惇,佐藤弘]
通讯作者: 山口大輝,佐藤伸二,八尾惇,佐藤弘
One-Pulse Active Gate Control Method Capable of Reducing Both Surge Voltage and Switching Loss
可同时降低浪涌电压和开关损耗的一脉冲有源栅极控制方法
DOI: --
发表时间: 2023
期刊:
影响因子: --
作者: [Daiki Yamaguchi, Shinji Sato, Atsushi Yao and HIroshi Sato]
通讯作者: Atsushi Yao and HIroshi Sato
ゲート駆動回路
栅极驱动电路
DOI: --
发表时间: 2022
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
6
    国内基金
    海外基金
    空间辐射环境下沟槽型SiC MOSFET器件栅氧长期可靠性研究
    • 批准号:
      2026JJ60454
    • 项目类别:
      省市级项目
    • 资助金额:
      --
    • 批准年份:
      2026
    • 负责人:
      桂庆忠
    • 依托单位:
    SiC MOSFET瞬态开关建模与开关振荡抑制研究
    • 批准号:
    • 项目类别:
      省市级项目
    • 资助金额:
      --
    • 批准年份:
      2025
    • 负责人:
      于安宁
    • 依托单位:
    SiC MOSFET器件多时间尺度电热应力栅极主动控制研究
    高可靠 4H-SiC MOSFET 能带调控机理与低沟道势垒 新结构研究
    • 批准号:
      2024JJ5044
    • 项目类别:
      省市级项目
    • 资助金额:
      --
    • 批准年份:
      2024
    • 负责人:
      吴丽娟
    • 依托单位: