A gradational active gate drive circuit capable of reducing surge voltages under a fast switching condition
A gradational active gate drive circuit capable of reducing surge voltages under a fast switching condition
批准号:
21K14151
负责人:
Yamaguchi Daiki
金额:
$3.0万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份:
2021
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2021-04-01 至 2023-03-31
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パルス位置が変化する3相PWMの基準補償
具有变化脉冲位置的三相 PWM 的参考补偿
DOI:
--
发表时间:
2021
期刊:
影响因子:
--
作者:
[佐藤 伸二, 山口 大輝, 八尾 惇, 佐藤 弘]
通讯作者:
佐藤 弘
アクティブゲート制御によるMOSFETの出力容量と浮遊インダクタンスの共振抑制効果の解析
有源栅极控制对MOSFET输出电容和杂散电感的谐振抑制效果分析
DOI:
--
发表时间:
2023
期刊:
影响因子:
--
作者:
[M. Kato, and F. Kitayama, 長沼大樹,加藤雅之, 山口大輝,佐藤伸二,八尾惇,佐藤弘]
通讯作者:
山口大輝,佐藤伸二,八尾惇,佐藤弘
One-Pulse Active Gate Control Method Capable of Reducing Both Surge Voltage and Switching Loss
可同时降低浪涌电压和开关损耗的一脉冲有源栅极控制方法
DOI:
--
发表时间:
2023
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Daiki Yamaguchi, Shinji Sato, Atsushi Yao and HIroshi Sato]
通讯作者:
Atsushi Yao and HIroshi Sato
ゲート駆動回路
栅极驱动电路
DOI:
--
发表时间:
2022
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
3相インバータの制御装置及び制御方法
三相逆变器控制装置及控制方法
DOI:
--
发表时间:
2022
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
共 6 条
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空间辐射环境下沟槽型SiC MOSFET器件栅氧长期可靠性研究
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批准号:2026JJ60454
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2026
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负责人:桂庆忠
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依托单位:
SiC MOSFET瞬态开关建模与开关振荡抑制研究
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2025
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负责人:于安宁
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依托单位:
SiC MOSFET器件多时间尺度电热应力栅极主动控制研究
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批准号:JCZRQT202500104
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2025
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负责人:
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依托单位:
高可靠 4H-SiC MOSFET 能带调控机理与低沟道势垒
新结构研究
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批准号:2024JJ5044
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2024
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负责人:吴丽娟
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依托单位:
舰船电源应用背景下的 SiC MOSFET/SiIGBT
拓扑混合模块辐射干扰预测研究
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批准号:TGS24E070005
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2024
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负责人:彭子舜
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依托单位:
SiC MOSFET单粒子辐照损伤机理与加固结构研究
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:10.0万元
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批准年份:2023
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负责人:邓小川
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依托单位:
瞬态极端应力下高功率SiC MOSFET时空演化损伤机理与加固技术
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批准号:62334004
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项目类别:重点项目
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资助金额:219万元
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批准年份:2023
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负责人:邓小川
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依托单位:
基于超快测温、超快成像同步原位监测的SiC MOSFET短路失效行为与机理研究
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批准号:62274122
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项目类别:面上项目
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资助金额:52万元
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批准年份:2022
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负责人:陈志文
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依托单位:
基于栅极内阻在线提取的SiC MOSFET主动结温控制技术研究
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批准号:--
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项目类别:青年科学基金项目
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资助金额:30万元
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批准年份:2022
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负责人:文阳
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依托单位:
SiC MOSFET和肖特基二极管软开关异常损耗机理研究
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2022
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负责人:林智
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依托单位: