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Integrated Assembly of NeoSilicon towards Quantum Information Devices

Integrated Assembly of NeoSilicon towards Quantum Information Devices
NeoSilicon 面向量子信息器件的集成组装
批准号：
19206035
负责人：
ODA Shunri
金额：
$31.37万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2007
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2007 至 2009
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-19206035/
关键词：
ナノ結晶シリコンナノシリコンインクディップコーティング量子情報デバイス多重結合量子ドットスピンブロッケードディップコーティング法分散溶液3重nc-Si量子ドット微小電荷検出LB膜法2重nc-Si量子ドットRF-SET

项目摘要

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中文摘要
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对新硅材料的集成组装进行了研究。通过对硅纳米晶进行优化表面修饰，制备了纳米硅油墨，实现了新硅的二维阵列。基于绝缘体衬底的电子束光刻技术，测量了多个耦合量子点器件的电子输运特性。
英文摘要
Integrated assembly of NeoSilicon materials has been investigated. Nano Si ink has been prepared using optimized surface modification of Si nanocrystals and two dimensional arrays of NeoSilicon have been realized. Electron transport characteristics have been measured from multiple coupled quantum dot devices based on Electron beam lithography of silicon-on insulator substrates.
期刊论文(130)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
2方向エッチングによるシリコン3次元フォトニック結晶の作製とフォトニックバンドギャップ効果
二维刻蚀和光子带隙效应制备三维硅光子晶体
DOI： --
发表时间： 2007
期刊：
影响因子： --
作者： [筆宝大平, 土屋良重, 水田 博, 浦川 圭, 越田信義, 小田俊理]
通讯作者： 小田俊理
ダンピングを考慮したNEMSメモリの過渡応答特性の解析
考虑阻尼的NEMS存储器瞬态响应特性分析
DOI： --
发表时间： 2008
期刊：
影响因子： --
作者： [永見 佑, 松田真之介, 土屋良重, 斎藤慎一, 新井 唯, 嶋田壽一, 水田 博, 小田俊理]
通讯作者： 小田俊理
Control of electrostatic coupling observed for Si double quantum dot structures
硅双量子点结构观察到的静电耦合控制
DOI： --
发表时间： 2007
期刊：
影响因子： --
作者： [G. Yamahata, Y. Tsuchiya, S. Oda and H. Mizuta]
通讯作者： S. Oda and H. Mizuta
シリコン量子ドットの作製とデバイス応用
硅量子点的制备及器件应用
DOI： --
发表时间： 2007
期刊：
影响因子： --
作者： [A.M.WUBNEH, A.PORNPROMMIN, N.IZUMI, J.NAGAHARA, 小田俊理]
通讯作者： 小田俊理
共 113 条
    Fabrication of Nanoscale Devices and Circuits using DNA Origami Technology
    • 批准号：
      24656201
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.58万
    • 财政年份：
      2012
    • 负责人：
      ODA Shunri
    • 依托单位：
      Tokyo Institute of Technology
    Precise position control of silicon quantum dots and fabrication of quantum information devices.
    • 批准号：
      22246040
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
    • 资助金额：
      $31.2万
    • 财政年份：
      2010
    • 负责人：
      ODA Shunri
    • 依托单位：
      Tokyo Institute of Technology
    Self-assembled integration technologies of silicon quantum dots toward future NeoSilicon quantum information devices
    • 批准号：
      16206030
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
    • 资助金额：
      $32.28万
    • 财政年份：
      2004
    • 负责人：
      ODA Shunri
    • 依托单位：
      Tokyo Institute of Technology
    Atomic scale control of high-k dielectric ultrathin film grown by atomic layer-by-layer MOCVD with using in situ spectroscopic ellipsometry monitoring
    • 批准号：
      14350160
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $9.66万
    • 财政年份：
      2002
    • 负责人：
      ODA Shunri
    • 依托单位：
      Tokyo Institute of Technology