Integrated Assembly of NeoSilicon towards Quantum Information Devices

NeoSilicon 面向量子信息器件的集成组装

• 批准号: 19206035
• 负责人: ODA Shunri
• 金额: $ 31.37万
• 依托单位: Tokyo Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2007 至 2009
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-19206035/
• 关键词: ナノ結晶シリコン; ナノシリコンインク; ディップコーティング; 量子情報デバイス; 多重結合量子ドット; スピンブロッケード; ディップコーティング法; 分散溶液; 3重nc-Si量子ドット; 微小電荷検出; LB膜法; 2重nc-Si量子ドット; RF-SET

Integrated assembly of NeoSilicon materials has been investigated. Nano Si ink has been prepared using optimized surface modification of Si nanocrystals and two dimensional arrays of NeoSilicon have been realized. Electron transport characteristics have been measured from multiple coupled quantum dot devices based on Electron beam lithography of silicon-on insulator substrates.

对新硅材料的集成组装进行了研究。通过对硅纳米晶体进行优化表面改性，制备了纳米硅油墨，实现了NeoSilicon的二维阵列。利用电子束光刻技术在绝缘体硅衬底上测量了多耦合量子点器件的电子输运特性。

项目成果

Size-Dependent Structural Characterization of Silicon Nanowires

硅纳米线尺寸相关的结构表征

• 发表时间: 2008
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics 47
• 作者: Saeed Akhtar;S;Oda;et al.
• 通讯作者: et al.

ntegration of tunnel-coupled double nanocrystalline silicon quantum dots with a multiple gate single-electron transistor

隧道耦合双纳米晶硅量子点与多栅极单电子晶体管的集成

• 发表时间: 2007
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics 46(7A)
• 作者: Y. Kawata;M. Khalafalla;K. Usami;Y. Tsuchiya;H. Mizuta and S. Oda
• 通讯作者: H. Mizuta and S. Oda

Removal of Surface Oxide Layer from Silicon Nanocrystals by HF Vapor Etching

通过高频气相蚀刻去除硅纳米晶表面氧化层

• 发表时间: 2009
• 作者: Yoshifumi Nakamine;Tetsuo Kodera;Ken Uchida;Shunri Oda
• 通讯作者: Shunri Oda

2方向エッチングによるシリコン3次元フォトニック結晶の作製とフォトニックバンドギャップ効果

二维刻蚀和光子带隙效应制备三维硅光子晶体

• 发表时间: 2007
• 作者: 筆宝大平;土屋良重;水田 博;浦川 圭;越田信義;小田俊理
• 通讯作者: 小田俊理

ダンピングを考慮したNEMSメモリの過渡応答特性の解析

考虑阻尼的NEMS存储器瞬态响应特性分析

• 发表时间: 2008
• 作者: 永見 佑;松田真之介;土屋良重;斎藤慎一;新井 唯;嶋田壽一;水田 博;小田俊理
• 通讯作者: 小田俊理