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Precise position control of silicon quantum dots and fabrication of quantum information devices.

硅量子点的精确位置控制和量子信息器件的制造。

基本信息

批准号：
22246040
负责人：
ODA Shunri
金额：
$ 31.2万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2010
资助国家：
日本
起止时间：
2010 至 2012
项目状态：
已结题

项目摘要

We have fabricated silicon-based quantum dot devices by the combination of bottom-up and top-down technologies and studied for the application of quantum information devices. It has been clarified that a piezo-valve, raicalnitridation, and dip-coating methods are effective for controlling the size, the surface oxide layer, and integration of silicon nanocrystals, respectively. We have also fabricated a nanoscale devices integrated by coupled-quantum-dots and a charge sensor single-electron-transistor, and successfully controlled the number of a few electrons in the quantum dots.

我们采用自底向上和自顶向下相结合的方法制备了硅基量子点器件，并对量子信息器件的应用进行了研究。已经阐明，压电阀，raicalnitridation，和浸涂方法是有效的控制尺寸，表面氧化层，和集成的硅纳米晶体，分别。我们还制作了耦合量子点与电荷传感器单电子晶体管集成的纳米器件，并成功地控制了量子点中的少量电子。

项目成果

期刊论文数量（134）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Observation of Pauli-Spin Blockade and Single-Electron Regime in Silicon Coupled Quantum Dots

硅耦合量子点中泡利自旋封锁和单电子状态的观察

DOI：
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
0
作者：
Tetsuo Kodera;Kousuke Horibe;Tomohiro Kambara;Gento Yamahata;Ken Uchida;Yasuhiko Arakawa;Shunri Oda
通讯作者：
Shunri Oda

神岡　純

神冈纯

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
Shingo Harada;Hiroshi Fujimoto;MOS構造gateを有するSi/SiGe量子ドットデバイスの作製
通讯作者：
MOS構造gateを有するSi/SiGe量子ドットデバイスの作製

Fabrication of few-electron silicon quantum dot devices based on an SOI substrate with a top gate cintact

基于顶栅结构 SOI 衬底的少电子硅量子点器件的制备

DOI：
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
0
作者：
K.Horibe;T.Kodera;T.Kambara;K.Uchida;S.Oda
通讯作者：
S.Oda

Development of silicon quantum dot devices toward spin quantum bits

面向自旋量子位的硅量子点器件的开发

DOI：
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
0
作者：
T.Kodera;K.Horibe;W.Lin;T.Kambara;T.Ferrus;A.Rossi;K.Uchida;D.A.Williams;Y.Arakawa;S.Oda
通讯作者：
S.Oda

Magnetoresistance of Cobalt-Contacted Silicon Nanowire

钴接触硅纳米线的磁阻

DOI：
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
0
作者：
Jean Tarun;Shaoyun Huang;Yasuhiro Fukuma;Hiroshi Idzuchi;YoshiChika Otani;Naoki Fukata;Koji Ishibashi;Shunri Oda
通讯作者：
Shunri Oda