マイクロ電子ビ-ムを用いた半導体表面上の金属の電気移動の研究

使用微电子束研究半导体表面金属的电迁移

• 批准号: 03216202
• 负责人: 河野 省三
• 金额: $ 0.58万
• 依托单位: Tohoku University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 1991
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1991 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-03216202/
• 关键词: マイクロ電子ビ-ム; 半導体表面; 表面電気移動

マイクロ電子ビ-ムを用いた観察手段としては、UHVーSEM(超高真空ー走査電子顕微鏡),μ‐RHEED(μ‐反射高速電子回折),μ‐probeオ-ジェ電子回折等の手段を用いた。これらは現有の装置を用いることによって実現した。下地半導体として,Si(111)ウエハ-を用い,超高真空中で,ウエハ-を加熱清浄化して7×7表面を出現させた。その後,下地表面全面にIn金属を約1ML(原子層)蒸着後,加熱することにより4×1ーIn表面を得た。この4×1ーIn表面はSi(111)面上のIn金属電気移動の中間層と考えられている。この中間層の上に,直径100μmの穴を有するマスクを被せ,Inを1MLから4ML蒸着し,中間層上に微小In金属薄膜を形成させ,この微小薄膜の電気移動の様子を上に述べたマイクロ電子ビ-ムを用いた観察手段により観察した。これらの観察により以下のような結果を得た。1 下地Siウエハ-の抵抗値を変えて電気移動の観察を行うことにより,電気移動の駆動力は電流ではなく電界であることが強く示唆された。2 電気移動を起こす部分を詳細に観察すると,移動部は全体としては移動せず,消滅と生成を繰り返すことによって物質移動が起きていることが分かった。3 移動部先端に発生するIn‐Islandにおいても同様に,消滅と生成を繰り返すことによって物質移動が起きていることが分かった。4 上記を説明する電気移動のメカニズムについて考察した。

Scanning electron microscopy (SEM), UHVDC scanning electron microscopy (UHVSEM), μ-RHEED (μ-reflection high-speed electron foldback), μ-probe scanning electron microscopy (UHVSEM), μ-high-speed reflection high-speed electron folds and so on. Please use the existing equipment to make sure that the equipment is not available. In the lower half of the earth, Si, ultra-high vacuum, ultra-high vacuum, and 7 × 7 surface. After heating, the surface of the ground is fully steamed with In metal or 1ML (atoms), and the surface of 4 × 1 In is added. The 4 × 1 In surface is covered with In metal electronics on the Si (111l) surface. The diameter of the hole is 100 μ m, and the diameter is 100 μ m. The 4ML is steamed by In, and the tiny In metal film is formed in the middle. The electric device of the micro thin film is used to move the electron.This is described in this paper. Please check the results of the following results. 1. In the following Si stations, there is resistance to the movement of the electric power supply, the power supply, the electricity, the power, the power, the electricity, the electricity, the power, the electricity, the power, the electricity, the electricity, the power, the power, the electricity, the electricity, the power, the power, the electricity, the electricity (2) in the part of the mobile phone, the telephone is inspected, and the whole department of the mobility department is responsible for the movement of the equipment, and the elimination of the equipment is generated. The equipment is returned to the customer and the property is moved. (3) the terminal of the migration department will have the same information as the In-Island server, and the mobile phone will generate the same information as the mobile phone. (4) the above certificate states that the electronic equipment will be moved, and that the survey will be conducted.

项目成果

阿武 恒一: "Study of the electromigration of In on Si(111)surfaces by the use of microーelectronーbeams" Surface Science. 260. 53-63 (1992)

Koichi Abu：“利用微电子束研究 In 在 Si(111) 表面上的电迁移”《表面科学》260. 53-63 (1992)。

河野 省三: "マイクロ電子ビ-ムを用いた表面研究" 表面科学. 12. 502-506 (1991)

Shozo Kono：“使用微电子束进行表面研究”《表面科学》12. 502-506 (1991)。

中村 夏雄: "Structure analysis of the single‐domain Si(111)4×1ーInsurface by μ‐probe Auger electron diffraction and μ‐probe reflection high energy electron diffraction" Surface Science. 256. 129-134 (1991)

Natsuo Nakamura：“通过 μ 探针俄歇电子衍射和 μ 探针反射高能电子衍射对单域 Si(111)4×1-Insurface 进行结构分析”《表面科学》256. 129-134 (1991)。