权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

結晶表面場における光励起エピタキシ-機構に関する量子化学的研究

晶面场光激发外延机制的量子化学研究

基本信息

批准号：
02253204
负责人：
平野恒夫
金额：
$ 0.77万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1990
资助国家：
日本
起止时间：
1990 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-02253204/
关键词：
光OMVPE法 ZnS 原料ガスエピタキシャル成長 MNDO法光照射電子移行

项目摘要

光OMVPE法によりIIーVI族化合物半導体ZnS等の薄膜成長において,原料ガスが直接分解不可能な波長の光を用い、しかも薄膜結晶のバンドギャップ以上のエネルギ-の光を照射することによって成長速度が大幅に増加する現象が見い出された事に関して、そのエピタキシャル成長の初期過程について研究を行なった。研究成果をまとめて列挙すると、1.)気相中の原料ガス及びその主な解離可能種の研究により、ジメチル亜鉛からメチル基が脱離する反応が最も容易に起こることが明らかになった。この反応は、エピタキシャル成長に対する開始反応にもなっていると言える2.)ZnS薄膜結晶に対するクラスタ-モデルを用いて、エピタキシャル成長の初期過程であるジメチル亜鉛の吸着過程をMNDO法によって計算した。それによると、光照射の効果によりジメチル亜鉛の亜鉛とクラスタ-の表面原子である硫黄とがより強固に結合することが明らかになった。本研究で用いたクラスタ-は閃亜鉛鉱型(001)面に対するものであり、この面へのジメチル亜鉛の吸着の可能性が示されたことにもなる。3.)クラスタ-表面にジメチル亜鉛が吸着している状態において、光照射がない場合にはメチル基が解離するのに約33kcal/mol必要であるのに対して、光照射がある場合には自発的にメチル基が解離していくことが示めされた。このことにより、光照射によるエピタキシャル成長速度の増加が示され、実験事実との一致を見た。4)吸着過程においては、クラスタ-からジメチル亜鉛へ電子が移行すること、および吸着状態において光照射により、ジメチル亜鉛からクラスタ-へ電子移行することが認められた。

In the process of growing thin films of group II-VI compound semiconductor ZnS, etc. by optical OMVPE method, it is impossible to decompose the raw materials directly, and the growth rate of thin films is greatly increased by irradiation of light with wavelength and above. Research results: 1.) The study of possible species of raw materials and their main dissociation in the gaseous phase is the easiest to initiate. This is the first time I've ever seen a person grow up. The MNDO method is used to calculate the adsorption process of lead in the initial process of the growth of ZnS thin film crystals and the initial process of the growth of ZnS thin film crystals. The effect of light irradiation on the surface of lead is to strengthen the binding of sulfur. In this study, the possibility of lead adsorption on the (001)-type surface was demonstrated. 3.) For example, when the lead is adsorbed on the surface, the dissociation of the lead radical is about 33kcal/mol, and when the lead radical is irradiated, the dissociation of the lead radical is about 33kcal/mol. The increase in growth rate of the light source and the light source is consistent. 4)The adsorption process is characterized by light irradiation and electron migration.