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多重スパッタ法による高温超伝導膜成長の低温プロセス化と接合素子形成

使用多重溅射方法进行高温超导薄膜生长和结元件形成的低温工艺

基本信息

批准号：
03210228
负责人：
田中正一
金额：
$ 1.47万
依托单位：
Nihon University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1991
资助国家：
日本
起止时间：
1991 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

本研究の目的は、スパッタ法により複合酸化物膜を合成する際、結晶化温度の低いより低級な酸化物を多重積層化する過程を導入し、結果として低温合成を可能にすることを目指している。本年度は主に次の3つのアプロ-チを行い、次のような成果をえた。第一に、Bi系80K相単相のアズデポ膜に対し、電気化学的手法により室温下でLiイオンのド-プ過程を詳しく検討した。その結果、試料膜を作用電極とし、Liイオンを含む無水電解液を用いた電気化学的還元反応により、制御されたLIド-プが可能となった。ユニットセルあたり0.1ケ/セル程度のLiド-プによって、約20KのTcの向上が確認された。この時、c軸長は約10^<-2>nm増加した。また、過剰なド-プはTcの低下とc軸長の減少をもたらすことも分かった。次に、Y系酸化物膜の作製に対し、スパッタ成膜プロセスにおける酸化促進法としてマイクロ波励起酸素ガスに注目し、CuO成膜を中心にその効果を検討した。その結果、励起酸素ガスの導入により、200℃程度の低温にいたる幅広い基板温度範囲での結晶成長ならびに酸化促進が可能となることが分かった。この傾向は、Cuを含むY系超伝導体関連の低級酸化物の成膜に対しても同じように見いだされた。

The purpose of this study is to introduce the process of multiple layering of low-grade acidified compounds at low crystallization temperature and to indicate the possibility of low-temperature synthesis. This year's main event is the third round of the event, the second round of the event. The first phase, Bi 80K phase separation film, electrochemical method, and the temperature of the Li phase separation process are discussed in detail. As a result, the sample film can be used as an electrode, a lithium ion battery and an electrolyte. The temperature of the liquid is about 0.1 ° C. The temperature of the liquid is about 20 ° C. The time and length of the c-axis increase by about 10^<-2>nm. The length of the c-axis decreases with the increase of Tc. In addition, Y-series acidizing film preparation method and CuO film formation method are discussed. As a result, the introduction of the excitation element into the substrate temperature range of 200℃ and the acidification of the substrate temperature range are possible. This tendency is opposite to that of Cu, Y, Y, Y.