Investigation of Oxidation Mechanisms in SOI Structures
SOI 结构氧化机制的研究
基本信息
- 批准号:08455161
- 负责人:
- 金额:$ 4.86万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份:1996
- 资助国家:日本
- 起止时间:1996 至 1997
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
Thin film Silicom-on-Insulator (SOI) technology has attracted much attention for high-speed and low-power device applications. Usually, the process for SOI device fabrication is compatible with conventional bulk devices. However, the SOI device has one more silicon/oxide interfaces and the mechanisms of oxidation and other process in SOI substrates are not necessarily the same as the bulk materials. The purpose of this study is to investigate the oxidation mechanisms and the interface trap characteristics in SOI structures. First, a new technique is developed to measure the interface traps in SOI using charge pumping method. The conventional charge pumping method are not applied to SOI because of high resistivity of body region. We fabricated SOI structures with body terminal. In our new method, the pulse voltage is applied not only to the gate but also the body. The body pulse suppresses the reduction of the charge pumping current and enables us to accurately measure the interface traps in SOI devices. Next, a new technique is also developed to measure the energy distribution of the interface traps in SOI using modified charge pumping method. The oxidation mechanisms and interface trap characteristics are intensively investigated by above mentioned new technique and it is suggested that the interface of SOI structure is not degraded compared with the interfaces in convensional bulk materials.
薄膜绝缘体上硅(SOI)技术在高速和低功率器件应用中引起了广泛关注。通常,用于SOI器件制造的工艺与常规体器件兼容。然而,SOI器件具有多一个硅/氧化物界面,并且SOI衬底中的氧化和其他工艺的机制不一定与体材料相同。本研究的目的是探讨SOI结构的氧化机制与界面陷阱特性。首先,开发了一种利用电荷泵方法测量SOI界面陷阱的新技术。由于SOI体区的高电阻率,传统的电荷泵方法不能应用于SOI。我们制作了带有体端的SOI结构。在我们的新方法中,脉冲电压不仅施加到栅极,而且施加到体。体脉冲抑制了电荷泵电流的降低,使我们能够准确地测量SOI器件中的界面陷阱。其次,本文还发展了一种新的测量SOI界面陷阱能量分布的方法,即改进的电荷泵法。利用上述新技术对SOI结构的氧化机理和界面陷阱特性进行了深入的研究,发现SOI结构的界面与传统体材料的界面相比没有退化。
项目成果
期刊论文数量(18)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
平本 俊郎: "VLSI用薄膜SOI MOSデバイスに関する研究動向調査" 生産研究. 48・11. 568-569 (1996)
Toshiro Hiramoto:“VLSI 薄膜 SOI MOS 器件的研究趋势调查”生产研究 48・11(1996 年)。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
トラン ゴック デュエト: "薄膜SOI MOSFETのチャージポンピング測定における形状成分の抑制" 応用物理学会薄膜・表面物理分科会「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」第3回研究会論文集. 167-170 (1998)
Tran Ngoc Duet:“薄膜 SOI MOSFET 电荷泵测量中形状分量的抑制”第三届“超薄氧化硅薄膜的形成、评估和可靠性”研究会议论文集,薄膜和表面物理小组委员会,日本应用物理学会。167 -170 (1998)
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
高宮真: "極薄膜SOI層を有する超低消費電力用ディープサブ0.1μm MOSFET" 電子情報通信学会論文誌. J81-C-II,3(発表予定). (1998)
Makoto Takamiya:“具有超薄 SOI 层的深亚 0.1μm MOSFET,可实现超低功耗”,电子、信息和通信工程师学会汇刊,3(待提交)。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
高宮 真: "低消費電力用完全空乏型SOI MOSFETのスケーリング指針とBulk MOSFETとの比較" 電子情報通信学会技術研究報告. SDM97・115. 87-94 (1998)
Makoto Takamiya:“低功耗全耗尽型 SOI MOSFET 的缩放指南以及与体 MOSFET 的比较”IEICE 技术报告 87-94 (1998)。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
T.Saraya: "Floating Body Effects in 0.15μmPartially Depleted SOI MOSFETs below 1V" 1996 IEEE International SOI Conference Proceedings. 70-71 (1996)
T. Saraya:“1V 以下 0.15μm 部分耗尽 SOI MOSFET 中的浮体效应”1996 年 IEEE 国际 SOI 会议论文集 70-71 (1996)。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
HIRAMOTO Toshiro其他文献
HIRAMOTO Toshiro的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('HIRAMOTO Toshiro', 18)}}的其他基金
Basic research on influence of single impurity atom on statistics of nanoscale transistor characteristics
单一杂质原子对纳米晶体管特性统计影响的基础研究
- 批准号:
26630148 - 财政年份:2014
- 资助金额:
$ 4.86万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
Basic research on ultra-low voltage MOS transistors aiming at sub-100mV operation
针对亚100mV运行的超低压MOS晶体管基础研究
- 批准号:
25630135 - 财政年份:2013
- 资助金额:
$ 4.86万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
Nano MOSFET Fluctuations and Device Integrity
Nano MOSFET 波动和器件完整性
- 批准号:
18063006 - 财政年份:2006
- 资助金额:
$ 4.86万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
A research on silicon nano-devices for single-electron, quantum, CMOS integrated circuits operating at room temperature
室温下运行的单电子、量子、CMOS集成电路的硅纳米器件研究
- 批准号:
16201029 - 财政年份:2004
- 资助金额:
$ 4.86万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Exploration of Physics and Integration of Nano-Scale MOSEFET with Suppressed Fluctuations
抑制波动的纳米级MOSFET的物理和集成探索
- 批准号:
13450135 - 财政年份:2001
- 资助金额:
$ 4.86万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Fabrication of Silicon Nano-Devices with High Controllability beyond Lithography Limit
超越光刻极限的高可控性硅纳米器件的制造
- 批准号:
10450112 - 财政年份:1998
- 资助金额:
$ 4.86万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Study on Performance Increase and Fluctuation Suppression in Thin Film SOI MOSFET by utilizing quantum effects
利用量子效应提高薄膜SOI MOSFET性能并抑制波动的研究
- 批准号:
10555117 - 财政年份:1998
- 资助金额:
$ 4.86万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B).
Fluctuations of Characteristics in Sub-0.1mum Thin Film SOI CMOS LSI Devices
0.1微米以下薄膜SOI CMOS LSI器件的特性波动
- 批准号:
07555109 - 财政年份:1995
- 资助金额:
$ 4.86万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
相似国自然基金
SiC MOSFET瞬态开关建模与开关振荡抑制研究
- 批准号:
- 批准年份:2025
- 资助金额:0.0 万元
- 项目类别:省市级项目
SiC MOSFET器件多时间尺度电热应力栅极主动控制研究
- 批准号:JCZRQT202500104
- 批准年份:2025
- 资助金额:0.0 万元
- 项目类别:省市级项目
高可靠 4H-SiC MOSFET 能带调控机理与低沟道势垒
新结构研究
- 批准号:2024JJ5044
- 批准年份:2024
- 资助金额:0.0 万元
- 项目类别:省市级项目
车规级碳化硅MOSFET阈值漂移规律及其抑制方法研究
- 批准号:
- 批准年份:2024
- 资助金额:0.0 万元
- 项目类别:省市级项目
舰船电源应用背景下的 SiC MOSFET/SiIGBT
拓扑混合模块辐射干扰预测研究
- 批准号:TGS24E070005
- 批准年份:2024
- 资助金额:0.0 万元
- 项目类别:省市级项目
极端温度环境下MOSFET器件模型和可靠性研究
- 批准号:
- 批准年份:2024
- 资助金额:15.0 万元
- 项目类别:省市级项目
基于SiC/GaN异质结的垂直型功率MOSFET导通及击穿机制研究
- 批准号:n/a
- 批准年份:2023
- 资助金额:10.0 万元
- 项目类别:省市级项目
SiC MOSFET单粒子辐照损伤机理与加固结构研究
- 批准号:n/a
- 批准年份:2023
- 资助金额:10.0 万元
- 项目类别:省市级项目
具有集成肖特基二极管的逆导型氧化镓MOSFET机理与实验研究
- 批准号:62374028
- 批准年份:2023
- 资助金额:48 万元
- 项目类别:面上项目
低比导通电阻的碳化硅沟槽栅型MOSFET器件的研究
- 批准号:52377200
- 批准年份:2023
- 资助金额:52.00 万元
- 项目类别:面上项目
相似海外基金
界面欠陥制御に基づく高効率・高信頼性SiC MOSFETの実現
基于界面缺陷控制的高效可靠SiC MOSFET的实现
- 批准号:
24KJ1553 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 4.86万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
SiC-MOSFET負荷短絡時の素子残留ダメージが信頼性特性へ及ぼす影響の研究
SiC-MOSFET负载短路时元件残余损伤对可靠性特性的影响研究
- 批准号:
23K20927 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 4.86万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
界面制御による反転型nチャネル窒化ガリウムMOSFETの電子実効移動度向上
通过控制界面提高反向 n 沟道氮化镓 MOSFET 的有效电子迁移率
- 批准号:
24K00934 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 4.86万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
SiCパワーMOSFETの高速自己調整デジタルアクティブゲートドライバ開発
SiC功率MOSFET高速自调节数字有源栅极驱动器的开发
- 批准号:
23K26094 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 4.86万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Development of fast self regulating digital active gate driver for SiC MOSFET
SiC MOSFET 快速自调节数字有源栅极驱动器的开发
- 批准号:
23H01399 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 4.86万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
SiC-MOSFETの超高速駆動時の接触抵抗の影響評価と高効率電力変換効率の実証
SiC-MOSFET超高速驱动时接触电阻影响的评估及高效率功率转换效率的演示
- 批准号:
22K04224 - 财政年份:2022
- 资助金额:
$ 4.86万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
A Probing for Long-Term Operating Environment of IoT Devices using Multi-Output MOSFET
使用多输出 MOSFET 探测物联网设备的长期运行环境
- 批准号:
21K04091 - 财政年份:2021
- 资助金额:
$ 4.86万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
原子レベルの構造制御技術開発によるダイヤモンドMOSFETの高移動度・高耐圧化
通过原子级结构控制技术的发展提高金刚石MOSFET的迁移率和耐压能力
- 批准号:
21H01363 - 财政年份:2021
- 资助金额:
$ 4.86万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
SiスピンMOSFETの実現を可能とする低界面抵抗構造の創製
创建低界面电阻结构,实现硅自旋 MOSFET
- 批准号:
21K14213 - 财政年份:2021
- 资助金额:
$ 4.86万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
SiC-MOSFETモジュールを使用した大容量絶縁形DC-DCコンバータの研究
基于SiC-MOSFET模块的大容量隔离式DC-DC变换器研究
- 批准号:
21J10386 - 财政年份:2021
- 资助金额:
$ 4.86万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows