Microscopic Ellipsometric Analysis of Thin Films Formed by Chemical Vapor Deposition
化学气相沉积薄膜的显微椭偏分析
基本信息
- 批准号:02650505
- 负责人:
- 金额:$ 1.34万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
- 财政年份:1990
- 资助国家:日本
- 起止时间:1990 至 1991
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
A microscopic ellipsometer which equips two groups of lenses behind the computer-aided rotating analyzer for magnifying the reflection image of the specimen, in addition to a polarizer-sample-analyzer configuration. This combination of lenses can provide a maximum magnification of ca. 1000 times and makes it possible to determine the thickness and optical constant of a thin surface film on an area of ca. 3um in diameter. Using this ellipsometer the spatial distributions of film thickness and optical constant have been measured for the films of BN, TiN and SiO_2 formed on polycrystalline Pt substrate by plasma-enhanced chemical vapor deposition(PECVD). The corresponding distributions of plasma parameters, the electron density and electron temperature, were measured using a Langmuir probe technique. It was found that the film thickness depended remarkably on the grain orientation of the substrate, while the optical constant was almost independent of the grain orientation. The distribution of film thickness within each grain was less significant. The electron density and electron temperature of plasma were, almost constant over the area of the substrate, 25mmXl5mm. It is-therefore thought that the spatial distributions of film thickness arise from differences in the catalytic activity of individual grains of the substrate.
一种显微椭偏仪,在计算机辅助旋转分析仪后面配备两组透镜,用于放大样品的反射图像,此外还有一个偏振光-样品分析仪配置。这种透镜的组合可以提供大约1000倍的最大放大倍率,并且可以在直径约3um的区域上确定薄表面膜的厚度和光学常数。利用该椭偏仪测量了等离子体增强化学气相沉积(PECVD)在多晶Pt衬底上形成的BN、TiN和SiO_2薄膜的膜厚和光学常数的空间分布。用朗缪尔探针技术测量了等离子体参数电子密度和电子温度的相应分布。结果表明,薄膜厚度与衬底的晶粒取向密切相关,而光学常数与晶粒取向无关。膜厚在各粒内的分布不显著。等离子体的电子密度和电子温度在衬底面积上几乎恒定,为25mmXl5mm。因此,人们认为膜厚度的空间分布是由于衬底各颗粒催化活性的差异引起的。
项目成果
期刊论文数量(6)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
豊田 正道: "MOCVDーTiO_2薄膜の成長過程のエリプソメトリ-によるInーSitu解析" 日本金属学会誌. 54. 925-932 (1990)
Masamichi Toyoda:“MOCVD - 基于椭圆光度法的 TiO_2 薄膜生长过程的原位分析”日本金属研究所学报 54. 925-932 (1990)。
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- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
Kohei Amano: "Formation of ZrO_2 Films by Low Pressure CVD Using ZTI-O_2 system and Evaluation of Corrosion Resistance of the Films" J. Japan Inst. Metals. 56. 204-209 (1992)
天野晃平:“使用 ZTI-O_2 系统通过低压 CVD 形成 ZrO_2 薄膜并评价薄膜的耐腐蚀性” J. Japan Inst.
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
天野 浩平: "ZTIーO_2系低圧CVDによるZrO_2薄膜の形成とその耐食性の評価" 日本金属学会誌. 56. 204-209 (1992)
天野晃平:“基于 ZTI-O_2 的低压 CVD 形成 ZrO_2 薄膜及其耐腐蚀性的评价”日本金属学会学报 56. 204-209 (1992)。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
呉 徹: "ATIーO_2系低圧CVDによりAl_2O_3薄膜の形成とその耐食性の評価" 日本金属学会誌. 56. 184-190 (1992)
Toru Kure:“基于ATI-O_2的低压CVD形成Al_2O_3薄膜及其耐腐蚀性的评价”日本金属学会学报56. 184-190(1992)。
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- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
Masamichi Toyoda: "In-Situ Ellipsometric Analysis of Formation Process of TiO_2 Thin Films in MOCVD" J. Japan Inst. Metals. 54. 925-932 (1990)
Masamichi Toyoda:“MOCVD 中 TiO_2 薄膜形成过程的原位椭圆光度分析” J. Japan Inst.
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