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Quantitative Evaluation of Pinehole Defects in Corrosion-Resistant Thin Films Prepared by Dry Coating Process

Quantitative Evaluation of Pinehole Defects in Corrosion-Resistant Thin Films Prepared by Dry Coating Process
干法涂覆耐腐蚀薄膜中针孔缺陷的定量评价
批准号:
06303006
负责人:
SUGIMOTO Katsuhisa
金额:
$2.69万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Co-operative Research (A)
财政年份:
1994
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1994 至 1995

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
关键被动当前密度(CPCD)方法已应用于TiN涂层SUS 304不锈钢上的缺陷评估。薄TiN薄膜0.5- 4.0毫米厚,由几种干燥涂层工艺组成,包括空心阴极释放离子片、等离子体增强化学气相沉积、动力混合、阴极释放离子片和激活反应蒸发。为了在针孔变形的区域部分和TiN薄膜的厚度之间建立定量关系,CPCD对TiN涂层的SUS 304不锈钢进行了优化的测量条件。最佳极化条件确定为汇总;解决方案:老化0. 5 M-H_2SO_4 + 0. 05 M-KSCN在298 K,潜在范围: -0.45至0.40 V(vs. Ag/AgCl,3. 33 M-KCl),扫描速率:从0.3到0.4 m V·s^&lt;-1&gt;.发现了区域片段,R_i,在TiN薄膜中的针孔变形,增加了薄膜的厚度,d_<TiN>,并且几乎恒定,当d_超过<TiN>2.5毫米的值时。针孔缺陷的数量也取决于TiN薄膜的制备方法。TiN电影4.0 mm厚,是由激活反应式蒸发形成的,显示了R_i的最低值。
英文摘要
Critical passivation current density (CPCD) method has been applied to the defect evaluation on TiN-coated SUS304 stainless steels. Thin TiN films 0.5-4.0mum thick were prepared by several kinds of dry coating processes including hollow cathode discharge ion plating, plasma enhanced chemical vapor deposition, dynamic mixing, cathode are discharge ion plating, and activated reactive evaporation. To obtain quantitative relationships between the area fraction of pinhole defects and the thickness of TiN films, the measurement conditions of CPCD were optimized for TiN-coated SUS304 stainless steels. The optimum polarization conditions thus determined are summerized as follows ;Solution : deaerated 0.5M-H_2SO_4+0.05M-KSCN at 298K,Potential range : -0.45 to 0.40 V (vs. Ag/AgCl, 3.33M-KCl),Scan rate : 0.3 to 0.4 m V・s^<-1>.It was found that the area fraction, R_i, of pinhole defects in the TiN films decreased with increasing the thickness of the films, d_<TiN>, and became almost constant when the value of d_<TiN> exceeded 2.5mum. The amount of pinehole defects depends also on the preparation method of TiN films. The TiN film 4.0mum thick, which was formed by activated reactive evaporation, showed the lowest value of R_i.
期刊论文(4)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
内田 仁: "TiN被覆ステンレス鋼におけるピンホール欠陥の電気化学的評価" 材料と環境. 44. 350-354 (1995)
Hitoshi Uchida:“TiN 涂层不锈钢针孔缺陷的电化学评估”材料与环境。44. 350-354 (1995)。
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
Katsuhisa Sugimoto: "The State of the Art of Defects Evaluation on Corrosion-Resistant Thin Films Prepared by Dry Coating Process" Zairyo-to-Kankyo. 44. 308-313 (1995)
Katsuhisa Sugimoto:“干式涂层工艺制备的耐腐蚀薄膜缺陷评估的最新技术”Zairyo-to-Kankyo。
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
杉本 克久: "耐食性ドライコーティング膜の欠陥評価の現状" 材料と環境. 44. 308-313 (1995)
Katsuhisa Sugimoto:“耐腐蚀干涂膜缺陷评估的现状”《材料与环境》,44. 308-313 (1995)。
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
Hitoshi Uchida et al.: "Electrochemical Evaluation of Pinhole Defects in TiN-Coated Stainless Steels" Zairyo-to-Kankyo. 44. 350-354 (1995)
Hitoshi Uchida 等人:“TiN 涂层不锈钢中针孔缺陷的电化学评估”Zairyo-to-Kankyo。
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
Development of Low-Alloy Steel for High Level Radioactive Waste Disposal Container
  • 批准号:
    12450287
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 资助金额:
    $9.28万
  • 财政年份:
    2000
  • 负责人:
    SUGIMOTO Katsuhisa
  • 依托单位:
Development of a Dynamic Imaging Spectroscopic Ellipsometer Equipped with a CCD Image Sensor
  • 批准号:
    10555238
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B).
  • 资助金额:
    $8.13万
  • 财政年份:
    1998
  • 负责人:
    SUGIMOTO Katsuhisa
  • 依托单位:
Corrosion Mechanism of Metals and Alloys in CFィイD24ィエD2/OィイD22ィエD2 Plasma Downstream Environments
  • 批准号:
    09450264
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 资助金额:
    $10.37万
  • 财政年份:
    1997
  • 负责人:
    SUGIMOTO Katsuhisa
  • 依托单位:
Analysis of Mechanism of Reactive Ion Etching by Real-time Spectroscopic Ellipsometry
  • 批准号:
    07455284
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 资助金额:
    $4.93万
  • 财政年份:
    1995
  • 负责人:
    SUGIMOTO Katsuhisa
  • 依托单位:
国内基金
海外基金
激光增材制造Cu包覆TiN颗粒增强钴铬钼合金中复合界面构筑及其性能优化研究
  • 批准号:
    2026JJ70031
  • 项目类别:
    省市级项目
  • 资助金额:
    --
  • 批准年份:
    2026
  • 负责人:
    蒋文婷
  • 依托单位:
基于TiN的半导体二次电子抑制理论及低阻薄膜可控制备研究
  • 批准号:
  • 项目类别:
    省市级项目
  • 资助金额:
    --
  • 批准年份:
    2025
  • 负责人:
    夏扬
  • 依托单位:
宽光谱响应CdS/CdSe/TiN二维异质纳米阵列光阳极的光生载流子输运及光解水性能研究
  • 批准号:
    52373312
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    52.00万元
  • 批准年份:
    2023
  • 负责人:
    王丽娟
  • 依托单位:
基于TiN的混合等离子波导TM-Pass偏振器制备及其中子辐射效应研究
  • 批准号:
  • 项目类别:
    省市级项目
  • 资助金额:
    10.0万元
  • 批准年份:
    2023
  • 负责人:
    赵传
  • 依托单位: