Amorphe SiC:H-Schichten aus Precursoren: Precursorsynthese, Schichtherstellung und -charakterisierung

来自前驱体的非晶 SiC:H 层：前驱体合成、层生产和表征

• 批准号: 5258546
• 负责人: Professor Dr. Gerhard Roewer (†)
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Anorganische Chemie
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2000
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1999-12-31 至 2002-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5258546?language=en
• 关键词: Amorphe; SiC; Schichten; aus; Precursoren

Durch Wasserstoffeinbau stabilisierte amorphe SiC-Schichten (a-SiC:H) werden aufgrund ihrer interessanten optoelektronischen Eigenschaften in zunehmendem Maße in der Literatur beschrieben. Die Herstellung solcher Schichten geschieht bisher ausnahmslos über zeitaufwendige Abscheideprozesse aus der Gasphase. Hier soll ein innovativer Weg zur Schichtherstellung aus Precursorpolymeren und deren Pyrolyse erschlossen werden, der eine höhere Effektivität und gegebenenfalls auch ein anderes Eigenschaftsspektrum verspricht. Ziel ist die Synthese von Polymeren, die sich in reine SiC-Schichten mit Halbleiterqualitäten überführen lassen. Um die für die Pyrolyse vorteilhaften vernetzten Si-Strukturen in den Precursoren zu erhalten, sollen Si-Gerüste synthetisiert werden, die Vinylgruppen in den Seitenketten aufweisen. Die Reinheit der Produkte wird durch einen Polymeraufbau ohne Metallkondensation über heterogen katalysierte Disproportionierung von Chlordisilanen gewährleistet. Die resultierenden niedrigviskosen Polymere sollen mittels Spin-Coating als dünne Schichten auf unterschiedlichen Substraten abgeschieden und unter definierten Atmosphären soweit pyrolysiert werden, daß eine amorphe H-stabilisierte Netzwerkstruktur resultiert. Der Einfluß von Synthese- und Pyrolysebedingungen sowie vom Substrat auf Ordnungsgrad, Zusammensetzung und Eigenschaften der Schichten soll untersucht werden. Daher ist insbesondere vorgesehen, die im Forschungsverbund präparierten a-SiC:H-Schichten mit einer breiten Palette von Verfahren auf ihre halbleiterphysikalischen Eigenschaften hin zu untersuchen, um Korrelationen zu Präparationsparametern aufstellen zu können. Dabei wird besonderer Wert auf die Bestimmung der primären den amorphen Halbleiter charakterisierenden Größen gelegt. Realisiert werden soll dies durch temperaturabhängige Leitfähigkeit und Photoleitung (auch Hochfrequenzphotoleitung) in Verbindung mit Präzisionsmessungen optischer Absorption, später durch Hinzunahme von Thermokraftmessungen. Mit Elektronenspinresonanz in Verbindung mit Elektronen-Kern-Doppelresonanz wird die Konzentration von Si und C "dangling bonds" separat gemessen, was mit den elektrischen und optischen Parametern korreliert werden soll. Außerdem erhält man damit Aussagen über das mikroskopische atomare Gefüge der Schichten.

Dasserstoffeinbau稳定的非晶SiC-Schichten（a-SiC：H）韦尔登在文献中被广泛用于光电子特性研究。该方法的优点是在气相中进行超临界水处理。在这里，我们将通过聚合物前体和热解韦尔登的合成方法进行创新，从而获得一个有效的和更好的方法。Ziel is die Synthese von Polymeren，die sich in reine SiC-Schichten mit Halbleiterqualitäten überführen lassen. Um die für die Pyrolyse vorteiletten Si-Strukturen in den Precursoren zu erhalten，sollen Si-Gerüste synthesiert韦尔登，die Vinylgruppen in den Seitenketten aufweisen.产品的控制是通过一种聚合物制造的，该聚合物具有由氯二硅烷引起的不均匀分解的金属凝聚。旋涂法得到的聚合物溶液具有良好的热分解性，并在一定的气氛下进行热分解，从而得到无定形的H-稳定的网状结构。对合成和热解的影响可以从基质的有序性、稳定性和特征性等方面得到韦尔登。Daher is insbesondere vorgesehen，die im Forschungsverbund präparierten a-SiC：H-Schichten mit einer breiten scholar von Verfahren auf ihre halbleiterphysicalischen Eigenschaften hin zu untersuchen，um Correlationen zu Präparationsparametern aufstellen zu können.大北将被认为是最早的无定形Halbleiter特征的Größen gelegt。Realisiert韦尔登soll dies durch temperaturabhängige Leitfähigkeit und Photoleitung（auch Hochfrezphotoleitung）in Verbindung mit Präzisionsmessungen optischer Absorption，später durch Hinzunahme von Thermokraftmessungen.在电子自旋共振与电子核-多普勒共振的结合中，将Si和C“悬挂键”的浓度分开，这是通过电子和光学参数韦尔登解决的。因此，他决定将其作为Schichten的微型原子能装置。