Development of semiconductor integrated devices for coherent THz electromagnetic field generation

相干太赫兹电磁场产生半导体集成器件的开发

基本信息

  • 批准号:
    08555081
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 11.14万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
  • 财政年份:
    1996
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1996 至 1997
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

Increasing demand for info-corn technology requires development of new frequency region of electromagnetic wave. Paricularly. the frequency range of THz has not been well devloped for practical applications.In this research, we intended to develop semiconductor integrated devices for generating coherent THz electromagnetic field as a fundamental technologies for constructing T-bit information network systems in the 2L^<st> century. We aim at contributing to practical application of THz and femtosecond technologies.First, we developed a new THz detection devices by using low temperatiure GaAs growth and integration of photoconductive dipole antenna for irradiation and detection of THz electromagnetic field. As a result. sensitivity is improved by a factor of 25 compared to conventional type of detector. Next, we designed and developed microcavity quantum well structures for new type of coherent THz electromagnetic wave generator. This utilizes cavity polariton effect in semiconductors which was discovered by ourselves in 1992. By measuring reflectivity response of the device which was photo-pumped, we succeed in observing THz modulated optical signal form the device. This results partly establish fundamentals of a new type THz electromagnetic wave generator, which is important for information and communication technologies in the 21st century including microwave photonics.
对信息技术的日益增长的需求要求开发新的电磁波频段。特别是太赫兹的频率范围尚未得到很好的实际应用,本研究旨在开发产生相干太赫兹电磁场的半导体集成器件,作为构建2 L ^世纪T比特信息网络系统的基础技术<st>。本文的研究目的是为太赫兹和飞秒技术的实际应用做出贡献。首先,我们研制了一种新型的太赫兹探测器件,采用低温GaAs生长和光电导偶极天线集成技术,用于太赫兹电磁场的辐照和探测。结果。与传统类型的检测器相比,灵敏度提高了25倍。接下来,我们设计并研制了用于新型相干太赫兹电磁波发生器的微腔量子阱结构。这是利用了我们在1992年发现的半导体中的腔极化激元效应。通过测量器件在光泵浦下的反射率响应,我们成功地观测到了来自器件的太赫兹调制光信号。这一结果部分奠定了新型太赫兹电磁波发生器的基础,这是重要的信息和通信技术在21世纪,包括微波光子学。

项目成果

期刊论文数量(27)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
A.Shimizu and M.Yamanishi: "Photon-energy dissipation caused by an external electric circuit in “virtual" Photo-excitation processes" Phys.Rev.Lett.72. 3343-3346 (1994)
A.Shimizu 和 M.Yamanishi:““虚拟”光激发过程中外部电路引起的光子能量耗散”Phys.Rev.Lett.72 (1994)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
T.Ando, Y.Arakawa, et.al.: "Mesoscopic Physics and Electronics" Springer, 271 (1997)
T.Ando、Y.Arakawa 等人:“介观物理与电子学”Springer,271 (1997)
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
T.Saito,J.N.Schulman, ^* and Y.Arakawa: "Strain-energy Distribution and elctronic structure of InAs Pyramidal Quantum Dots with Uncovered Surfaces:Tight-binding Analysis" Phys.Rev.B.Vol.57. 13016-13019 (1998)
T.Saito、J.N.Schulman、^* 和 Y.Arakawa:“具有未覆盖表面的 InAs 金字塔量子点的应变能量分布和电子结构:紧束缚分析”Phys.Rev.B.Vol.57。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
S.Ishida and Y.Arakawa: "Selective Self-assembling GaAs Quantum Dots Grown in Two-dimentional V-grooves by Selective Metal Organic Chemical Vapor Deposition" Appl.Phys.Lett.Vol.72. 800 (1998)
S.Ishida 和 Y.Arakawa:“通过选择性金属有机化学气相沉积在二维 V 形槽中生长的选择性自组装 GaAs 量子点”Appl.Phys.Lett.Vol.72。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
橘浩一、染谷隆夫、荒川泰彦: "GaN上へのInGaN量子ドットの自然形成" 電子情報通信学会論文誌. Vol.J81-C-I No.8. 474-475 (1998)
Koichi Tachibana、Takao Someya、Yasuhiko Arakawa:“GaN 上 InGaN 量子点的自发形成”,电子、信息和通信工程师学会卷 J81-C-I 第 8 期(1998 年)。
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  • 发表时间:
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    0
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    2015
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    $ 11.14万
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    $ 11.14万
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    $ 11.14万
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    06555100
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    1994
  • 资助金额:
    $ 11.14万
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    $ 11.14万
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    $ 11.14万
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  • 批准号:
    575009-2022
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 11.14万
  • 项目类别:
    University Undergraduate Student Research Awards
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    2022
  • 资助金额:
    $ 11.14万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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  • 批准号:
    105983
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 11.14万
  • 项目类别:
    Collaborative R&D
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  • 批准号:
    EP/S028625/1
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 11.14万
  • 项目类别:
    Research Grant
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  • 批准号:
    19K05197
  • 财政年份:
    2019
  • 资助金额:
    $ 11.14万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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  • 批准号:
    19K03686
  • 财政年份:
    2019
  • 资助金额:
    $ 11.14万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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量子传感微腔超高气密接合研究
  • 批准号:
    19H02045
  • 财政年份:
    2019
  • 资助金额:
    $ 11.14万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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知道了