课题基金 / 基金详情

Entwicklung einer Technologie für die Herstellung eines High-Electron-Mobility Transistors

Entwicklung einer Technologie für die Herstellung eines High-Electron-Mobility Transistors
开发高电子迁移率晶体管的制造技术
批准号：
5338108
负责人：
Professor Dr. Joachim Knoch
金额：
$0.0万
依托单位：
Institut für Halbleitertechnik (IHT)
依托单位国家：
德国
项目类别：
Research Fellowships
财政年份：
2001
资助国家：
德国
项目状态：
已结题
起止时间：
2000-12-31 至 2002-12-31
来源：
https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5338108?language=en
关键词：
EntwicklungeinerTechnologiedieHerstellung

项目摘要

项目成果

Professor Dr. Joachim Knoch的其他基金

相似基金

相关文献

中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
No abstract available
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
High yield, low variability – Employing silicon CMOS technology for the realization of spin qubits
  • 批准号：
    421769186
  • 项目类别：
    Research Grants
  • 资助金额：
    $0.0万
  • 财政年份：
    2019
  • 负责人：
    Professor Dr. Joachim Knoch
  • 依托单位：
    Institut für Halbleitertechnik (IHT)
Reconfigurable Field-Effect-Transistors
  • 批准号：
    397662129
  • 项目类别：
    Research Grants
  • 资助金额：
    $0.0万
  • 财政年份：
    2018
  • 负责人：
    Professor Dr. Joachim Knoch
  • 依托单位：
    Institut für Halbleitertechnik (IHT)
Coupling of quantum dots with superconductors- towards long-range coupling of qubits
  • 批准号：
    387743155
  • 项目类别：
    Research Grants
  • 资助金额：
    $0.0万
  • 财政年份：
    2017
  • 负责人：
    Professor Dr. Joachim Knoch
  • 依托单位：
    Institut für Halbleitertechnik (IHT)
1-D Multi-Gate FETs: Tailoring the Potential Landscape on the Nanoscale
  • 批准号：
    266030637
  • 项目类别：
    Research Grants
  • 资助金额：
    $0.0万
  • 财政年份：
    2015
  • 负责人：
    Professor Dr. Joachim Knoch
  • 依托单位：
    Institut für Halbleitertechnik (IHT)
海外基金