An Experimental Study of Dipole-Layer Formation at Metal-Oxide/Semiconductor Interfaces
An Experimental Study of Dipole-Layer Formation at Metal-Oxide/Semiconductor Interfaces
金属-氧化物/半导体界面偶极子层形成的实验研究
批准号：
19360149
负责人：
MIYATA Noriyuki
金额：
$9.98万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2007
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2007 至 2008
中文摘要
翻译
本研究では、直接接合ハフニウム酸化膜/シリコン界面に誘起される異常なダイポール層の起源を明らかにすることを目的として、種々の分析方法を用いて界面電子状態および化学結合状態を評価した。界面ダイポールの発生状況は、界面準位密度等の電子状態との相関を示さず、界面Si-O結合に依存することが明らかとなった。よって、界面Si-O 結合がダイポール発生の主な原因であると考えられる。また、直接接合ハフニウム酸化膜/ゲルマニウム界面の作製に成功し、シリコン基板上と同様な界面ダイポールの存在を初めて確認した。
英文摘要
本研究では、直接接合ハフニウム酸化膜/シリコン界面に誘起される異常なダイポール層の起源を明らかにすることを目的として、種々の分析方法を用いて界面電子状態および化学結合状態を評価した。界面ダイポールの発生状況は、界面準位密度等の電子状態との相関を示さず、界面Si-O結合に依存することが明らかとなった。よって、界面Si-O 結合がダイポール発生の主な原因であると考えられる。また、直接接合ハフニウム酸化膜/ゲルマニウム界面の作製に成功し、シリコン基板上と同様な界面ダイポールの存在を初めて確認した。
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Ge diffUsion through a thin HfO_2 film durhlg the thermal annealing
热退火过程中Ge通过HfO_2薄膜的扩散
热退火过程中Ge通过HfO_2薄膜的扩散
DOI：
--
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
作者：
[笹崎大生, 加藤孝弘, 河合晃, 濱崎勝義, 阿部 泰宏]
通讯作者：
阿部 泰宏
HfO2/Ge 構造における界面GeO2の電気特性への影響
界面GeO2对HfO2/Ge结构电性能的影响
界面GeO2对HfO2/Ge结构电性能的影响
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
[阿部泰宏, 宮田典幸, 安田哲二]
通讯作者：
安田哲二
DOI：
10.1143/apex.2.035502
发表时间：
2009-02
期刊：
Applied Physics Express
影响因子：
2.3
作者：
[N. Miyata;Y. Abe;T. Yasuda]
通讯作者：
N. Miyata;Y. Abe;T. Yasuda
Chemical Bonding-Induced Dipole at the HfO_2/Si Interface
HfO_2/Si 界面化学键诱导偶极子
HfO_2/Si 界面化学键诱导偶极子
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Akihiro Takano, Akira Kawai, 宮田典幸]
通讯作者：
宮田典幸
Ge Diffusion through a Thin HfO2 Film during the Thermal Annealing
热退火期间 Ge 通过 HfO2 薄膜的扩散
热退火期间 Ge 通过 HfO2 薄膜的扩散
DOI：
--
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
作者：
[阿部泰宏, 宮田典幸, 安田哲二]
通讯作者：
安田哲二
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