An Experimental Study of Dipole-Layer Formation at Metal-Oxide/Semiconductor Interfaces

金属-氧化物/半导体界面偶极子层形成的实验研究

• 批准号: 19360149
• 负责人: MIYATA Noriyuki
• 金额: $ 9.98万
• 依托单位: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2007 至 2008
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19360149/
• 关键词: 高誘電率絶縁膜; 絶縁膜; 半導体界面; 半導体工学; 電界効果型トランジスタ; 絶縁体・半導体界; 界面物性; 絶縁体・半導体界面

本研究では、直接接合ハフニウム酸化膜/シリコン界面に誘起される異常なダイポール層の起源を明らかにすることを目的として、種々の分析方法を用いて界面電子状態および化学結合状態を評価した。界面ダイポールの発生状況は、界面準位密度等の電子状態との相関を示さず、界面Si-O結合に依存することが明らかとなった。よって、界面Si-O 結合がダイポール発生の主な原因であると考えられる。また、直接接合ハフニウム酸化膜/ゲルマニウム界面の作製に成功し、シリコン基板上と同様な界面ダイポールの存在を初めて確認した。

In this study, the origin of the interface induced by the direct bonding of the acid film and the chemical bonding state were evaluated. The development status of the interface, the correlation of the electronic state such as the interface quasi-density, and the dependence of the interface Si-O bond are shown. The main reason for the formation of Si-O bonds at the interface is to examine the relationship between Si-O bonds and Si. The production of the acid film/film interface by direct bonding was successful, and the existence of the same film interface on the substrate was initially confirmed.

项目成果

Ge diffUsion through a thin HfO_2 film durhlg the thermal annealing

热退火过程中Ge通过HfO_2薄膜的扩散

• 发表时间: 2007
• 作者: 笹崎大生;加藤孝弘;河合晃;濱崎勝義;阿部 泰宏
• 通讯作者: 阿部 泰宏

HfO2/Ge 構造における界面GeO2の電気特性への影響

界面GeO2对HfO2/Ge结构电性能的影响

• 发表时间: 2008
• 作者: 阿部泰宏;宮田典幸;安田哲二
• 通讯作者: 安田哲二

Conductance Spectroscopy Study on Interface Electronic States of HfO2/Si Structures: Comparison with Interface Dipole

• DOI: 10.1143/apex.2.035502
• 发表时间: 2009-02
• 期刊: Applied Physics Express
• 影响因子: 2.3
• 作者: N. Miyata;Y. Abe;T. Yasuda

Chemical Bonding-Induced Dipole at the HfO_2/Si Interface

HfO_2/Si 界面化学键诱导偶极子

• 发表时间: 2008
• 作者: Akihiro Takano;Akira Kawai;宮田典幸
• 通讯作者: 宮田典幸

Ge Diffusion through a Thin HfO2 Film during the Thermal Annealing

热退火期间 Ge 通过 HfO2 薄膜的扩散

• 发表时间: 2007
• 作者: 阿部泰宏;宮田典幸;安田哲二
• 通讯作者: 安田哲二