High-Density New Two-Terminal Resistive Nonvolatile MemoryUsing Silicon Carbide
采用碳化硅的高密度新型两端电阻式非易失性存储器
基本信息
- 批准号:19360156
- 负责人:
- 金额:$ 10.9万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份:2007
- 资助国家:日本
- 起止时间:2007 至 2008
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
世界で初めて考案した全く新しい構造と新しい動作原理に基づくシリコンカーバイトを用いた高密度化が可能な二端子構造の抵抗変化型不揮発性メモリ(RRAM)について、構造と基本作製プロセスと基本特性との相関を明確にした。また、本メモリを集積回路として構成するための現行製造プロセス温度と整合する低温作製プロセスを提示した。これらの結果から本メモリの次世代の集積化不揮発性メモリとしての展開が期待される。
The early で め て test case し た く all new し い construct new し と い movement theory に base づ く シ リ コ ン カ ー バ イ ト を with い た が may な high-density 2 terminal structure の resistance - the type does not wield 発 メ モ リ (RRAM) に つ い て basic cropping, tectonic と プ ロ セ ス と basic characteristics と の phase masato を clear に し た. ま た, this メ モ リ を set integrated circuit と し て constitute す る た め の current manufacturing プ ロ セ ス temperature と integration す る system of low temperature for プ ロ セ ス を prompt し た. The results of the が れら are ら and メモリ. The next-generation <s:1> integrative non-volatile メモリと <s:1> て unfolds が anticipation される.
项目成果
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SiO_2/SiO_x/3C-SiC/n-Si(001)Nonvolatile Resistance Memory Formed with One-Stage Oxidation Process
一步氧化工艺形成的SiO_2/SiO_x/3C-SiC/n-Si(001)非易失性电阻存储器
- DOI:
- 发表时间:2008
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Y. Yamaguchi;H. Hasegawa;and Y. Suda
- 通讯作者:and Y. Suda
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- DOI:
- 发表时间:2008
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:S.K. Varshney;Y. Tsuchida;K. Sasaki,K. Saitoh;and M. Koshiba;須田良幸
- 通讯作者:須田良幸
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