High-Density New Two-Terminal Resistive Nonvolatile MemoryUsing Silicon Carbide

采用碳化硅的高密度新型两端电阻式非易失性存储器

• 批准号: 19360156
• 负责人: SUDA Yoshiyuki
• 金额: $ 10.9万
• 依托单位: Tokyo University of Agriculture and Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2007 至 2008
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19360156/
• 关键词: 集積回路; 半導体メモリ; シリコンカーバイド; 不揮発性メモリ; RRAM; 抵抗変化型ランダムアクセスメモリ; 不揮発性RAM; MIS; 3C-SiC; 抵抗変化型RAM; 酸化膜; 電子トラップ; フラッシュメモリ

世界で初めて考案した全く新しい構造と新しい動作原理に基づくシリコンカーバイトを用いた高密度化が可能な二端子構造の抵抗変化型不揮発性メモリ(RRAM)について、構造と基本作製プロセスと基本特性との相関を明確にした。また、本メモリを集積回路として構成するための現行製造プロセス温度と整合する低温作製プロセスを提示した。これらの結果から本メモリの次世代の集積化不揮発性メモリとしての展開が期待される。

The world's first research project is completely new, the structure is new, the principle of operation is basic, the density is high, the resistance of two-terminal structure is variable, the non-volatility is high, the structure is basic, the basic characteristics are clear, The current production temperature and low temperature operation conditions of the integrated circuit are indicated. The result of this is that the next generation of integration is not volatile, and the development is expected.

项目成果

半導体メモリ装置

半导体存储器件

• 发表时间: 2008

SiO_2/SiO_x/3C-SiC/n-Si(001)Nonvolatile Resistance Memory Formed with One-Stage Oxidation Process

一步氧化工艺形成的SiO_2/SiO_x/3C-SiC/n-Si(001)非易失性电阻存储器

• 发表时间: 2008
• 作者: Y. Yamaguchi;H. Hasegawa;and Y. Suda
• 通讯作者: and Y. Suda

3C-SiC MIS抵抗変化型不揮発性半導体メモリー素子

3C-SiC MIS电阻可变非易失性半导体存储器件

• 发表时间: 2008
• 期刊: 応用物理 77
• 作者: S.K. Varshney;Y. Tsuchida;K. Sasaki,K. Saitoh;and M. Koshiba;須田良幸
• 通讯作者: 須田良幸