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High-Density New Two-Terminal Resistive Nonvolatile MemoryUsing Silicon Carbide

High-Density New Two-Terminal Resistive Nonvolatile MemoryUsing Silicon Carbide
采用碳化硅的高密度新型两端电阻式非易失性存储器
批准号：
19360156
负责人：
SUDA Yoshiyuki
金额：
$10.9万
依托单位：
Tokyo University of Agriculture and Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2007
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2007 至 2008
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19360156/
关键词：
集積回路半導体メモリシリコンカーバイド不揮発性メモリRRAM抵抗変化型ランダムアクセスメモリ不揮発性RAMMIS3C-SiC抵抗変化型RAM酸化膜電子トラップフラッシュメモリ

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世界で初めて考案した全く新しい構造と新しい動作原理に基づくシリコンカーバイトを用いた高密度化が可能な二端子構造の抵抗変化型不揮発性メモリ(RRAM)について、構造と基本作製プロセスと基本特性との相関を明確にした。また、本メモリを集積回路として構成するための現行製造プロセス温度と整合する低温作製プロセスを提示した。これらの結果から本メモリの次世代の集積化不揮発性メモリとしての展開が期待される。
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会议论文
半導体メモリ装置
半导体存储器件
DOI： --
发表时间： 2008
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
SiO_2/SiO_x/3C-SiC/n-Si(001)Nonvolatile Resistance Memory Formed with One-Stage Oxidation Process
一步氧化工艺形成的SiO_2/SiO_x/3C-SiC/n-Si(001)非易失性电阻存储器
DOI： --
发表时间： 2008
期刊：
影响因子： --
作者： [Y. Yamaguchi, H. Hasegawa, and Y. Suda]
通讯作者： and Y. Suda
3C-SiC MIS抵抗変化型不揮発性半導体メモリー素子
3C-SiC MIS电阻可变非易失性半导体存储器件
DOI： --
发表时间： 2008
期刊： 応用物理 77
影响因子： --
作者： [S.K. Varshney, Y. Tsuchida, K. Sasaki,K. Saitoh, and M. Koshiba, 須田良幸]
通讯作者： 須田良幸
Technology of Formation of Ge Virtual Substrates by Growth of Ge Flat Films Directly on Si Using Sputter Epitaxy Method
Observation of electromagnetic induction phenomena of a nanometer-scale coil
  • 批准号：
    25630110
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
  • 资助金额：
    $2.58万
  • 财政年份：
    2013
  • 负责人：
    SUDA Yoshiyuki
  • 依托单位：
    Toyohashi University of Technology
Technology of Formation of Ge Flat Film Directly on Si by P SurfactantEffect and Sputter Epitaxy Method
Use of carbon nanocoil as catalyst support for development of high-performance fuel cell
  • 批准号：
    22760208
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
  • 资助金额：
    $2.58万
  • 财政年份：
    2010
  • 负责人：
    SUDA Yoshiyuki
  • 依托单位：
    Toyohashi University of Technology
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