课题基金 / 基金详情

Selective growth of metallic/semiconducting single-walled carbon nanotubes by precise supply control of chemically active species

Selective growth of metallic/semiconducting single-walled carbon nanotubes by precise supply control of chemically active species
通过化学活性物质的精确供应控制选择性生长金属/半导体单壁碳纳米管
批准号：
19740339
负责人：
SUDA Yoshiyuki
金额：
$2.25万
依托单位：
Toyohashi University of Technology (2008)Hokkaido University (2007)
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2007
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2007 至 2008
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19740339/
关键词：
プラズマ応用単層カーボンナノチューブカイラリティ化学気相堆積エッチング二酸化炭素化学活性種ラマン分光

项目摘要

项目成果

SUDA Yoshiyuki的其他基金

相似基金

相关文献

中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
(1) カーボンナノチューブ(CNT)の原料ガスであるCH_4にCO_2ガスを添加したところ,多層CNTの層数・内径・外径が増加した。また,CO_2添加により単層CNTの直径分布を太い方へ変化できた。(2)CNT成長領域から60cm程度の距離にプラズマを発生させることで,Si基板上に堆積したAl_2O_3/Fe/Al_2O_3の3層構造触媒から欠陥のほとんどない高品質な単層CNTが合成できた。
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
Plasma-enhanced chemical vapor deposition of carbon nanotubes using alcohol vapor
使用酒精蒸气等离子体增强碳纳米管化学气相沉积
DOI： --
发表时间： 2008
期刊： Materials Research Society Proceedings 1057-II05-10
影响因子： --
作者： [Atsushi Okita, Yoshiyuki Suda, (他5)]
通讯作者： (他5)
熱CVDにおける酸化ガスの導入がカーボンナノチューブ成長に及ぼす影響
热CVD中氧化气体的引入对碳纳米管生长的影响
DOI： --
发表时间： 2008
期刊： 平成20年電気学会基礎・材料・共通部門大会プロシーディングス (CD-RDM)
影响因子： --
作者： [高山純一, 他]
通讯作者： 他
Dual distributions for the metallic and semiconducting single-walled carbon nanotubes observed by Raman spectroscopy
拉曼光谱观察金属和半导体单壁碳纳米管的双重分布
DOI： --
发表时间： 2008
期刊： Carbon-Science and Technology 1
影响因子： --
作者： [Krishnendu Bhattacharyya, 須田善行, 沖田篤士, 齊藤武, 尾関充史, 前川将之, 高山純一, 菅原広剛, 酒井洋輔]
通讯作者： 酒井洋輔
フィラメント放電処理により再配置したカーボンナノツイストからの電界電子放出
通过灯丝放电处理重新排列碳纳米线的场电子发射
DOI： --
发表时间： 2009
期刊：
影响因子： --
作者： [須田善行, 他]
通讯作者： 他
共 88 条
    Technology of Formation of Ge Virtual Substrates by Growth of Ge Flat Films Directly on Si Using Sputter Epitaxy Method
    Observation of electromagnetic induction phenomena of a nanometer-scale coil
    • 批准号：
      25630110
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.58万
    • 财政年份：
      2013
    • 负责人：
      SUDA Yoshiyuki
    • 依托单位：
      Toyohashi University of Technology
    Technology of Formation of Ge Flat Film Directly on Si by P SurfactantEffect and Sputter Epitaxy Method
    Use of carbon nanocoil as catalyst support for development of high-performance fuel cell
    • 批准号：
      22760208
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
    • 资助金额：
      $2.58万
    • 财政年份：
      2010
    • 负责人：
      SUDA Yoshiyuki
    • 依托单位：
      Toyohashi University of Technology
    海外基金