Selective growth of metallic/semiconducting single-walled carbon nanotubes by precise supply control of chemically active species

通过化学活性物质的精确供应控制选择性生长金属/半导体单壁碳纳米管

基本信息

项目摘要

(1) カーボンナノチューブ(CNT)の原料ガスであるCH_4にCO_2ガスを添加したところ,多層CNTの層数・内径・外径が増加した。また,CO_2添加により単層CNTの直径分布を太い方へ変化できた。(2)CNT成長領域から60cm程度の距離にプラズマを発生させることで,Si基板上に堆積したAl_2O_3/Fe/Al_2O_3の3層構造触媒から欠陥のほとんどない高品質な単層CNTが合成できた。
(1) The raw material of カーボンナノチューブ(CNT) is the addition of CH_4にCO_2ガスを, and the number of layers, inner diameter, and outer diameter of multi-layer CNT are increased. The diameter distribution of a single layer of CNTs added with CO_2 is too square and the diameter distribution of the single layer CNT is changed. (2) The distance between the CNT growth area and the distance of about 60cm is high, and the Al_is deposited on the Si substrate. 2O_3/Fe/Al_2O_3 is a 3-layer structure catalyst and is a high-quality single layer CNT synthesized.

项目成果

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Plasma-enhanced chemical vapor deposition of carbon nanotubes using alcohol vapor
使用酒精蒸气等离子体增强碳纳米管化学气相沉积
熱CVDにおける酸化ガスの導入がカーボンナノチューブ成長に及ぼす影響
热CVD中氧化气体的引入对碳纳米管生长的影响
Dual distributions for the metallic and semiconducting single-walled carbon nanotubes observed by Raman spectroscopy
拉曼光谱观察金属和半导体单壁碳纳米管的双重分布
  • DOI:
  • 发表时间:
    2008
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Krishnendu Bhattacharyya;須田善行;沖田篤士;齊藤武;尾関充史;前川将之;高山純一;菅原広剛;酒井洋輔
  • 通讯作者:
    酒井洋輔
フィラメント放電処理により再配置したカーボンナノツイストからの電界電子放出
通过灯丝放电处理重新排列碳纳米线的场电子发射
  • DOI:
  • 发表时间:
    2009
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    須田善行;他
  • 通讯作者:
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2008
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    浅岡典央;他
  • 通讯作者:
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

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{{ showInfoDetail.title }}

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知道了