Selective growth of metallic/semiconducting single-walled carbon nanotubes by precise supply control of chemically active species
通过化学活性物质的精确供应控制选择性生长金属/半导体单壁碳纳米管
基本信息
- 批准号:19740339
- 负责人:
- 金额:$ 2.25万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份:2007
- 资助国家:日本
- 起止时间:2007 至 2008
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
(1) カーボンナノチューブ(CNT)の原料ガスであるCH_4にCO_2ガスを添加したところ,多層CNTの層数・内径・外径が増加した。また,CO_2添加により単層CNTの直径分布を太い方へ変化できた。(2)CNT成長領域から60cm程度の距離にプラズマを発生させることで,Si基板上に堆積したAl_2O_3/Fe/Al_2O_3の3層構造触媒から欠陥のほとんどない高品質な単層CNTが合成できた。
(1) カ ー ボ ン ナ ノ チ ュ ー ブ (CNT) の ガ ス で あ る CH_4 に CO_2 ガ ス を add し た と こ ろ, multilayer CNT の layer, inner diameter, outside diameter が raised plus し た. Youdaoplaceholder0,CO_2 adds によ 単 単 layer CNT <s:1> diameter distribution を too また square へ variation で た た. (2) the CNT growth sector か ら 60 cm distance degree の に プ ラ ズ マ を 発 raw さ せ る こ と で, Si substrate に accumulation し た Al_2O_3 / Fe/Al_2O_3 の three layers structure catalyst か ら owe 陥 の ほ と ん ど な い high-quality な 単 layer CNT が synthetic で き た.
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Plasma-enhanced chemical vapor deposition of carbon nanotubes using alcohol vapor
使用酒精蒸气等离子体增强碳纳米管化学气相沉积
- DOI:
- 发表时间:2008
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Atsushi Okita;Yoshiyuki Suda;(他5)
- 通讯作者:(他5)
Dual distributions for the metallic and semiconducting single-walled carbon nanotubes observed by Raman spectroscopy
拉曼光谱观察金属和半导体单壁碳纳米管的双重分布
- DOI:
- 发表时间:2008
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Krishnendu Bhattacharyya;須田善行;沖田篤士;齊藤武;尾関充史;前川将之;高山純一;菅原広剛;酒井洋輔
- 通讯作者:酒井洋輔
カーボンナノチューブを用いたガスセンサの特性評価-ガス濃度と印加電圧に対する依存性-
使用碳纳米管的气体传感器的特性评估-气体浓度和施加电压的依赖性-
- DOI:
- 发表时间:2008
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:浅岡典央;他
- 通讯作者:他
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