Selective growth of metallic/semiconducting single-walled carbon nanotubes by precise supply control of chemically active species

通过化学活性物质的精确供应控制选择性生长金属/半导体单壁碳纳米管

基本信息

项目摘要

(1) カーボンナノチューブ(CNT)の原料ガスであるCH_4にCO_2ガスを添加したところ,多層CNTの層数・内径・外径が増加した。また,CO_2添加により単層CNTの直径分布を太い方へ変化できた。(2)CNT成長領域から60cm程度の距離にプラズマを発生させることで,Si基板上に堆積したAl_2O_3/Fe/Al_2O_3の3層構造触媒から欠陥のほとんどない高品質な単層CNTが合成できた。
(1) カ ー ボ ン ナ ノ チ ュ ー ブ (CNT) の ガ ス で あ る CH_4 に CO_2 ガ ス を add し た と こ ろ, multilayer CNT の layer, inner diameter, outside diameter が raised plus し た. Youdaoplaceholder0,CO_2 adds によ 単 単 layer CNT <s:1> diameter distribution を too また square へ variation で た た. (2) the CNT growth sector か ら 60 cm distance degree の に プ ラ ズ マ を 発 raw さ せ る こ と で, Si substrate に accumulation し た Al_2O_3 / Fe/Al_2O_3 の three layers structure catalyst か ら owe 陥 の ほ と ん ど な い high-quality な 単 layer CNT が synthetic で き た.

项目成果

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Plasma-enhanced chemical vapor deposition of carbon nanotubes using alcohol vapor
使用酒精蒸气等离子体增强碳纳米管化学气相沉积
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热CVD中氧化气体的引入对碳纳米管生长的影响
Dual distributions for the metallic and semiconducting single-walled carbon nanotubes observed by Raman spectroscopy
拉曼光谱观察金属和半导体单壁碳纳米管的双重分布
  • DOI:
  • 发表时间:
    2008
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Krishnendu Bhattacharyya;須田善行;沖田篤士;齊藤武;尾関充史;前川将之;高山純一;菅原広剛;酒井洋輔
  • 通讯作者:
    酒井洋輔
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  • DOI:
  • 发表时间:
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  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    須田善行;他
  • 通讯作者:
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2008
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    浅岡典央;他
  • 通讯作者:
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

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{{ showInfoDetail.title }}

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知道了