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Technology of Formation of Ge Flat Film Directly on Si by P SurfactantEffect and Sputter Epitaxy Method

Technology of Formation of Ge Flat Film Directly on Si by P SurfactantEffect and Sputter Epitaxy Method
磷表面活性剂溅射外延法在硅上直接形成Ge平膜技术
批准号：
23656210
负责人：
SUDA Yoshiyuki
金额：
$2.5万
依托单位：
Tokyo University of Agriculture and Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2011
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2011 至 2012
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23656210/
关键词：
作成評価技術Ge仮想基板エピタキシーSK成長ゲルマニウムサファクタントヘテロ成長Ｇｅ成長歪平坦化緩和表面泳動島状成長90度転位

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We have systematically analyzed the method of formation of a Ge flat film deposited directly on heavily P-doped Si by our developed sputter epitaxy and have cleared the flat Ge growth mechanisms where the Ge layer is grown flat with generation of 90° dislocations at a Si/Ge interface and a small strain in the film. The dislocations are probably generated due to the short Ge adsorbate migration length and presence of doped P atoms. We have also found a similar Ge growth behavior on a heavily B-doped Si, and our proposed method is expected to be well used as a Ge virtual substrate.
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Effect of Boron Dopant of Si (001) Substrates on Growth of Ge Layers using Sputter Epitaxy Method, Abs
使用溅射外延法，Si (001) 衬底的硼掺杂剂对 Ge 层生长的影响，Abs
DOI： --
发表时间： 2013
期刊：
影响因子： --
作者： [Takahiro Tsukamoto, Akifumi Kasamatsu, Nobumitsu Hirose, Takashi Mimura, Toshiaki Matsui and Yoshiyuki Suda]
通讯作者： Toshiaki Matsui and Yoshiyuki Suda
SiGe Sputter Epitaxy Technique and Its Application to SiGe Devices
SiGe溅射外延技术及其在SiGe器件中的应用
DOI： --
发表时间： 2012
期刊： Procedia Engineering
影响因子： --
作者： [Yoshiyuki Suda, Hiroaki Hanafusa, Mitsuhiro Yoshikawa and Manabu Kanazawa]
通讯作者： Mitsuhiro Yoshikawa and Manabu Kanazawa
Nobumitsu Hirose, Takashi Mimura*, and Toshiaki Matsui, SiGe Processes and Devices Using Sputter Epitaxy Method, Abs
Nobumitsu Hirose、Takashi Mimura* 和 Toshiaki Matsui，使用溅射外延方法的 SiGe 工艺和器件，Abs
DOI： --
发表时间： 2013
期刊：
影响因子： --
作者： [Yoshiyuki Suda, Takahiro Tsukamoto, Akifumi Kasamatsu]
通讯作者： Akifumi Kasamatsu
SiGe Sputter Epitaxy Technique and Its Application to SiGe Devices, Int
SiGe溅射外延技术及其在SiGe器件中的应用，Int
DOI： --
发表时间： 2011
期刊：
影响因子： --
作者： [Yoshiyuki Suda, Hiroaki Hanafusa, Mitsuhiro Yoshikawa and Manabu Kanazawa]
通讯作者： Mitsuhiro Yoshikawa and Manabu Kanazawa
共 10 条
    Technology of Formation of Ge Virtual Substrates by Growth of Ge Flat Films Directly on Si Using Sputter Epitaxy Method
    Observation of electromagnetic induction phenomena of a nanometer-scale coil
    • 批准号：
      25630110
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.58万
    • 财政年份：
      2013
    • 负责人：
      SUDA Yoshiyuki
    • 依托单位：
      Toyohashi University of Technology
    Use of carbon nanocoil as catalyst support for development of high-performance fuel cell
    • 批准号：
      22760208
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
    • 资助金额：
      $2.58万
    • 财政年份：
      2010
    • 负责人：
      SUDA Yoshiyuki
    • 依托单位：
      Toyohashi University of Technology
    High-Density New Two-Terminal Resistive Nonvolatile Memory Using SiC and Its Integration Technology
    海外基金