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Technology of Formation of Ge Flat Film Directly on Si by P SurfactantEffect and Sputter Epitaxy Method

磷表面活性剂溅射外延法在硅上直接形成Ge平膜技术

基本信息

批准号：
23656210
负责人：
SUDA Yoshiyuki
金额：
$ 2.5万
依托单位：
Tokyo University of Agriculture and Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2011
资助国家：
日本
起止时间：
2011 至 2012
项目状态：
已结题

项目摘要

We have systematically analyzed the method of formation of a Ge flat film deposited directly on heavily P-doped Si by our developed sputter epitaxy and have cleared the flat Ge growth mechanisms where the Ge layer is grown flat with generation of 90° dislocations at a Si/Ge interface and a small strain in the film. The dislocations are probably generated due to the short Ge adsorbate migration length and presence of doped P atoms. We have also found a similar Ge growth behavior on a heavily B-doped Si, and our proposed method is expected to be well used as a Ge virtual substrate.

本文系统地分析了用溅射外延法在重掺P硅衬底上直接生长Ge平膜的方法，阐明了Ge平膜生长的机理，即Ge层在Si/Ge界面处产生90°位错，膜中应变小。位错的产生可能是由于Ge吸附物迁移长度短和掺杂P原子的存在。我们也发现了类似的Ge生长行为在重掺B的Si，我们提出的方法有望很好地用作Ge虚拟衬底。

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Effect of Boron Dopant of Si (001) Substrates on Growth of Ge Layers using Sputter Epitaxy Method, Abs

使用溅射外延法，Si (001) 衬底的硼掺杂剂对 Ge 层生长的影响，Abs

DOI：
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
0
作者：
Takahiro Tsukamoto;Akifumi Kasamatsu;Nobumitsu Hirose;Takashi Mimura;Toshiaki Matsui and Yoshiyuki Suda
通讯作者：
Toshiaki Matsui and Yoshiyuki Suda

SiGe Sputter Epitaxy Technique and Its Application to SiGe Devices

SiGe溅射外延技术及其在SiGe器件中的应用

DOI：
发表时间：
2012
期刊：
Procedia Engineering
影响因子：
0
作者：
Yoshiyuki Suda;Hiroaki Hanafusa;Mitsuhiro Yoshikawa and Manabu Kanazawa
通讯作者：
Mitsuhiro Yoshikawa and Manabu Kanazawa

Nobumitsu Hirose, Takashi Mimura*, and Toshiaki Matsui, SiGe Processes and Devices Using Sputter Epitaxy Method, Abs

Nobumitsu Hirose、Takashi Mimura* 和 Toshiaki Matsui，使用溅射外延方法的 SiGe 工艺和器件，Abs

DOI：
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
0
作者：
Yoshiyuki Suda;Takahiro Tsukamoto;Akifumi Kasamatsu
通讯作者：
Akifumi Kasamatsu

SiGe Sputter Epitaxy Technique and Its Application to SiGe Devices, Int

SiGe溅射外延技术及其在SiGe器件中的应用，Int

DOI：
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
0
作者：
Yoshiyuki Suda;Hiroaki Hanafusa;Mitsuhiro Yoshikawa and Manabu Kanazawa
通讯作者：
Mitsuhiro Yoshikawa and Manabu Kanazawa

スパッタエピタキシー法を用いたGe薄膜形成におけるボロンドープSi基板の効果

硼掺杂硅衬底对溅射外延法形成Ge薄膜的影响

DOI：
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
0
作者：
M. Kawashima;A. Taguchi;N. Oikawa;H. Yamada and S. Narita;塚本貴広,広瀬信光,笠松章史,三村高志,松井敏明,須田良幸
通讯作者：
塚本貴広,広瀬信光,笠松章史,三村高志,松井敏明,須田良幸