Technology of Formation of Ge Flat Film Directly on Si by P SurfactantEffect and Sputter Epitaxy Method

磷表面活性剂溅射外延法在硅上直接形成Ge平膜技术

基本信息

批准号：
23656210
负责人：
SUDA Yoshiyuki
金额：
$ 2.5万
依托单位：
Tokyo University of Agriculture and Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2011
资助国家：
日本
起止时间：
2011 至 2012
项目状态：
已结题

项目摘要

We have systematically analyzed the method of formation of a Ge flat film deposited directly on heavily P-doped Si by our developed sputter epitaxy and have cleared the flat Ge growth mechanisms where the Ge layer is grown flat with generation of 90° dislocations at a Si/Ge interface and a small strain in the film. The dislocations are probably generated due to the short Ge adsorbate migration length and presence of doped P atoms. We have also found a similar Ge growth behavior on a heavily B-doped Si, and our proposed method is expected to be well used as a Ge virtual substrate.

我们已经系统地分析了形成的GE扁平膜的方法，该膜通过我们开发的溅射外延直接沉积在大量P掺杂的Si上，并清除了平坦的GE生长机制，在该机制中，GE层在SI/GE界面上以90°脱位而产生的GE层是平坦的，并且膜中的小应变。由于GE吸附物的迁移长度和掺杂的P原子的存在，可能会产生位错。我们还发现在浓度B掺杂的SI上具有类似的GE生长行为，我们提出的方法有望很好地用作GE虚拟底物。

项目成果

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Effect of Boron Dopant of Si (001) Substrates on Growth of Ge Layers using Sputter Epitaxy Method, Abs

使用溅射外延法，Si (001) 衬底的硼掺杂剂对 Ge 层生长的影响，Abs

DOI：
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
0
作者：
Takahiro Tsukamoto;Akifumi Kasamatsu;Nobumitsu Hirose;Takashi Mimura;Toshiaki Matsui and Yoshiyuki Suda
通讯作者：
Toshiaki Matsui and Yoshiyuki Suda

SiGe Sputter Epitaxy Technique and Its Application to SiGe Devices

SiGe溅射外延技术及其在SiGe器件中的应用

DOI：
发表时间：
2012
期刊：
Procedia Engineering
影响因子：
0
作者：
Yoshiyuki Suda;Hiroaki Hanafusa;Mitsuhiro Yoshikawa and Manabu Kanazawa
通讯作者：
Mitsuhiro Yoshikawa and Manabu Kanazawa

Nobumitsu Hirose, Takashi Mimura*, and Toshiaki Matsui, SiGe Processes and Devices Using Sputter Epitaxy Method, Abs

Nobumitsu Hirose、Takashi Mimura* 和 Toshiaki Matsui，使用溅射外延方法的 SiGe 工艺和器件，Abs

DOI：
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
0
作者：
Yoshiyuki Suda;Takahiro Tsukamoto;Akifumi Kasamatsu
通讯作者：
Akifumi Kasamatsu

SiGe Sputter Epitaxy Technique and Its Application to SiGe Devices, Int

SiGe溅射外延技术及其在SiGe器件中的应用，Int

DOI：
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
0
作者：
Yoshiyuki Suda;Hiroaki Hanafusa;Mitsuhiro Yoshikawa and Manabu Kanazawa
通讯作者：
Mitsuhiro Yoshikawa and Manabu Kanazawa

Phosphorus Mediated Growth of Ge Layer on Si (001) Substrate

磷介导 Si (001) 基板上 Ge 层的生长

DOI：
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
0
作者：
Hiroaki Hanafusa;Nobumitsu Hirose;Akifumi;Kasamatsu;Takashi Mimura;Toshiaki Matsui;Harold M. H. Chong;Hiroshi Mizuta;and Yoshiyuki Suda
通讯作者：
and Yoshiyuki Suda