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Technology of Formation of Ge Virtual Substrates by Growth of Ge Flat Films Directly on Si Using Sputter Epitaxy Method

Technology of Formation of Ge Virtual Substrates by Growth of Ge Flat Films Directly on Si Using Sputter Epitaxy Method
溅射外延法在Si上直接生长Ge平膜形成Ge虚拟衬底技术
批准号：
25630123
负责人：
SUDA Yoshiyuki
金额：
$2.58万
依托单位：
Tokyo University of Agriculture and Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-04-01 至 2015-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-25630123/
关键词：
ゲルマニウム仮想基板エピタキシーサファクタントヘテロ接合高速デバイス

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Effects of boron dopants of Si (001) substrates on formation of Ge layers by sputter epitaxy method
DOI： 10.1063/1.4826501
发表时间： 2013-10
期刊： Applied Physics Letters
影响因子： 4
作者： [T. Tsukamoto;N. Hirose;A. Kasamatsu;T. Mimura;T. Matsui;Y. Suda]
通讯作者： T. Tsukamoto;N. Hirose;A. Kasamatsu;T. Mimura;T. Matsui;Y. Suda
Effects of DC Sputtering Conditions on Formation of Ge Layers on Si Substrates by Sputter Epitaxy method
直流溅射条件对溅射外延法在硅基片上形成Ge层的影响
DOI： --
发表时间： 2014
期刊：
影响因子： --
作者： [Takahiro Tsukamoto, Nobumitsu Hirose, Akifumi Kasamatsu, Takashi Mimura, Toshiaki Matsui, and Yoshiyuki Suda]
通讯作者： and Yoshiyuki Suda
スパッタエピタキシー法を用いたSi直上へのGeSn薄膜の形成
采用溅射外延法直接在 Si 上形成 GeSn 薄膜
DOI： --
发表时间： 2014
期刊：
影响因子： --
作者： [J. Shi, Y. Takagi, D. Anzai and J. Wang, 塚本貴広，広瀬信光，笠松章史，三村高志，松井敏明，須田良幸]
通讯作者： 塚本貴広，広瀬信光，笠松章史，三村高志，松井敏明，須田良幸
Formation of GeSn layers on Si (001) substrates at high growth temperature and high deposition rate by sputter epitaxy method
DOI： 10.1007/s10853-015-8990-4
发表时间： 2015-04
期刊： Journal of Materials Science
影响因子： 4.5
作者： [T. Tsukamoto;N. Hirose;A. Kasamatsu;T. Mimura;T. Matsui;Y. Suda]
通讯作者： T. Tsukamoto;N. Hirose;A. Kasamatsu;T. Mimura;T. Matsui;Y. Suda
共 8 条
    Observation of electromagnetic induction phenomena of a nanometer-scale coil
    • 批准号：
      25630110
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.58万
    • 财政年份：
      2013
    • 负责人：
      SUDA Yoshiyuki
    • 依托单位：
      Toyohashi University of Technology
    Technology of Formation of Ge Flat Film Directly on Si by P SurfactantEffect and Sputter Epitaxy Method
    Use of carbon nanocoil as catalyst support for development of high-performance fuel cell
    • 批准号：
      22760208
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
    • 资助金额：
      $2.58万
    • 财政年份：
      2010
    • 负责人：
      SUDA Yoshiyuki
    • 依托单位：
      Toyohashi University of Technology
    High-Density New Two-Terminal Resistive Nonvolatile Memory Using SiC and Its Integration Technology
    海外基金