Research of reliable Ge transistor having atomic layer deposited gate dielectrics
Research of reliable Ge transistor having atomic layer deposited gate dielectrics
具有原子层沉积栅极电介质的可靠Ge晶体管的研究
批准号：
19360164
负责人：
NAKAJIMA Anri
金额：
$11.98万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2007
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2007 至 2008
中文摘要
翻译
tetrakis diethylmethylamino hafnium(TDEAH)とH_2Oの交互照射を用いたGe基板上へのHfO_2の原子層成長(ALD)法の確立を行った。ラザフォード後方散乱による組成分析、原子問力顕微鏡による膜平坦性の評価を行い、化学量論的な組成を持つ平坦なHfO_2膜が得られる条件を見出した。MISキャパシタの容量-電圧特性とゲートリーク特性を測定し、電気的にも良好なゲート絶縁膜が得られている事を確認した。これにより、ALD法により堆積したゲート絶縁膜を有するGe高信頼性トランジスタの実現の見通しができた。
英文摘要
tetrakis diethylmethylamino hafnium(TDEAH)とH_2Oの交互照射を用いたGe基板上へのHfO_2の原子層成長(ALD)法の確立を行った。ラザフォード後方散乱による組成分析、原子問力顕微鏡による膜平坦性の評価を行い、化学量論的な組成を持つ平坦なHfO_2膜が得られる条件を見出した。MISキャパシタの容量-電圧特性とゲートリーク特性を測定し、電気的にも良好なゲート絶縁膜が得られている事を確認した。これにより、ALD法により堆積したゲート絶縁膜を有するGe高信頼性トランジスタの実現の見通しができた。
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会议论文
Atomic Layer Deposition of HfO_2 and Si Nitride on Ge Substrates
Ge基底上HfO_2和氮化硅的原子层沉积
Ge基底上HfO_2和氮化硅的原子层沉积
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 46, No. 12
影响因子：
--
作者：
[Shiyang Zhu, Anri Nakaiima]
通讯作者：
Anri Nakaiima
Study of flashmemory using organic and molecular materials
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批准号：21360012
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$12.23万
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财政年份：2009
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负责人：NAKAJIMA Anri
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依托单位：
Flash memory having a few numbers of floating nanometer-scale dot and atomic-layer-deposited tunnel gate dielectrics
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批准号：16360176
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$6.85万
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财政年份：2004
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负责人：NAKAJIMA Anri
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依托单位：
Continuous Atomic-Layer Deposition of Metal Gate/High-k Metal Oxide Gate Dielectric Stack Structure
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批准号：13450129
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$7.17万
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财政年份：2001
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负责人：NAKAJIMA Anri
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依托单位：
海外基金
