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Thin filmtransistors using 2-dimensional crystals of colloidal dots
使用胶体点二维晶体的薄膜晶体管
基本信息
- 批准号：20510105
- 负责人：
- 金额：$ 2.83万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2008
- 资助国家：日本
- 起止时间：2008 至 2010
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
We fabricated high density nomolayer films of semiconductor colloidal nano-dots with approximately 100% surface coverage. The density of the nono-dots was electrically measured using organic thin film transistors in which the nomo layer of colloidal nano-dots was embedded between the gate insulator and the active layer. The fabricated transistors showed large memory effect ; thus, they are promising for organic memory devices. The device structure was further improved, and they showed large memory effect, which is comparable to the top level in the world, as well as high carrier mobility.
我们制备了高密度半导体胶体纳米点纳米层薄膜，表面覆盖率约为 100%。使用有机薄膜晶体管对纳米点的密度进行电测量，其中胶体纳米点的纳米层嵌入在栅极绝缘体和有源层之间。所制作的晶体管表现出较大的记忆效应；因此，它们对于有机存储器件很有希望。器件结构进一步改进，表现出可媲美国际顶尖水平的大记忆效应和高载流子迁移率。
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Pentacene Memory Transistors Using Monolayer of Semiconductor Colloidal Nano-Dots
使用单层半导体胶体纳米点的并五苯存储晶体管
- DOI：
- 发表时间：2010
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Kaori Kajimoto;T.Minami;K.Uno;Ichiro Tanaka
- 通讯作者：Ichiro Tanaka
Large Memory Effect and High Carrier Mobility of Organic Field-Effect Transistors Using Semiconductor Colloidal Nano-Dots Dispersed in Polymer Buffer Layser
使用分散在聚合物缓冲层中的半导体胶体纳米点的有机场效应晶体管的大记忆效应和高载流子迁移率
- DOI：
- 发表时间：2011
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：K.Kajimoto;A.Kurokawa;K.Uno;I.Tanaka
- 通讯作者：I.Tanaka
半導体コロイダルドットを分散混合させた薄膜をフローティングゲートとして用いた有機メモリFET
使用分散混合半导体胶点薄膜作为浮栅的有机存储FET
- DOI：
- 发表时间：2011
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：梶本かおり;黒川篤;宇野和行;田中一郎
- 通讯作者：田中一郎
Pentacene Memory Transistors Using Monolayer of Semiconductor Colloidal Nao-Dots
使用单层半导体胶体纳米点的并五苯存储晶体管
- DOI：
- 发表时间：2010
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：K.Kajimoto;T.Minami;K.Uno;I.Tanaka
- 通讯作者：I.Tanaka
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