Electric field induced metallic state in oxide channel field-effect transistors

氧化物沟道场效应晶体管中的电场感应金属态

• 批准号: 20840029
• 负责人: NAKAMURA Hiroyuki
• 金额: $ 2.1万
• 依托单位: Osaka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (Start-up)
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 2009
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20840029/
• 关键词: 表面・界面物性; 誘電体物性; 強相関エレクトロニクス; 超伝導材料・素子; 酸化物界面; トランジスタ; 磁性; 電界効果; 反局在; 金属絶縁体転移; 酸化物; 酸化物エレクトロニクス; 弱局在; スピントロニクス; FET

Strong spin-orbit coupling effects on electrons induced at transition-metal oxide interface have been investigated by using field-effect transistor (FET) structures. Weak antilocalization of electrons was observed in KTaO_3 interface, whose detailed analysis led to the spin precession length of the order of 10 nm. This extremely short spin precession length could be understood in terms of strong spin-orbit coupling probably coming from Ta 5d conduction bands.

利用场效应晶体管（FET）结构研究了过渡金属氧化物界面诱导电子的强自旋轨道耦合效应。在KTaO_3界面上观察到电子的弱反局域化，对其进行了详细分析，发现自旋进动长度约为10 nm。这种极短的自旋进动长度可以用可能来自Ta 5d导带的强自旋-轨道耦合来理解。

项目成果

KTaO3の電界効果

KTaO3 的场效应

• 发表时间: 2009
• 作者: 中村浩之;木村剛
• 通讯作者: 木村剛

KTaO_3界面におけるゲート誘起ラシュバ効果

KTaO_3 界面处的栅致 Rashba 效应

• 发表时间: 2009
• 作者: 岡部博孝;et al.;山下裕貴;田村伸克;糸原啓太;西村英哲;田畑進一郎;中村浩之
• 通讯作者: 中村浩之

KTaO3界面のゲート誘起ラシュバ効果

KTaO3 界面处的栅极诱导 Rashba 效应

• 发表时间: 2009
• 作者: 中村浩之;木村剛;中村浩之
• 通讯作者: 中村浩之

Strong spin-orbit coupling in KTaO3 field-effect transistors

KTaO3 场效应晶体管中的强自旋轨道耦合

• 发表时间: 2009
• 作者: A.Iyo;et al.;木村剛;T.Kimura;H.Nakamura
• 通讯作者: H.Nakamura

Threshold electric fields controlled by surface treatments in KTaO_3 field-effect transistors

KTaO_3场效应晶体管中表面处理控制的阈值电场

• 发表时间: 2010
• 期刊: J.Appl.Phys.
• 作者: H.Nakamura;T.Kimura;et al
• 通讯作者: et al