analytical transmission electron microscopy and image simulation to study the site occupancy and cluster formation in p-and n- doped sic after ion implantation

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Aufbauend auf unseren im Rahmen des SFB 196 über mehr als 6 Jahre gesammelten Erfahrungen zur transmissionselektronenmikroskopischen Charakterisierung von Siliziumkarbid soll im Rahmen des Projektes die Defektbildung nach B-, Al-, Ga- und N-, P- und As-Ionenimplantation in einer hexagonal SiC Matrix untersucht und damit ein Beitrag zur Lösung offener Fragen bei der Bestimmung der Gitterplatzbesetzung und Fremdatomclusterung nach Ionenimplantation vor und nach dem Tempern geliefert werden. Mittels konvergenter Elektronenbeugung zur Bestimmung der Veränderung der Gitterkonstante des SiC nach Ionenimplantation und der ALCHEMI-Methode zur bevorzugten Fremdatomplatzbestimmung soll das implantierte Material allgemein charakterisiert werden. Mit hochauflösender Transmissionselektronenmikroskopie sollen spezielle Fremdatomcluster und die sie umgebenen Spannungsfelder im Detail studiert werden. Die atomar aufgelöste Z-Kontrast-Rastertransmissionelektronenmikroskopie-Methode soll dann zum direkten Nachweis der Fremdatome herangezogen und für geeignete Proben ihr Bindungszustand und ihre elektrische Aktivität durch korrelierte Elektronenenergie-Verlustspektroskopie bestimmt werden. Zur Interpretation der elektronenmikroskopischen Bilder sollen bestehende Simulationsprogramme miteinander verknüpft und mit einem Molekulardynamikprogramm erweitert werden.