analytical transmission electron microscopy and image simulation to study the site occupancy and cluster formation in p-and n- doped sic after ion implantation

Aufbauend auf unseren im车架des SFB 196超级多的als 6四年gesammelten Erfahrungen苏珥transmissionselektronenmikroskopischen Charakterisierung冯Siliziumkarbid soll后im车架des Projektes Defektbildung B -票死,Al - Ga -和N, P -在静脉和As-Ionenimplantation六角SiC矩阵untersucht和该死静脉Beitrag苏珥Losung经常问贝der Bestimmung der Gitterplatzbesetzung和Fremdatomclusterung Ionenimplantation伏尔票和新一轮Tempern geliefert了。Mittels konvergenter Elektronenbeugung zur beestimung der Veränderung der Gitterkonstante des SiC nch离子注入和der alchemi - method zur bevorzugten fremdatomplatzbeestimung solsolas inplante材料的所有特性研究。Mit hochauflösender transmissionselektronenmicroskopie sollen spezielle Fremdatomcluster and die die umgebenen spannungsfeld in Detail studierwerden。Die atomeraufgelöste z - kontrast - rastertransmissionelektronenmicroskopie - method solsoln - dum - directknachweis der frefredatome hergegeogen and fr gegeignete Proben ihrbindungsund und ihre elektrische Aktivität durch korrelierte elektronenergielustspektroskopie beestimestimum werden。[3]解析电子显微学原理，模拟程序，分子动力学程序，分子动力学程序，分子动力学。

Aufbauend auf unseren im Rahmen des SFB 196 über mehr als 6 Jahre gesammelten Erfahrungen zur transmissionselektronenmikroskopischen Charakterisierung von Siliziumkarbid soll im Rahmen des Projektes die Defektbildung nach B-, Al-, Ga- und N-, P- und As-Ionenimplantation in einer hexagonal SiC Matrix untersucht und damit ein Beitrag zur Lösung offener Fragen bei der Bestimmung der Gitterplatzbesetzung und Fremdatomclusterung nach Ionenimplantation vor und nach dem Tempern geliefert werden. Mittels konvergenter Elektronenbeugung zur Bestimmung der Veränderung der Gitterkonstante des SiC nach Ionenimplantation und der ALCHEMI-Methode zur bevorzugten Fremdatomplatzbestimmung soll das implantierte Material allgemein charakterisiert werden. Mit hochauflösender Transmissionselektronenmikroskopie sollen spezielle Fremdatomcluster und die sie umgebenen Spannungsfelder im Detail studiert werden. Die atomar aufgelöste Z-Kontrast-Rastertransmissionelektronenmikroskopie-Methode soll dann zum direkten Nachweis der Fremdatome herangezogen und für geeignete Proben ihr Bindungszustand und ihre elektrische Aktivität durch korrelierte Elektronenenergie-Verlustspektroskopie bestimmt werden. Zur Interpretation der elektronenmikroskopischen Bilder sollen bestehende Simulationsprogramme miteinander verknüpft und mit einem Molekulardynamikprogramm erweitert werden.