analytical transmission electron microscopy and image simulation to study the site occupancy and cluster formation in p-and n- doped sic after ion implantation

分析透射电子显微镜和图像模拟研究离子注入后 p 和 n 掺杂 sic 中的位点占用和团簇形成

• 批准号: 5377491
• 负责人: Professorin Dr. Ute Kaiser
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Festkörperphysik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2002
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2001-12-31 至 2008-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5377491?language=en
• 关键词: analytical; transmission; electron; microscopy; image

Aufbauend auf unseren im Rahmen des SFB 196 über mehr als 6 Jahre gesammelten Erfahrungen zur transmissionselektronenmikroskopischen Charakterisierung von Siliziumkarbid soll im Rahmen des Projektes die Defektbildung nach B-, Al-, Ga- und N-, P- und As-Ionenimplantation in einer hexagonal SiC Matrix untersucht und damit ein Beitrag zur Lösung offener Fragen bei der Bestimmung der Gitterplatzbesetzung und Fremdatomclusterung nach Ionenimplantation vor und nach dem Tempern geliefert werden. Mittels konvergenter Elektronenbeugung zur Bestimmung der Veränderung der Gitterkonstante des SiC nach Ionenimplantation und der ALCHEMI-Methode zur bevorzugten Fremdatomplatzbestimmung soll das implantierte Material allgemein charakterisiert werden. Mit hochauflösender Transmissionselektronenmikroskopie sollen spezielle Fremdatomcluster und die sie umgebenen Spannungsfelder im Detail studiert werden. Die atomar aufgelöste Z-Kontrast-Rastertransmissionelektronenmikroskopie-Methode soll dann zum direkten Nachweis der Fremdatome herangezogen und für geeignete Proben ihr Bindungszustand und ihre elektrische Aktivität durch korrelierte Elektronenenergie-Verlustspektroskopie bestimmt werden. Zur Interpretation der elektronenmikroskopischen Bilder sollen bestehende Simulationsprogramme miteinander verknüpft und mit einem Molekulardynamikprogramm erweitert werden.

在SFB 196的基础上进行了梅尔6年多的研究，以确定在B-、Al-、Ga-和N-的基础上，P-和As-六角SiC基体中的离子注入在离子注入前的测量和测量中对材料的损伤在温度升高的韦尔登。本文介绍了离子注入SiC陶瓷的电子学性能测试方法和用于测试具有韦尔登特性的注入材料的化学方法。Mit hochauflösender Transmissionselektronenmikroskopie sollen spezielle Fremdatomcluster and die sie umgebenen Spannungsfelder im Detail studiert韦尔登. Die atomar aufgelöste Z-Contrast-Rastertransmissionelektronenmikroskopie-Method soll dann zum direkten Nachweis der Fremdatome herangezogen und für geeignete Proben ihr Bindungszustand ihre elektrische Aktivität durch korrelierte Elektronenergie-Verlustspektroskopie bestimmt韦尔登.对电子显微镜图像的解释必须用模拟程序来解释，并用一个分子动力学程序来解释韦尔登。