22nmhp以降の極端紫外線露光用レジストの開発と干渉露光系による露光特性評価

22nmhp以上极紫外线抗蚀剂的开发及干涉曝光系统的曝光特性评价

• 批准号: 09J09422
• 负责人: 福島 靖之
• 金额: $ 1.28万
• 依托单位: University of Hyogo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for JSPS Fellows
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2010
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-09J09422/
• 关键词: 極端紫外線リソグラフィ; レジスト; 2光束干渉露光; 透過型回折格子; センターストップ; 干渉露光

極端紫外線リソグラフィ(EUVL)は2013年以降におけるハーフピッチ(hp)22nm世代の半導体量産加工技術として採用される。EUVL用レジスト開発は最重要課題の1つであり、実露光機の完成よりも早い段階でのEUV光を用いたレジスト評価、開発が必要とされている。そこでレジスト材料の評価装置として20nm以下の極微細なパタン形成可能なEUV2光束干渉露光装置をNewSUBARU放射光施設のアンジュレータービームラインに構築した。そして2光束干渉露光のキーコンポーネントとなる透過型回折格子の製作において、透過型回折格子の2窓の間からの透過光がパタン転写への妨げになるため、この透過光を遮るためにセンターストップと呼ばれる2μmのレジストを2窓間に形成した。このときの干渉フリンジの光コントラストは0.9999となり、正確なレジスト材料評価が可能となる。またレジストパタンのコントラストへの影響が懸念される露光ステージの振動軽減のため、ステージの剛性を高めることで、数十nmオーダーから数nmオーダーへの振動軽減に成功した。そして、これまでhp20nm以下のパタン形成が不可能であったが、これらの対策を進め、さらに非化学増幅系ネガ型無機レジストを使用することでhp17.5nmのパタン形成に成功した。この結果を機に、EUV2光束干渉露光装置がレジスト・材料メーカにとって、次世代・次々世代向けのレジスト評価装置となることが期待される。

Extreme Ultraviolet Light (EUVL)22nm generation semiconductor mass production process technology adopted since 2013 The most important issue of EUVL application development is the evaluation and development of the EUV optical system. The evaluation device of the material and the construction of the fine particle below 20nm can form the EUV2 beam dry light exposure device. 2. The transmission of light between the transmission type folding lattices and the transmission type folding lattices. The correct material evaluation is possible. The influence of the vibration of the light source on the vibration of the light source is reduced. The vibration of the light source is reduced. The vibration of the light source is reduced. It is impossible to form a particle below hp20nm. It is possible to develop a particle below hp 17.5 nm. It is possible to form a particle below hp 17.5 nm. The result is that the EUV2 beam exposure device is expected to be used in the next generation and the next generation.

项目成果

Development of Extreme Ultraviolet Interference Lithography System

极紫外干涉光刻系统的研制

• 发表时间: 2010
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics 49
• 作者: 川田和正;他;K.Kawata for the Tibet AS_γ collaboration;Yasuyuki Fukushima;Yasuyuki Fukushima;Yasuyuki Fukushima
• 通讯作者: Yasuyuki Fukushima

極端紫外線露光によるレジストパタン形成

通过极紫外线照射形成抗蚀图案

• 发表时间: 2010
• 作者: 川田和正;他;K.Kawata for the Tibet AS_γ collaboration;Yasuyuki Fukushima;Yasuyuki Fukushima;Yasuyuki Fukushima;Yasuyuki Fukushima;Yasuyuki Fukushima;Yasuyuki Fukushima;福島靖之
• 通讯作者: 福島靖之

EUV Interference Lithography for 22 nm Node and Below

适用于 22 nm 节点及以下节点的 EUV 干涉光刻

• 发表时间: 2010
• 期刊: Journal of Photopolymer Science and Technology
• 影响因子: 0.8
• 作者: 川田和正;他;K.Kawata for the Tibet AS_γ collaboration;Yasuyuki Fukushima;Yasuyuki Fukushima
• 通讯作者: Yasuyuki Fukushima

Development of interference lithography for 22 nm node and below

• DOI: 10.1016/j.mee.2011.02.076
• 发表时间: 2011-08-01
• 期刊: MICROELECTRONIC ENGINEERING
• 影响因子: 2.3
• 作者: Fukushima, Yasuyuki;Yamaguchi, Yuya;Kinoshita, Hiroo
• 通讯作者: Kinoshita, Hiroo

Resist Evaluation by EUV Interference Lithography for 22 am Node and Below

上午 22 点及以下节点的 EUV 干涉光刻抗蚀剂评估

• 发表时间: 2010
• 作者: 川田和正;他;K.Kawata for the Tibet AS_γ collaboration;Yasuyuki Fukushima;Yasuyuki Fukushima;Yasuyuki Fukushima;Yasuyuki Fukushima;Yasuyuki Fukushima
• 通讯作者: Yasuyuki Fukushima