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Development of unexplored frequency range on THz-quantum cascade lasers using Nitride semiconductors

使用氮化物半导体开发太赫兹量子级联激光器的未探索频率范围

基本信息

批准号：
22760258
负责人：
TERASHIMA Wataru
金额：
$ 2.66万
依托单位：
The Institute of Physical and Chemical Research
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2010
资助国家：
日本
起止时间：
2010 至 2011
项目状态：
已结题

项目摘要

We studied on terahertz quantum cascade lasers(THz-QCLs) using III-Nitride semiconductors, for the realization of the unexplored frequency range 5-12 THz on THz-QCLs. In this study, we fabricated GaN/AlGaN based QCL structures using a droplet elimination by thermal annealing(DETA) technique, and analyzed the structural and electroluminescence properties. We found that DETA is a useful technique which makes it possible not only to increase the number of periods in the QC structure, but also to improve the structural properties of the QC structure. Further, we successfully for the first time observed spontaneous electroluminescence due to intersubband transition with peaks at frequencies from 1.4 to 2.8 THz on the THz-QCL structure fabricated with using the DETA technique.

为了在太赫兹量子级联激光器（THz- qcl）上实现未开发的5-12太赫兹频率范围，我们研究了使用iii -氮化物半导体的太赫兹量子级联激光器（THz- qcl）。在本研究中，我们采用热退火（DETA）技术制备了GaN/AlGaN基QCL结构，并分析了其结构和电致发光性能。我们发现DETA是一种有用的技术，它不仅可以增加QC结构的周期数，而且可以改善QC结构的结构性能。此外，我们首次成功地在使用DETA技术制作的太赫兹qcl结构上观察到由于子带间跃迁而产生的自发电致发光，其峰值在1.4到2.8太赫兹之间。

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Molecular beam epitaxy growth of GaN/AlGaN quantum cascade structure using droplets elimination by thermal annealing technique

利用热退火技术消除液滴的 GaN/AlGaN 量子级联结构的分子束外延生长

DOI：
发表时间：
2011
期刊：
Phys. Status Solidi A
影响因子：
0
作者：
Hisao Ishii;W. Terashima and H. Hirayama
通讯作者：
W. Terashima and H. Hirayama

First Observation of Spontaneous Emission on Injection Current from GaN/AlGaN Terahertz-Quantum Cascade Laser

首次观察 GaN/AlGaN 太赫兹量子级联激光器注入电流自发发射

DOI：
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
0
作者：
横田祥;国井勝;瀬古弘;山下剛;梶弘典;福原学・今井真美・楊成・森直・井上佳久;W. Terashima and H. Hirayama
通讯作者：
W. Terashima and H. Hirayama

GaN系THz-QCLからの電流注入による自然放出光の観測

通过电流注入 GaN 基 THz-QCL 观察自发发射

DOI：
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
0
作者：
寺嶋亘;平山秀樹
通讯作者：
平山秀樹

Terahertz electroluminescence from intersubband levels in quantum cascade laser based on III-Nitride semiconductors

基于 III 族氮化物半导体的量子级联激光器中子带间能级的太赫兹电致发光

DOI：
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
0
作者：
Takuya Tanaka;Tatsuhiro Nogami;Masayoshi Okubo;梶弘典;今井真美・福原学・楊成・森直・井上佳久;D. Miyoshi and N. Sugimoto;菊池裕嗣;W. Terashima and H. Hirayama
通讯作者：
W. Terashima and H. Hirayama

Spontaneous Emission from GaN/AlGaN based Terahertz Quantum Cascade Laser Structure grown on GaN Substrate

GaN 衬底上生长的 GaN/AlGaN 太赫兹量子级联激光器结构的自发发射

DOI：
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
0
作者：
S. Tanabe;Y. Sekine;H. Kageshima;and H. Hibino;大塚道子，国井勝，瀬古弘，下地和希，林昌弘;W. Terashima and H. Hirayama
通讯作者：
W. Terashima and H. Hirayama