Preparation of metal free silicon clathrates and the application to thermoelectric conversion materials

无金属硅包合物的制备及其在热电转换材料中的应用

• 批准号: 23560377
• 负责人: HABUCHI Hitoe
• 金额: $ 3.49万
• 依托单位: Gifu National College of Technology (2011, 2013-2014)Toyota National College of Technology (2012)
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2011-04-28 至 2015-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23560377/
• 关键词: シリコンクラスレート; イオン注入; 熱電変換材料; 薄膜

项目成果

キセノンイオンを注入したシリコンのアニールによる構造変化 II

注入氙离子的硅退火引起的结构变化 II

• 发表时间: 2015
• 作者: 北川 淳嗣;藤田 詩織;羽渕 仁恵;飯田 民夫;大橋 史隆;伴 隆幸;久米 徹二;野々村 修一
• 通讯作者: 野々村 修一

キセノンイオンを注入したシリコンのアニールによる構造変化

注入氙离子的硅退火导致结构变化

• 发表时间: 2014
• 作者: Masaki Isai;Ikuta Nakamura;Yuki Hieda;Fumiya Fukazawa;and Yoichi Hoshi;羽渕仁恵，藤田詩織，飯田民夫，大橋史隆，伴隆幸，久米徹二，野々村修一
• 通讯作者: 羽渕仁恵，藤田詩織，飯田民夫，大橋史隆，伴隆幸，久米徹二，野々村修一

希ガス混合Si薄膜における酸素の低減化

稀有气体混合硅薄膜中的氧还原

• 发表时间: 2012
• 作者: Kazunari Shinbo;Hiroshi Ishikawa;Akira Baba;Yasuo Ohdaira;Keizo Kato;and Futao Kaneko;奥村竜二，羽渕仁恵，飯田民夫，大橋史隆，伴 隆幸，久米徹二，野々村修一
• 通讯作者: 奥村竜二，羽渕仁恵，飯田民夫，大橋史隆，伴 隆幸，久米徹二，野々村修一

SiおよびGeの希ガス混合薄膜の合成とそのクラスレート化

Si、Ge稀有气体混合物薄膜的合成及其笼形物的形成

• 发表时间: 2012
• 作者: Kazunari SHINBO;Makoto IWASAKI;Yasuo OHDAIRA;Akira BABA;Keizo KATO;Futao KANEKO;奥村竜二，羽渕仁恵，生田智隆，飯田民夫，大橋史隆，伴 隆幸，久米徹二，野々村修一
• 通讯作者: 奥村竜二，羽渕仁恵，生田智隆，飯田民夫，大橋史隆，伴 隆幸，久米徹二，野々村修一

希ガス混合Si薄膜における酸素の低減化II

稀有气体混合硅薄膜中的氧还原 II

• 发表时间: 2012
• 作者: Yutaka Sawada1,a;Hayato Ohkubo1;Fig8 Changes in effective refractive index of the films at 633 nm due to incidence angle. Yoshiyuki Seki1;Keh-moh Lin2,b;Kazuyuki Sano1;Shigeyuki Seki3,c;Takayuki Uchida1 and Yoichi Hoshi;奥村竜二，羽渕仁恵，飯田民夫，大橋史隆，伴 隆幸，久米徹二，野々村修一
• 通讯作者: 奥村竜二，羽渕仁恵，飯田民夫，大橋史隆，伴 隆幸，久米徹二，野々村修一