Acid Proliferation to Improve the Sensitivity of EUV Resists

酸扩散可提高 EUV 光刻胶的灵敏度

基本信息

  • 批准号:
    23760698
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.41万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
  • 财政年份:
    2011
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2011 至 2012
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

Rate constants for the reaction of the electrons with triphenylsulfoniumtriflate (TPS-Tf) and pinanediol monosulfonates, which consist of tosylate (PiTs) or 4-trifluoromethylbenzenesulfonate (Pi3F), have been measured using pulse radiolysis in liquid tetrahydrofuran to evaluate the kinetic contribution to acid production for extreme ultraviolet (EUV) chemically amplified resists. The long-lived Pi3F・-radical anion efficiently undergoes the electron transfer to TPS-Tf with the rate constant of 6.3 × 10^10M^<-1>s^<-1> to form TPS-Tf・-, which subsequently decomposes to generate TfOH. The novel acid production pathway via the electron transfer from pinanediol monosulfonate radical anions to TPS-Tf is presented.
用脉冲辐解法在四氢呋喃液体中测定了电子与三苯基磺酸盐(TPS-TF)和由对甲苯磺酸盐(PITS)或4-三氟甲基苯磺酸(Pi3F)组成的Pinandiol单磺酸盐的反应速率常数,以评价极紫外光(EUV)化学放大抗蚀剂的产酸动力学贡献。长寿命的Pi3F·-阴离子有效地将电子转移到TPS-Tf,其速率常数为6.3×10^10m^&lt;-1&gt;S^&lt;-1&gt;生成Tps-Tf·-,再分解生成TfOH。提出了一种新的产酸途径,该途径是通过电子转移途径从单磺酸衍生物阴离子转移到TPS-Tf上。

项目成果

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专利数量(0)
EUVレジスト用ピナンジオール型酸増殖剤のパルスラジオリシス
用于 EUV 抗蚀剂的蒎二醇型酸放大器的脉冲辐射分解
  • DOI:
  • 发表时间:
    2011
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    榎本 一之;有光 晃二;吉澤 篤太郎;山本 洋揮;大島 明博;古澤 孝弘;田川 精一
  • 通讯作者:
    田川 精一
Study on Decomposition Mechanisms of High-Sensitivity Chlorinated Resist ZEP520A
高感度氯化光刻胶ZEP520A分解机理研究
  • DOI:
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    2.3
  • 作者:
    Tomoko Gowa Oyama;Kazuyuki Enomoto;Yuji Hosaka;Akihiro Oshima;Masakazu Washio;and Seiichi Tagawa
  • 通讯作者:
    and Seiichi Tagawa
EUV レジスト用酸増殖剤のパルスラジオリシス
EUV抗蚀剂酸倍增剂的脉冲辐射分解
  • DOI:
  • 发表时间:
    2011
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    榎本 一之;有光 晃二;吉澤 篤太郎;山本洋揮;大島 明博;古澤 孝弘;田川 精一
  • 通讯作者:
    田川 精一
Electron-Beam-Induced Decomposition Mechanisms of High-Sensitivity Chlorinated Resist ZEP520A
高灵敏度氯化光刻胶ZEP520A的电子束诱导分解机制
  • DOI:
    10.1143/apex.5.036501
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    2.3
  • 作者:
    Tomoko Gowa Oyama;et al
  • 通讯作者:
    et al
Acid Generation Mechanism for Extreme Ultraviolet Resists Containing Pinanediol Monosulfonate Acid Amplifiers: A Pulse Radiolysis Study
含有蒎二醇单磺酸酸放大器的极紫外光刻胶的产酸机制:脉冲辐射分解研究
  • DOI:
    10.1143/jjap.51.046502
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    K. Enomoto;K. Arimitsu;A. Yoshizawa;R. Joshi;H. Yamamoto;A. Oshima;T. Kozawa;S. Tagawa
  • 通讯作者:
    S. Tagawa
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

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    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)

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    $ 2.41万
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{{ showInfoDetail.title }}

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