Control of insulator/InAlN interface using high-temperature annealed Al2O3 ultrathin layer and its application

高温退火Al2O3超薄层控制绝缘体/InAlN界面及其应用

• 批准号: 15K04672
• 负责人: Akazawa Masamichi
• 金额: $ 3.16万
• 依托单位: Hokkaido University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2015
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2015-04-01 至 2018-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-15K04672/
• 关键词: 窒化インジウムアルミニウム; MOS; MIS; 二酸化シリコン; InAlN; SiO2; 界面制御; アルミナ; MOS構造

项目成果

プラズマ酸化層を挿入したSiO2/InAlN界面の特性

插入等离子体氧化层的SiO2/InAlN界面特性

• 发表时间: 2016
• 作者: 清野 惇;横田 直茂;赤澤 正道
• 通讯作者: 赤澤 正道

プラズマCVD SiO2/InAlN界面へのAl2O3超薄膜層挿入の効果

等离子体 CVD 在 SiO2/InAlN 界面插入超薄 Al2O3 层的效果

• 发表时间: 2016
• 作者: 清野 惇;横田 直茂;赤澤 正道;清野 惇，長谷崎泰斗，横田直茂，赤澤 正道
• 通讯作者: 清野 惇，長谷崎泰斗，横田直茂，赤澤 正道

プラズマ酸化膜介在層を有するSiO2/InAlN界面の特性

具有等离子体氧化物介入层的SiO2/InAlN界面特性

• 发表时间: 2018
• 作者: M. Matys;B. Adamowicz;A. Domanowska;A. Michalewicz;R. Stoklas;M. Akazawa;Z. Yatabe;and T. Hashizume;北嶋翔平，赤澤正道
• 通讯作者: 北嶋翔平，赤澤正道

Al2O3超薄膜層を挿入したSiO2/InAlN界面の特性―Al2O3膜厚依存性―

插入超薄 Al2O3 层的 SiO2/InAlN 界面特性 - Al2O3 膜厚依赖性 -

• 发表时间: 2017
• 作者: 清野 惇;赤澤 正道
• 通讯作者: 赤澤 正道

プラズマCVDにより形成されたSiO2/InAlN界面の評価

等离子CVD形成的SiO2/InAlN界面的评价

• 发表时间: 2015
• 作者: M. Matys;B. Adamowicz;R. Stoklas;M. Akazawa;Z. Yatabe;and T. Hashizume;清野 惇，赤澤 正道
• 通讯作者: 清野 惇，赤澤 正道