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Control of insulator/InAlN interface using high-temperature annealed Al2O3 ultrathin layer and its application

Control of insulator/InAlN interface using high-temperature annealed Al2O3 ultrathin layer and its application
高温退火Al2O3超薄层控制绝缘体/InAlN界面及其应用
批准号：
15K04672
负责人：
Akazawa Masamichi
金额：
$3.16万
依托单位：
Hokkaido University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2018-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-15K04672/
关键词：
窒化インジウムアルミニウムMOSMIS二酸化シリコンInAlNSiO2界面制御アルミナMOS構造

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プラズマ酸化層を挿入したSiO2/InAlN界面の特性
插入等离子体氧化层的SiO2/InAlN界面特性
DOI： --
发表时间： 2016
期刊：
影响因子： --
作者： [清野 惇, 横田 直茂, 赤澤 正道]
通讯作者： 赤澤 正道
プラズマCVD SiO2/InAlN界面へのAl2O3超薄膜層挿入の効果
等离子体 CVD 在 SiO2/InAlN 界面插入超薄 Al2O3 层的效果
DOI： --
发表时间： 2016
期刊：
影响因子： --
作者： [清野 惇, 横田 直茂, 赤澤 正道, 清野 惇，長谷崎泰斗，横田直茂，赤澤 正道]
通讯作者： 清野 惇，長谷崎泰斗，横田直茂，赤澤 正道
プラズマ酸化膜介在層を有するSiO2/InAlN界面の特性
具有等离子体氧化物介入层的SiO2/InAlN界面特性
DOI： --
发表时间： 2018
期刊：
影响因子： --
作者： [M. Matys, B. Adamowicz, A. Domanowska, A. Michalewicz, R. Stoklas, M. Akazawa, Z. Yatabe, and T. Hashizume, 北嶋翔平，赤澤正道]
通讯作者： 北嶋翔平，赤澤正道
Al2O3超薄膜層を挿入したSiO2/InAlN界面の特性―Al2O3膜厚依存性―
插入超薄 Al2O3 层的 SiO2/InAlN 界面特性 - Al2O3 膜厚依赖性 -
DOI： --
发表时间： 2017
期刊：
影响因子： --
作者： [清野 惇, 赤澤 正道]
通讯作者： 赤澤 正道
共 13 条
    国内基金
    海外基金
    基于霍尔解耦的二维MoS₂相梯度湿气发电电子-离子协同输运研究
    • 批准号：
      2026JJ50113
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2026
    • 负责人：
      黄晖辉
    • 依托单位：
      湖南大学
    光辅助Li-CO2电池中MoS2催化剂性能调控及机理研究
    • 批准号：
      2026JJ90008
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2026
    • 负责人：
      赵亭亭
    • 依托单位：
      长沙理工大学
    基于MoS2欧姆接触强化锂硫电池双向电催化转化机制的研究
    • 批准号：
      JCZRQNB202600380
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2026
    • 负责人：
    • 依托单位：
      湖北第二师范学院
    (BiₓIn₁₋ₓ)₂Se₃ NW/MoS₂异质结构二阶非线性光学响应调控和机理研究
    • 批准号：
      2026JJ50115
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2026
    • 负责人：
      陈智慧
    • 依托单位：
      中南大学