development of control technique for behavior of ionic liquid molecules at graphene/SiC surface and interface
development of control technique for behavior of ionic liquid molecules at graphene/SiC surface and interface
批准号:
16K04939
负责人:
IKARI Tomonori
金额:
$3.08万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份:
2016
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2016-04-01 至 2019-03-31
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SiC(3×3)表面における酸素とCs吸着に関する研究
SiC(3×3)表面氧和Cs吸附研究
DOI:
--
发表时间:
2018
期刊:
影响因子:
--
作者:
[田中晶貴,飯田涼,平山楓,Visikovskiy Anton,田中悟,内藤正路,碇智徳]
通讯作者:
田中晶貴,飯田涼,平山楓,Visikovskiy Anton,田中悟,内藤正路,碇智徳
Initial oxidation process of the alkali metals adsorbed 4H-SiC surface studied by metastable atom induced electron spectroscopy
亚稳态原子诱导电子能谱研究4H-SiC表面吸附碱金属的初始氧化过程
DOI:
--
发表时间:
2018
期刊:
影响因子:
--
作者:
[R. Iida, M. Tanaka, K. Hirayama, K. Muraoka, S. Kuroki, S. Tanaka, M. Naitoh, T. Ikari]
通讯作者:
T. Ikari
MIESによる異種原子吸着したSiC再構成表面上の電子状態観測
使用 MIES 观察吸附不同原子的重构 SiC 表面的电子态
DOI:
--
发表时间:
2019
期刊:
影响因子:
--
作者:
[高橋大, 鈴木皓己, 玄光龍, 小林聡, 太子敏則, 碇智徳]
通讯作者:
碇智徳
準安定原子誘起電子分光法によるO/Cs/SiC(3×3)表面の電子状態測定
亚稳态原子诱导电子能谱测量O/Cs/SiC(3×3)表面电子态
DOI:
--
发表时间:
2019
期刊:
影响因子:
--
作者:
[鈴木皓己, 太子敏則, 田中晶貴,飯田涼,柏谷拓実,渡邉拓斗,平山楓,田中悟,内藤正路,碇智徳]
通讯作者:
田中晶貴,飯田涼,柏谷拓実,渡邉拓斗,平山楓,田中悟,内藤正路,碇智徳
MIESによる酸素吸着したCs/6H-SiC(0001)表面の電子状態観測
MIES观察氧吸附Cs/6H-SiC(0001)表面电子态
DOI:
--
发表时间:
2017
期刊:
影响因子:
--
作者:
[田中晶貴,飯田涼,平山楓,Visikovskiy Anton,田中悟,内藤正路,碇智徳, 中村拓人,平山楓,村岡幸輔,石井純子,黒木伸一郎,田中悟,内藤正路,碇智徳]
通讯作者:
中村拓人,平山楓,村岡幸輔,石井純子,黒木伸一郎,田中悟,内藤正路,碇智徳
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