development of control technique for behavior of ionic liquid molecules at graphene/SiC surface and interface

石墨烯/SiC表面和界面离子液体分子行为控制技术的发展

• 批准号: 16K04939
• 负责人: IKARI Tomonori
• 金额: $ 3.08万
• 依托单位: Ube National College of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2016
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2016-04-01 至 2019-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-16K04939/
• 关键词: 表面・界面物性; グラフェン; SiC; 準安定原子誘起電子分光法; イオン液体; 超薄膜

项目成果

SiC(3×3)表面における酸素とCs吸着に関する研究

SiC(3×3)表面氧和Cs吸附研究

• 发表时间: 2018
• 作者: 田中晶貴，飯田涼，平山楓，Visikovskiy Anton，田中悟，内藤正路，碇智徳

Initial oxidation process of the alkali metals adsorbed 4H-SiC surface studied by metastable atom induced electron spectroscopy

亚稳态原子诱导电子能谱研究4H-SiC表面吸附碱金属的初始氧化过程

• 发表时间: 2018
• 作者: R. Iida;M. Tanaka;K. Hirayama;K. Muraoka;S. Kuroki;S. Tanaka;M. Naitoh;T. Ikari
• 通讯作者: T. Ikari

MIESによる異種原子吸着したSiC再構成表面上の電子状態観測

使用 MIES 观察吸附不同原子的重构 SiC 表面的电子态

• 发表时间: 2019
• 作者: 高橋大;鈴木皓己;玄光龍;小林聡;太子敏則;碇智徳
• 通讯作者: 碇智徳

準安定原子誘起電子分光法によるO/Cs/SiC(3×3)表面の電子状態測定

亚稳态原子诱导电子能谱测量O/Cs/SiC(3×3)表面电子态

• 发表时间: 2019
• 作者: 鈴木皓己;太子敏則;田中晶貴，飯田涼，柏谷拓実，渡邉拓斗，平山楓，田中悟，内藤正路，碇智徳
• 通讯作者: 田中晶貴，飯田涼，柏谷拓実，渡邉拓斗，平山楓，田中悟，内藤正路，碇智徳

MIESによる酸素吸着したCs/6H-SiC(0001)表面の電子状態観測

MIES观察氧吸附Cs/6H-SiC(0001)表面电子态

• 发表时间: 2017
• 作者: 田中晶貴，飯田涼，平山楓，Visikovskiy Anton，田中悟，内藤正路，碇智徳;中村拓人，平山楓，村岡幸輔，石井純子，黒木伸一郎，田中悟，内藤正路，碇智徳
• 通讯作者: 中村拓人，平山楓，村岡幸輔，石井純子，黒木伸一郎，田中悟，内藤正路，碇智徳