Study of ion induced charge collection process in SiC MOSFETs
Study of ion induced charge collection process in SiC MOSFETs
SiC MOSFET 中离子感应电荷收集过程的研究
批准号：
17K05111
负责人：
MAKINO Takahiro
金额：
$3.0万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-04-01 至 2020-03-31
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Gate Structure Dependence of Charge Collection and Single Event Burnout Tolerance for SiC MOSFETs
SiC MOSFET 的电荷收集和单粒子烧毁容限的栅极结构依赖性
SiC MOSFET 的电荷收集和单粒子烧毁容限的栅极结构依赖性
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T. Makino, S. Takano, S. Harada, Y. Hijikata, and T. Ohshima]
通讯作者：
and T. Ohshima
トレンチゲート型SiC-MOSFETにおける放射線誘起破壊現象の物理過程探索と耐性評価
沟槽栅极 SiC-MOSFET 辐射诱导击穿现象的物理过程探索和电阻评估
沟槽栅极 SiC-MOSFET 辐射诱导击穿现象的物理过程探索和电阻评估
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[O. Ueda N. Ikenaga, K. Koshi, K. Iizuka, A. Kuramata, K. Hanada, T. Moribayashi, S. Yamakoshi, and M. Kasu, Hirohisa Hirai and Koji Kita, 清水大, 高野 修平，牧野 高紘，原田 信介，土方 泰斗，大島 武]
通讯作者：
高野 修平，牧野 高紘，原田 信介，土方 泰斗，大島 武
量産SiC-MOSFETにおける超高エネルギーイオン誘起破壊耐性の評価
量产SiC-MOSFET的超高能离子诱导击穿电阻评估
量产SiC-MOSFET的超高能离子诱导击穿电阻评估
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Widianto Muhammad Yusuf Hakim, Saito Mineo, 牧野 高紘]
通讯作者：
牧野 高紘
SiCパワーMOSFETにおける重イオン誘起電荷収集のデバイス構造依存性
SiC 功率 MOSFET 中重离子感应电荷收集的器件结构依赖性
SiC 功率 MOSFET 中重离子感应电荷收集的器件结构依赖性
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[高野修平, 牧野 高紘, 原田 信介, 児島 一聡, 土方 泰斗, 大島 武]
通讯作者：
大島 武
Estimation of Single Event Transient Pulses in Logic Cells from a Single Transistor
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批准号：22760055
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额：$2.58万
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财政年份：2010
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负责人：MAKINO Takahiro
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依托单位：
海外基金