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Effect of Surface Potential on Piezoresistivity for Semi-conductive Nanowires

Effect of Surface Potential on Piezoresistivity for Semi-conductive Nanowires
表面电位对半导体纳米线压阻率的影响
批准号：
18H01335
负责人：
Isono Yoshitada
金额：
$11.32万
依托单位：
Kobe University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2018-04-01 至 2021-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-18H01335/
关键词：
MEMSSiCNanowireField effect transistor表面電位半導体ナノ細線弾性歪み半導体ナノワイヤピエゾ抵抗効果

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Anomalous Piezoresistive Changes of Core-Shell Structured SIC Nanowires
DOI： 10.1109/mems51782.2021.9375210
发表时间： 2021-01
期刊： 2021 IEEE 34th International Conference on Micro Electro Mechanical Systems (MEMS)
影响因子： --
作者： [A. Uesugi;S. Nakata;Kodai Inoyama;K. Sugano;Y. Isono]
通讯作者： A. Uesugi;S. Nakata;Kodai Inoyama;K. Sugano;Y. Isono
ウィーン工科大学(オーストリア)
维也纳科技大学（奥地利）
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
MEMS-based strain engineering for epitaxial grown semiconductive nanowires
基于 MEMS 的外延生长半导体纳米线应变工程
DOI： --
发表时间： 2020
期刊：
影响因子： --
作者： [Akio Uesugi, Shinya Nakata, Kodai Inoyama, Koji Sugano, and Yoshitada Isono, Yoshitada Isono]
通讯作者： Yoshitada Isono
コアシェルSiC ナノワイヤの電気伝導性に及ぼすシェル表面電位の影響
壳表面电位对核壳SiC纳米线电导率的影响
DOI： --
发表时间： 2019
期刊：
影响因子： --
作者： [Akio Uesugi, Shinya Nakata, Kodai Inoyama, Koji Sugano, and Yoshitada Isono, Yoshitada Isono, 井ノ山 滉大，仲田 進哉，上杉 晃生，菅野 公二，磯野 吉正]
通讯作者： 井ノ山 滉大，仲田 進哉，上杉 晃生，菅野 公二，磯野 吉正
共 6 条
    Enhancement of thermoelectric property of core-shell SiNWs
    • 批准号：
      18K19005
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
    • 资助金额：
      $3.99万
    • 财政年份：
      2018
    • 负责人：
      Isono Yoshitada
    • 依托单位：
      Kobe University
    Development of Tiny Tactile Sensor for Medical Tools by Punch Creep Forming of Si Thin Film
    • 批准号：
      16K14135
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.33万
    • 财政年份：
      2016
    • 负责人：
      Isono Yoshitada
    • 依托单位：
      Kobe University
    Evaluation of Piezoresistivity for Semi-conductive Nanowires by MEMS-based Strain Engineering
    • 批准号：
      15H03893
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $10.9万
    • 财政年份：
      2015
    • 负责人：
      Isono Yoshitada
    • 依托单位：
      Kobe University
    国内基金
    海外基金
    高可靠性低损耗 Si IGBT+SiC JFET 串联混合管研究
    • 批准号：
      2026JJ80072
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2026
    • 负责人：
      曾荣周
    • 依托单位：
      湖南工业大学
    空间辐射环境下沟槽型SiC MOSFET器件栅氧长期可靠性研究
    • 批准号：
      2026JJ60454
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2026
    • 负责人：
      桂庆忠
    • 依托单位：
      湖南大学
    多芯片SiC并联高铁牵引变流器的软开关与动态均流协同控制研究
    基于REO/SiC界面调控的纳米复合强化自洁玻璃技术开发
    • 批准号：
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2026
    • 负责人：
      黄兴才
    • 依托单位：
      盐城师范学院