刷新
{{item.name}}会员
Effect of Surface Potential on Piezoresistivity for Semi-conductive Nanowires
表面电位对半导体纳米线压阻率的影响
基本信息
- 批准号：18H01335
- 负责人：
- 金额：$ 11.32万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2018
- 资助国家：日本
- 起止时间：2018-04-01 至 2021-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Anomalous Piezoresistive Changes of Core-Shell Structured SIC Nanowires
- DOI：10.1109/mems51782.2021.9375210
- 发表时间：2021-01
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：A. Uesugi;S. Nakata;Kodai Inoyama;K. Sugano;Y. Isono
- 通讯作者：A. Uesugi;S. Nakata;Kodai Inoyama;K. Sugano;Y. Isono
MEMS-based strain engineering for epitaxial grown semiconductive nanowires
基于 MEMS 的外延生长半导体纳米线应变工程
- DOI：
- 发表时间：2020
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Akio Uesugi;Shinya Nakata;Kodai Inoyama;Koji Sugano;and Yoshitada Isono;Yoshitada Isono
- 通讯作者：Yoshitada Isono
コアシェルSiC ナノワイヤの電気伝導性に及ぼすシェル表面電位の影響
壳表面电位对核壳SiC纳米线电导率的影响
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Akio Uesugi;Shinya Nakata;Kodai Inoyama;Koji Sugano;and Yoshitada Isono;Yoshitada Isono;井ノ山 滉大，仲田 進哉，上杉 晃生，菅野 公二，磯野 吉正
- 通讯作者：井ノ山 滉大，仲田 進哉，上杉 晃生，菅野 公二，磯野 吉正
Strain engineering of core-shell silicon carbide nanowires for mechanical and piezoresistive characterizations
用于机械和压阻表征的核壳碳化硅纳米线的应变工程
- DOI：10.1088/1361-6528/ab0d5d
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：3.5
- 作者：Shinya Nakata;Akio Uesugi ;Koji Sugano;Francesca Rossi;Giancarlo Salviati;Alois Lugstein and Yoshitada Isono
- 通讯作者：Alois Lugstein and Yoshitada Isono
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
Isono Yoshitada其他文献
神経細胞内シナプス小胞群の光捕捉 過程 における 神経活動パターン解析
神经元内突触小泡群光捕获过程中的神经活动模式分析
- DOI：
- 发表时间：
2023 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Uesugi Akio;Horita Taiju;Sugano Koji;Isono Yoshitada;安田健人，箕嶋渉，増井恭子，細川千絵 - 通讯作者：
安田健人，箕嶋渉，増井恭子，細川千絵
Vapor-liquid-solid growth of silicon nanowires from surface nanoholes formed with metal-assisted chemical etching
从金属辅助化学蚀刻形成的表面纳米孔中气-液-固生长硅纳米线
- DOI：
10.35848/1347-4065/abf22d - 发表时间：
2021 - 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：
Uesugi Akio;Horita Taiju;Sugano Koji;Isono Yoshitada - 通讯作者：
Isono Yoshitada
Isono Yoshitada的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
{{ truncateString('Isono Yoshitada', 18)}}的其他基金
Enhancement of thermoelectric property of core-shell SiNWs
核壳SiNW热电性能的增强
- 批准号：
18K19005 - 财政年份：2018
- 资助金额：
$ 11.32万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
Development of Tiny Tactile Sensor for Medical Tools by Punch Creep Forming of Si Thin Film
利用硅薄膜冲切蠕变成形技术开发用于医疗工具的微型触觉传感器
- 批准号：
16K14135 - 财政年份：2016
- 资助金额：
$ 11.32万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
Evaluation of Piezoresistivity for Semi-conductive Nanowires by MEMS-based Strain Engineering
基于 MEMS 的应变工程评估半导体纳米线的压阻率
- 批准号：
15H03893 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 11.32万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
相似国自然基金
SiC MOSFET瞬态开关建模与开关振荡抑制研究
- 批准号：
- 批准年份：2025
- 资助金额：0.0 万元
- 项目类别：省市级项目
核壳结构高熵MAX/SiC螺旋纳米纤维设计及多机制协同吸波机理
- 批准号：
- 批准年份：2025
- 资助金额：0.0 万元
- 项目类别：省市级项目
SiC MOSFET器件多时间尺度电热应力栅极主动控制研究
- 批准号：JCZRQT202500104
- 批准年份：2025
- 资助金额：0.0 万元
- 项目类别：省市级项目
SiC/g-C3N4 对生活废水中表面活性剂的降解与机理的研究
- 批准号：
- 批准年份：2025
- 资助金额：0.0 万元
- 项目类别：省市级项目
面向2.5维C/SiC复合材料薄壁内圆磨削的液氮内冷却有序化砂轮设计与加工基础研究
- 批准号：2025JJ50322
- 批准年份：2025
- 资助金额：0.0 万元
- 项目类别：省市级项目
埋入式多芯片SiC功率模块集成封装技术
- 批准号：2025C01048
- 批准年份：2025
- 资助金额：0.0 万元
- 项目类别：省市级项目
Nano-M(On)-SiCNWs-SiC催化材料的制备及其协同催化制氢机理研究
- 批准号：2025JJ70041
- 批准年份：2025
- 资助金额：0.0 万元
- 项目类别：省市级项目
面向SiC功率器件的纳米铜互连材料烧结及失效行为研究
- 批准号：
- 批准年份：2025
- 资助金额：0.0 万元
- 项目类别：省市级项目
纳米含能复合钎料钎焊连接SiC与Cu界面反应机理及性能调控研究
- 批准号：
- 批准年份：2025
- 资助金额：0.0 万元
- 项目类别：省市级项目
新能源汽车制动用Al4SiC4改性碳陶摩擦材料的微观结构
- 批准号：2025JJ80372
- 批准年份：2025
- 资助金额：0.0 万元
- 项目类别：省市级项目
相似海外基金
SiC欠陥スピンの電気的高効率読出の確立に向けたスピン・光・電荷ダイナミクス解明
阐明自旋、光和电荷动力学，以建立 SiC 缺陷自旋的高效电读出
- 批准号：
23K22796 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 11.32万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
界面欠陥制御に基づく高効率・高信頼性SiC MOSFETの実現
基于界面缺陷控制的高效可靠SiC MOSFET的实现
- 批准号：
24KJ1553 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 11.32万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
耐熱性とプロセス温度の低温化を両立したSiCセラミックスのTLP接合技術の開発
开发兼具耐热性和低加工温度的SiC陶瓷TLP接合技术
- 批准号：
24K08069 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 11.32万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
SiC表面・界面で生じる固有な現象の正しい理解とそれに基づくMOS界面特性の制御
正确理解SiC表面和界面上发生的独特现象，并基于该理解控制MOS界面特性
- 批准号：
24H00308 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 11.32万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
熱酸化反応の精密制御による理想SiO2/SiC界面の実現
通过精确控制热氧化反应实现理想的SiO2/SiC界面
- 批准号：
24K01348 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 11.32万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
SiCインバータサージ絶縁の高度化：高繰り返しナノ秒パルス電圧下の部分放電の解明
SiC逆变器浪涌绝缘的进步：阐明高重复纳秒脉冲电压下的局部放电
- 批准号：
24K00874 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 11.32万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
CVD-SiC材料の高能率・超精密加工とその加工現象解明の研究
CVD-SiC材料高效超精密加工研究及加工现象阐明
- 批准号：
24K07262 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 11.32万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
SiC-MOSFET負荷短絡時の素子残留ダメージが信頼性特性へ及ぼす影響の研究
SiC-MOSFET负载短路时元件残余损伤对可靠性特性的影响研究
- 批准号：
23K20927 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 11.32万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
難溶解性SiCの酸分解工程ハイスループット化による高効率化手法の開発
通过提高难溶性 SiC 酸分解工艺的产量开发高效方法
- 批准号：
24H02579 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 11.32万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Scientists
SiC MOS反転層における電子輸送機構の原子論と量子論に基づく解明
基于原子论和量子论阐明SiC MOS反型层电子传输机制
- 批准号：
24K17310 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 11.32万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists