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AlGaNéGaN high electron mobility transistors for high speed intergrated circuits

AlGaNéGaN high electron mobility transistors for high speed intergrated circuits
用于高速集成电路的 AlGaN·GaN 高电子迁移率晶体管
批准号：
346803-2008
负责人：
Yip, Marcus
金额：
$1.26万
依托单位：
Massachusetts Institute of Technology
依托单位国家：
加拿大
项目类别：
Postgraduate Scholarships - Master's
财政年份：
2008
资助国家：
加拿大
项目状态：
已结题
起止时间：
2008-01-01 至 2009-12-31
来源：
https://www.nserc-crsng.gc.ca/ase-oro/Details-Detailles_eng.asp?id=400623
关键词：
AlGaNGaNelectronmobilitytransistors

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An ultra low power reconfigurable analog front end for biomedical platforms
  • 批准号：
    346803-2009
  • 项目类别：
    Postgraduate Scholarships - Doctoral
  • 资助金额：
    $1.53万
  • 财政年份：
    2010
  • 负责人：
    Yip, Marcus
  • 依托单位：
    Massachusetts Institute of Technology
An ultra low power reconfigurable analog front end for biomedical platforms
  • 批准号：
    346803-2009
  • 项目类别：
    Postgraduate Scholarships - Doctoral
  • 资助金额：
    $1.53万
  • 财政年份：
    2009
  • 负责人：
    Yip, Marcus
  • 依托单位：
    Massachusetts Institute of Technology
AlGaNéGaN high electron mobility transistors for high speed intergrated circuits
  • 批准号：
    346803-2007
  • 项目类别：
    Postgraduate Scholarships - Master's
  • 资助金额：
    $1.26万
  • 财政年份：
    2007
  • 负责人：
    Yip, Marcus
  • 依托单位：
    Massachusetts Institute of Technology
国内基金
海外基金
垂直型GaN肖特基势垒二极管研究
  • 批准号：
  • 项目类别：
    省市级项目
  • 资助金额：
    --
  • 批准年份：
    2026
  • 负责人：
    刘梦涵
  • 依托单位：
    南京信息职业技术学院
异质结极化场局域调控机制与选区外延p-GaN HEMT研究
基于金刚石高效散热封装的高功率高压GaN器件研发与产业化
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  • 批准号：
  • 项目类别：
    省市级项目
  • 资助金额：
    10.0万元
  • 批准年份：
    2025
  • 负责人：
    戴厚富
  • 依托单位：
    汕头大学