GaN HEMT transistor modeling and application to highly efficient and linear amplifier designs

GaN HEMT 晶体管建模及其在高效线性放大器设计中的应用

基本信息

  • 批准号:
    365291-2008
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 13.66万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    加拿大
  • 项目类别:
    Strategic Projects - Group
  • 财政年份:
    2009
  • 资助国家:
    加拿大
  • 起止时间:
    2009-01-01 至 2010-12-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

Whether in terrestrial wireless applications, satellite communication and broadcasting or radar applications, power amplifiers play an important role in all of these systems. They often account for a large portion of the infrastructure cost and are largely responsible for their power consumption. Consequently, reducing their power consumption and improving their performance is not only economically important but it is also fast becoming environmentally necessary given the vast number of wireless terminals worldwide. One key to power amplifier performance is the transistor technology on which it is built. In recent years, an emerging semi-conductor technology, Gallium Nitride or GaN, has shown excellent promise in helping make power amplifiers better performing and "greener" for the environment. As its fabrication has become more and more reliable and its cost has continued to come down, this technology is now poised to be the dominant technology in the wireless/satellite power amplifier market in the coming years. To unlock this potential, power amplifier designers must have access to accurate and robust device models for their CAD tools and must consider novel design approaches to take advantage of the unique features offered by GaN technology. This project aims to develop such models and design approaches to enable Canadian companies to take a lead in using and deploying GaN technology, with all the economic and social/environmental benefits this brings.
无论是在地面无线应用、卫星通信和广播还是雷达应用中,功率放大器在所有这些系统中都扮演着重要的角色。它们通常占基础设施成本的很大一部分,并且主要负责其功耗。因此,降低它们的功耗并提高它们的性能不仅在经济上是重要的,而且考虑到世界范围内大量的无线终端,它也迅速成为环境上必要的。功率放大器性能的一个关键是它所基于的晶体管技术。近年来,一种新兴的半导体技术氮化镓(GaN)在帮助功率放大器实现更好的性能和更环保方面表现出了良好的前景。随着其制造变得越来越可靠,其成本不断下降,该技术现在有望成为未来几年无线/卫星功率放大器市场的主导技术。为了释放这一潜力,功率放大器设计人员必须为其CAD工具提供准确而强大的器件模型,并且必须考虑新颖的设计方法,以利用GaN技术提供的独特功能。该项目旨在开发此类模型和设计方法,使加拿大公司能够率先使用和部署GaN技术,并带来所有经济和社会/环境效益。

项目成果

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Devices, Circuits, Processes and Tools for Reconfigurable and Programmable Power Efficient Microwave Circuits
用于可重新配置和可编程节能微波电路的器件、电路、工艺和工具
  • 批准号:
    RGPIN-2019-07121
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 13.66万
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
Devices, Circuits, Processes and Tools for Reconfigurable and Programmable Power Efficient Microwave Circuits
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  • 批准号:
    RGPIN-2019-07121
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 13.66万
  • 项目类别:
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  • 批准号:
    RGPIN-2019-07121
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用于可重新配置和可编程节能微波电路的器件、电路、工艺和工具
  • 批准号:
    RGPIN-2019-07121
  • 财政年份:
    2019
  • 资助金额:
    $ 13.66万
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    Discovery Grants Program - Individual
"Integrated LTCC/MEMS Circuits for Small-Size, Light-Weight and Power-Efficient Intelligent RF Front-Ends"
“用于小尺寸、轻重量和高能效智能射频前端的集成 LTCC/MEMS 电路”
  • 批准号:
    217357-2012
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  • 资助金额:
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    Discovery Grants Program - Individual
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  • 批准号:
    513484-2017
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    2017
  • 资助金额:
    $ 13.66万
  • 项目类别:
    Engage Grants Program
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  • 财政年份:
    2016
  • 资助金额:
    $ 13.66万
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    Discovery Grants Program - Individual
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    447486-2013
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    2015
  • 资助金额:
    $ 13.66万
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"Integrated LTCC/MEMS Circuits for Small-Size, Light-Weight and Power-Efficient Intelligent RF Front-Ends"
“用于小尺寸、轻重量和高能效智能射频前端的集成 LTCC/MEMS 电路”
  • 批准号:
    217357-2012
  • 财政年份:
    2015
  • 资助金额:
    $ 13.66万
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
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  • 批准号:
    476319-2014
  • 财政年份:
    2014
  • 资助金额:
    $ 13.66万
  • 项目类别:
    Engage Grants Program

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  • 批准号:
    2324780
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 13.66万
  • 项目类别:
    Standard Grant
Developing an Industry Standard Compact Model for GaN HEMT with Parameter Extraction Flow
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  • 批准号:
    575688-2022
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 13.66万
  • 项目类别:
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  • 批准号:
    21H04642
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 13.66万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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  • 批准号:
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  • 财政年份:
    2019
  • 资助金额:
    $ 13.66万
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  • 批准号:
    2126492
  • 财政年份:
    2018
  • 资助金额:
    $ 13.66万
  • 项目类别:
    Studentship
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知道了