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Porosity in Si, Ge and the Si(x)Ge(1-x) alloys induced by ion irradiation

Porosity in Si, Ge and the Si(x)Ge(1-x) alloys induced by ion irradiation
离子辐照引起的 Si、Ge 和 Si(x)Ge(1-x) 合金的孔隙率
批准号：
DP120101264
负责人：
Prof Mark Ridgway
金额：
$22.91万
依托单位：
The Australian National University
依托单位国家：
澳大利亚
项目类别：
Discovery Projects
财政年份：
2012
资助国家：
澳大利亚
项目状态：
已结题
起止时间：
2012-01-01 至 2014-12-31
来源：
https://dataportal.arc.gov.au/RGS/Web/Grants/DP120101264
关键词：
PorositySiGealloysinduced

项目摘要

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Ion beam methods will be used to form porous layers in Si, Ge and their alloys with a range of technological applications. The distributions of pore size and shape will be characterised with laboratory and synchrotron-based analytical techniques including a 3D reconstruction of the irradiation-induced porous structure.
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Australian Access to and Operation of Advanced Synchrotron Radiation Facilities at the Photon Factory
  • 批准号：
    LE0989759
  • 项目类别：
    Linkage Infrastructure, Equipment and Facilities
  • 资助金额：
    $24.0万
  • 财政年份：
    2009
  • 负责人：
    Prof Mark Ridgway
  • 依托单位：
    The Australian National University
Probing the properties of amorphous semiconductors with swift heavy ion irradiation and synchrotron radiation
  • 批准号：
    DP0987233
  • 项目类别：
    Discovery Projects
  • 资助金额：
    $30.16万
  • 财政年份：
    2009
  • 负责人：
    Prof Mark Ridgway
  • 依托单位：
    The Australian National University
Tailoring the Shape, Size and Orientation of Metal Nanocrystals via Swift Heavy Ion Irradiation
  • 批准号：
    DP0877721
  • 项目类别：
    Discovery Projects
  • 资助金额：
    $68.25万
  • 财政年份：
    2008
  • 负责人：
    Prof Mark Ridgway
  • 依托单位：
    The Australian National University
Amorphous-Phase Formation and Structure in Semiconductor Substrates following Swift Heavy-Ion Irradiation
  • 批准号：
    DP0665592
  • 项目类别：
    Discovery Projects
  • 资助金额：
    $27.68万
  • 财政年份：
    2006
  • 负责人：
    Prof Mark Ridgway
  • 依托单位：
    The Australian National University
国内基金
海外基金
四元Heusler合金Co-Fe-MnZ (Z= Ga, Si, Ge)相关伪三元系相图及其化合物的结构与磁电性能
  • 批准号：
    --
  • 项目类别：
    地区科学基金项目
  • 资助金额：
    33万元
  • 批准年份：
    2022
  • 负责人：
    何维
  • 依托单位：
    广西大学
宽带隙半导体M3N4(M=Si,Ge)的高压制备与光电应用研究
  • 批准号：
    --
  • 项目类别：
    青年科学基金项目
  • 资助金额：
    30万元
  • 批准年份：
    2022
  • 负责人：
    马帅领
  • 依托单位：
    宁波大学
黄铜矿半导体ZnXP2(X=Si,Ge,Sn)高压下的阳离子无序调控及物性研究
  • 批准号：
    --
  • 项目类别：
    青年科学基金项目
  • 资助金额：
    30万元
  • 批准年份：
    2022
  • 负责人：
    袁亦方
  • 依托单位：
    郑州大学
高压下H3S-MH4(M = C, Si, Ge, Sn)的非谐量子效应及其超导电性的理论研究
  • 批准号：
    --
  • 项目类别：
    --
  • 资助金额：
    30万元
  • 批准年份：
    2021
  • 负责人：
    侯朴赓
  • 依托单位：
    东北电力大学