Porosity in Si, Ge and the Si(x)Ge(1-x) alloys induced by ion irradiation

离子辐照引起的 Si、Ge 和 Si(x)Ge(1-x) 合金的孔隙率

基本信息

  • 批准号:
    DP120101264
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 22.91万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    澳大利亚
  • 项目类别:
    Discovery Projects
  • 财政年份:
    2012
  • 资助国家:
    澳大利亚
  • 起止时间:
    2012-01-01 至 2014-12-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

Ion beam methods will be used to form porous layers in Si, Ge and their alloys with a range of technological applications. The distributions of pore size and shape will be characterised with laboratory and synchrotron-based analytical techniques including a 3D reconstruction of the irradiation-induced porous structure.
离子束方法将用于在Si、Ge及其合金中形成多孔层,并具有一系列技术应用。孔径和形状的分布将采用实验室和基于同步加速器的分析技术进行表征,包括辐照诱导多孔结构的3D重建。

项目成果

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  • 资助金额:
    $ 22.91万
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  • 资助金额:
    $ 22.91万
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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