Porosity in Si, Ge and the Si(x)Ge(1-x) alloys induced by ion irradiation
离子辐照引起的 Si、Ge 和 Si(x)Ge(1-x) 合金的孔隙率
基本信息
- 批准号:DP120101264
- 负责人:
- 金额:$ 22.91万
- 依托单位:
- 依托单位国家:澳大利亚
- 项目类别:Discovery Projects
- 财政年份:2012
- 资助国家:澳大利亚
- 起止时间:2012-01-01 至 2014-12-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
Ion beam methods will be used to form porous layers in Si, Ge and their alloys with a range of technological applications. The distributions of pore size and shape will be characterised with laboratory and synchrotron-based analytical techniques including a 3D reconstruction of the irradiation-induced porous structure.
离子束方法将用于在Si、Ge及其合金中形成多孔层,并具有一系列技术应用。孔径和形状的分布将采用实验室和基于同步加速器的分析技术进行表征,包括辐照诱导多孔结构的3D重建。
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
Prof Mark Ridgway其他文献
Prof Mark Ridgway的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('Prof Mark Ridgway', 18)}}的其他基金
Australian Access to and Operation of Advanced Synchrotron Radiation Facilities at the Photon Factory
澳大利亚在光子工厂使用和运行先进的同步辐射设施
- 批准号:
LE0989759 - 财政年份:2009
- 资助金额:
$ 22.91万 - 项目类别:
Linkage Infrastructure, Equipment and Facilities
Probing the properties of amorphous semiconductors with swift heavy ion irradiation and synchrotron radiation
用快速重离子辐照和同步加速器辐射探测非晶半导体的特性
- 批准号:
DP0987233 - 财政年份:2009
- 资助金额:
$ 22.91万 - 项目类别:
Discovery Projects
Tailoring the Shape, Size and Orientation of Metal Nanocrystals via Swift Heavy Ion Irradiation
通过快速重离子辐照调整金属纳米晶体的形状、尺寸和取向
- 批准号:
DP0877721 - 财政年份:2008
- 资助金额:
$ 22.91万 - 项目类别:
Discovery Projects
Amorphous-Phase Formation and Structure in Semiconductor Substrates following Swift Heavy-Ion Irradiation
快速重离子辐照后半导体基底中非晶相的形成和结构
- 批准号:
DP0665592 - 财政年份:2006
- 资助金额:
$ 22.91万 - 项目类别:
Discovery Projects
Amorphisation of Semiconductor and Elemental Metallic Nanocrystals by Ion Irradiation
通过离子辐照实现半导体和单质金属纳米晶体的非晶化
- 批准号:
DP0559172 - 财政年份:2005
- 资助金额:
$ 22.91万 - 项目类别:
Discovery Projects
Atomic-Scale Identification of Amorphization and Relaxation Processes in Compound Semiconductors
化合物半导体中非晶化和弛豫过程的原子尺度识别
- 批准号:
DP0343345 - 财政年份:2003
- 资助金额:
$ 22.91万 - 项目类别:
Discovery Projects
Nanocavities in Si - Structural Evolution and Metal Gettering
硅中的纳米腔 - 结构演化和金属吸杂
- 批准号:
DP0208814 - 财政年份:2002
- 资助金额:
$ 22.91万 - 项目类别:
Discovery Projects
相似国自然基金
四元Heusler合金Co-Fe-MnZ (Z= Ga, Si, Ge)相关伪三元系相图及其化合物的结构与磁电性能
- 批准号:
- 批准年份:2022
- 资助金额:33 万元
- 项目类别:地区科学基金项目
宽带隙半导体M3N4(M=Si,Ge)的高压制备与光电应用研究
- 批准号:
- 批准年份:2022
- 资助金额:30 万元
- 项目类别:青年科学基金项目
黄铜矿半导体ZnXP2(X=Si,Ge,Sn)高压下的阳离子无序调控及物性研究
- 批准号:
- 批准年份:2022
- 资助金额:30 万元
- 项目类别:青年科学基金项目
高压下H3S-MH4(M = C, Si, Ge, Sn)的非谐量子效应及其超导电性的理论研究
- 批准号:
- 批准年份:2021
- 资助金额:30 万元
- 项目类别:
高压下H3S-MH4(M=C,Si,Ge,Sn)的非谐量子效应及其超导电性的理论研究
- 批准号:12104087
- 批准年份:2021
- 资助金额:24.00 万元
- 项目类别:青年科学基金项目
Ge/Si异质结纳米线雪崩倍增探测器的制备及性能研究
- 批准号:
- 批准年份:2020
- 资助金额:36 万元
- 项目类别:地区科学基金项目
Cr2(Ge/Si)2Te6单晶中的电热磁耦合效应研究
- 批准号:
- 批准年份:2020
- 资助金额:58 万元
- 项目类别:面上项目
掺Si/Ge无缓冲层高效率铜铟镓硒薄膜光伏器件研究
- 批准号:61904128
- 批准年份:2019
- 资助金额:26.0 万元
- 项目类别:青年科学基金项目
高压下锂快离子导体Li10MP2S12(M=Si,Ge,Sn)结构和输运性质研究
- 批准号:11904128
- 批准年份:2019
- 资助金额:25.0 万元
- 项目类别:青年科学基金项目
键合制备高质量Ge/Si异质结材料及高性能PIN光电探测器研究
- 批准号:61974122
- 批准年份:2019
- 资助金额:59.0 万元
- 项目类别:面上项目
相似海外基金
電圧印加による単結晶SiおよびGeの低温変形メカニズム解明
通过施加电压阐明单晶 Si 和 Ge 的低温变形机制
- 批准号:
24K01361 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 22.91万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
斜入射X線非弾性散乱法によるGeおよびSi表面・界面のフォノン散乱解明に関する研究
利用掠入射X射线非弹性散射法阐明Ge和Si表面和界面上声子散射的研究
- 批准号:
24K17313 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 22.91万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
Ge-on-Si SPADs for Quantum Communications
用于量子通信的 Ge-on-Si SPAD
- 批准号:
2749425 - 财政年份:2022
- 资助金额:
$ 22.91万 - 项目类别:
Studentship
Extended Wavelength Ge-on-Si Single-photon Avalanche Diode Detectors
扩展波长硅基硅单光子雪崩二极管探测器
- 批准号:
2906463 - 财政年份:2022
- 资助金额:
$ 22.91万 - 项目类别:
Studentship
二次元層状物質を用いた金属/Si,Ge界面のバンドアライメント決定機構の解明
使用二维层状材料阐明金属/Si、Ge界面的能带排列决定机制
- 批准号:
22K04212 - 财政年份:2022
- 资助金额:
$ 22.91万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Low-Dimensional Si-Sn and Si-Ge-Sn Nanoalloys as High-Efficiency, Direct-gap Nanostructures for Visible to Infrared Optoelectronics.
低维 Si-Sn 和 Si-Ge-Sn 纳米合金作为高效、直接带隙纳米结构,用于可见光到红外光电器件。
- 批准号:
2211606 - 财政年份:2022
- 资助金额:
$ 22.91万 - 项目类别:
Standard Grant
Highly Robust Transition Metal Complexes with E-Substituted Phosphines (E = Si, Ge, Sn) Grafted onto Metal-Organic Frameworks for Dehydrogenative Functionalization
具有 E 取代膦 (E = Si、Ge、Sn) 的高鲁棒过渡金属配合物接枝到金属有机框架上用于脱氢功能化
- 批准号:
2102689 - 财政年份:2021
- 资助金额:
$ 22.91万 - 项目类别:
Standard Grant
Optimisation post-croissance des couches epitaxiales de Ge sur substrat Si
优化 Si 上 Ge 外延沙发的交叠后
- 批准号:
564624-2021 - 财政年份:2021
- 资助金额:
$ 22.91万 - 项目类别:
University Undergraduate Student Research Awards
Development of vertical HEMT-type devices using Si-Ge core-shell heterojunction nanowires
使用Si-Ge核壳异质结纳米线开发垂直HEMT型器件
- 批准号:
21H04642 - 财政年份:2021
- 资助金额:
$ 22.91万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
On-wafer band engineering for Ge epitaxial layers selectively grown on Si
在 Si 上选择性生长 Ge 外延层的晶圆上能带工程
- 批准号:
21H01367 - 财政年份:2021
- 资助金额:
$ 22.91万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)