Architectures, circuits for ultra low voltage, low power, robust SRAMs

用于超低电压、低功耗、鲁棒 SRAM 的架构和电路

• 批准号: 205034-2007
• 负责人: Sachdev, Manoj
• 金额: $ 3.02万
• 依托单位: University of Waterloo
• 依托单位国家: 加拿大
• 项目类别: Discovery Grants Program - Individual
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 加拿大
• 起止时间: 2011-01-01 至 2012-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://www.nserc-crsng.gc.ca/ase-oro/Details-Detailles_eng.asp?id=477420
• 关键词: Architectures; circuits; ultra; low; voltage

Static Random Access Memory (SRAM) content in integrated circuits is increasing irrespective of its application. In microprocessors up to 90% of transistors are in embedded SRAMs. Therefore, embedded SRAMs influence various aspects of Systems on Chip (SoC) such as power, energy, yield, quality, and reliability. In this proposal, several aspects of SRAMs will be investigated.

静态随机存取存储器（SRAM）在集成电路中的含量正在增加，而与其应用无关。在微处理器中，高达90%的晶体管都在嵌入式SRAM中。因此，嵌入式SRAM影响片上系统（SoC）的各个方面，例如功率、能量、良率、质量和可靠性。在本提案中，将研究SRAM的几个方面。