Understanding the structure and unusual properties of ion implanted amorphous germanium

了解离子注入非晶锗的结构和异常特性

基本信息

  • 批准号:
    DP120103198
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 44.43万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    澳大利亚
  • 项目类别:
    Discovery Projects
  • 财政年份:
    2012
  • 资助国家:
    澳大利亚
  • 起止时间:
    2012-01-01 至 2016-12-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

This project explores the properties of a semiconductor (germanium) that has become important in fast electronic applications. Its disordered form has unusual properties and their understanding is a main project aim. Outcomes are: fundamental understanding of an important material, and enabling its technological applications to be fully realised.
该项目探索了在快速电子应用中变得重要的半导体(锗)的特性。它的无序形式具有不同寻常的性质,对它们的理解是一个主要的项目目标。结果是:对一种重要材料的基本理解,并使其技术应用得以充分实现。

项目成果

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知道了