Understanding the structure and unusual properties of ion implanted amorphous germanium
了解离子注入非晶锗的结构和异常特性
基本信息
- 批准号:DP120103198
- 负责人:
- 金额:$ 44.43万
- 依托单位:
- 依托单位国家:澳大利亚
- 项目类别:Discovery Projects
- 财政年份:2012
- 资助国家:澳大利亚
- 起止时间:2012-01-01 至 2016-12-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
This project explores the properties of a semiconductor (germanium) that has become important in fast electronic applications. Its disordered form has unusual properties and their understanding is a main project aim. Outcomes are: fundamental understanding of an important material, and enabling its technological applications to be fully realised.
该项目探索了在快速电子应用中变得重要的半导体(锗)的特性。它的无序形式具有不同寻常的性质,对它们的理解是一个主要的项目目标。结果是:对一种重要材料的基本理解,并使其技术应用得以充分实现。
项目成果
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专著数量(0)
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