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Narrow band gap silicon: understanding and exploiting this new silicon phase
窄带隙硅：了解和利用这种新的硅相
基本信息
- 批准号：DP110101026
- 负责人：
- 金额：$ 29.56万
- 依托单位：
- 依托单位国家：澳大利亚
- 项目类别：Discovery Projects
- 财政年份：2011
- 资助国家：澳大利亚
- 起止时间：2011-01-01 至 2013-12-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
This project aims to study for the first time exciting new forms of conducting and insulating silicon that can be formed by simply pressing down on silicon with an indenter tip. As well as producing new science, the technological outcomes involve new devices and processes of significance to electronics and solar industries.
该项目旨在首次研究令人兴奋的导电和绝缘硅的新形式，这些形式可以通过简单地用压头尖端按压硅来形成。除了产生新的科学，技术成果还涉及对电子和太阳能行业具有重要意义的新设备和工艺。
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
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$ 29.56万 - 项目类别：
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$ 29.56万 - 项目类别：
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