Kohlenwasserstoffsensoren auf der Basis von Grenzschichteffekten zwischen halbleitenden Dünnschichten

来自Kameriktroden的沸石的阻碍，在上面的氧化铬（Cr2O3）位置，对Kohlenwasserstoffe有影响。该传感器基于Vorgängen和Grenzschicht zwischen离子化Zeolith和半导体Cr2O3。Dies legt die Vermutung nahe，dass sich analoge Sensoren aufbauen lassen，bei denen der Zeolith durch eine Halbleiterdünnschicht großer Oberfläche ersetzt wurde. Damit ließen sich alle Vorteile der Dünnschichtechnik nutzen，um neuartige Kohlenwasserstoffsensoren herzustellen，die von großem Interesse für die Prozesssteuerung bei Verbrennungsvorgängen wären. Derartige Sensoren wären reproduzierbarer，langzeitstabiler，kleiner und leichter zu selektiven Sensorgruppen integrierbar als alle verfügbaren Alternativen.Das vorliegende Projekt hat den theoretischen und technologischen Nachweis dieser Vermutung zum Ziel.沸石传感器通过两个半导体器件的演示来提高传感器的灵敏度，这两个半导体器件在接触时都是直接接触的，并通过选择合适的韦尔登来实现。方法论将通过开发一种分析中性传感器的模型来进行实验研究。在基础韦尔登上，由于传感器的技术性能受到影响，因而影响了整个工程的自由度，同时也影响了信号的质量。

Die Impedanz von zeolithbeschichteten Kondensatoren aus Kammelektroden, an deren Oberfläche Chromoxid (Cr2O3) sitzt, reagiert empfindlich auf Kohlenwasserstoffe. Dieser Sensoreffekt basiert bekanntermaßen auf Vorgängen an der Grenzschicht zwischen dem ionenleitenden Zeolith und dem halbleitenden Cr2O3. Dies legt die Vermutung nahe, dass sich analoge Sensoren aufbauen lassen, bei denen der Zeolith durch eine Halbleiterdünnschicht großer Oberfläche ersetzt wurde. Damit ließen sich alle Vorteile der Dünnschichttechnik nutzen, um neuartige Kohlenwasserstoffsensoren herzustellen, die von großem Interesse für die Prozesssteuerung bei Verbrennungsvorgängen wären. Derartige Sensoren wären reproduzierbarer, langzeitstabiler, kleiner und leichter zu selektiven Sensorgruppen integrierbar als alle verfügbaren Alternativen.Das vorliegende Projekt hat den theoretischen und technologischen Nachweis dieser Vermutung zum Ziel. Der bei zeolithbeschichteten Sensoren auftretende Sensoreffekt soll an Demonstratoren mit zwei halbleitenden Dünnschichten in Kontakt zueinander nachgewiesen und durch Ausnutzen der dabei entstehenden Entwurfsfreiheitsgrade (Elektrodengeometrie, Materialkombinationen) selektiver gemacht werden. Methodisch wird dieser experimentell-prozesstechnische Teil begleitet durch die Entwicklung eines analytischen Modells des neuartigen Sensors. Auf dieser Grundlage soll untersucht werden, welchen Einfluss die einzelnen Entwurfsfreiheitsgrade haben und mit welchen Signalmerkmalen sich die Sensoreigenschaften gegenüber dem Stand der Technik verbessern lassen.