非线性光电集成电路基础技术研究-猫眼课题宝

非线性光电集成电路基础技术研究

批准号：

19206011

负责人：

KONDO Takashi

金额：

$31.45万

依托单位：

The University of Tokyo

依托单位国家：

日本

项目类别：

Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

财政年份：

2007

资助国家：

日本

项目状态：

已结题

起止时间：

2007 至 2010

来源：

https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-19206011/

关键词：

非線形光学波長変換半導体レーザ擬似位相整合化合物半導体分子線エピタキシーシリコンフォトニクス疑似位相整合エピタキシャル成長集積回路光機能素子

项目摘要

项目成果

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中文摘要

翻译

利用亚晶格反转外延技术成功地制备了高质量的GaAs/AlGaAs波导QPM波长转换器件，并获得了最低的传输损耗为2.7dB/cm（GaAs波导@1.55 μm）和最高的倍频转换效率为34%/W（2.96 mm长的Al 0.5Ga 0.5As波导@1.55 μm基波）。低温MBE再生长对于这一成就至关重要。应抑制（111）A位错的形成和空间成分调制，以实现进一步的改进。我们还提出了新的高性能的AlGaAs波导器件，采用新的相位匹配技术（ZQPM，ZQPM和TQPM）。

英文摘要

We have succeeded in fabricating high-quality GaAs/AlGaAs waveguiding QPM wavelength conversion devices based on the sublattice reversal epitaxy technique, and have achieved the lowest propagation loss of 2.7 dB/cm (GaAs waveguide @1.55 μm) and the highest SHG conversion efficiency of 34 %/W (2.96-mm-long Al0.5Ga0.5As waveguide @1.55 μm fundamental). Low-temperature MBE regrowth is essential for this achievement. Formation of (111)A dislocations and spatial compositional modulation should be suppressed in order to achieve further improvements. We have also proposed novel high-performance AlGaAs waveguiding devices incorporating new phase matching techniques (HIC-BPM, ZQPM and TQPM).

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会议论文

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发表时间： 2009

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作者：

[K. Nakahara, Y. Miyake, K. Shimomura, P. Strasser, K. Nishiyama, N. Kawamura, H. Fujimori, S. Makimura, A. Koda, K. Nagamine, T. Ogitsu, A. Yamamoto, T. Adachi, K. Sasaki, K. Tanaka, N. Kimura, Y. Makida, Y. Ajima, K. Ishida, Y. Matsuda, 近藤高志]

通讯作者：近藤高志