Räumliche und elektronische Struktur von Siliziddrähten auf Si(001)

Das Vorhaben befaßt sich mit der räumlichen Struktur und den elektronischen Eigenschaften von eindimensionalen Silizidstrukturen auf der Si（001）-Oberfläche.大足韦尔登光栅隧道显微镜和光谱显微镜。研究内容包括：薄膜的原子结构，薄膜的热传导、衬底温度、回火和衬底取向等对工作参数的影响，薄膜的电学特性，以及薄膜的量子效应。stehende Elektronenwellen.

Das Vorhaben befaßt sich mit der räumlichen Struktur und den elektronischen Eigenschaften von eindimensionalen Silizidstrukturen auf der Si(001)-Oberfläche. Dazu werden Rastertunnelmikroskopie und -spektroskopie eingesetzt. Die Untersuchungen konzentrieren sich auf: die atomare Struktur der Drähte, den Einfluß der Wachstumsparameter wie Schichtdicke, Gitterfehlanpassung, Substrattemperatur, Temperbedingungen und Substratfehlorientierung, die elektronischen Eigenschaften der Drähte sowie auf Quanteneffekte, wie z.B. stehende Elektronenwellen.