Semi-magnetic nitride-arsenide semi-conductors: electronic, optical, and magnetic properties

[3]张志强，张志强，张志强，等。稀土元素与稀土、铕和铒的研究进展。磁性电子系统与磁光学系统本征特性分析与半成像特性分析与半成像特性分析与半成像特性分析与半成像特性分析。1.研究对象：iii - v -氮化物和卓越的wirts材料<s:1> r Seltene Erden, z.B. Er oder Eu, da die gros ße bandl<e:1> cke in thermisches "Quenching" der Intra-4f-Lumineszenz auch bei raumtemperature undrckt（1999）。[3][1][1][1][1][1][1][1][1][1][1][1][1][1]。2. Die grundlegenden mechanicmen fgr strahlende重组（重组）；[4] [endnoterleilweise] [j] [d] - schalen von Eu， eroder Mn在磁矩中的定位，dmit den Leitungselektronen wehselwirkt .]Hieraus können sehr große g-Faktoren resultieren, wie bei den semimagnetischen halbleiteren CdMnTe oder ZnMnSe。[2][1][1][1][1][1][1][1][1][1]。磁性仪器与电子仪器。研究了氮化镓和氮化镓的组合，研究了氮化镓和氮化镓的结合，研究了氮化镓和氮化镓的结合。

Ziel des Projektes ist es, GaInNAs und GaN mit magnetischen Elementen wie Mangan, Europium und Erbium zu kombinieren. Die magneto-elektronischen und magneto-optischen Eigenschaften dieser semimagnetischen Halbleiter sollen mit Hilfe eines hier beantragten Magnetsystems detailliert untersucht werden. Folgende Aspekte erscheinen hierbei besonders interessant:1. III-V-Nitride sind exzellente Wirtsmaterialien für Seltene Erden wie z.B. Er oder Eu, da die große Bandlücke ein thermisches "Quenching" der Intra-4f-Lumineszenz auch bei Raumtemperatur unterdrückt (Za99). Je nach Element liegen die 4f-Übergänge im infraroten oder gesamten sichtbaren Spektralbereich (z.B. für eine Kombination von Glasfaser-Kommunikation und sichtbaren LEDs oder Laserdioden). Die grundlegenden Mechanismen für strahlende Rekombination sollen detailliert untersucht werden.2. Die nur teilweise gefüllten 4f- und 3d-Schalen von Eu, Er oder Mn besitzen ein magnetisches Moment, das mit den Leitungselektronen wechselwirkt. Hieraus können sehr große g-Faktoren resultieren, wie bei den semimagnetischen Halbleitern CdMnTe oder ZnMnSe. Insbesondere kann es je nach Dotierung auch zu einem Superaustausch zwischen Leitungselektronen und den magnetischen Momenten kommen (RKKY-Wechselwirkung), der z.B. in p-GaMnAs zu Ferromagnetismus führt. Magnetische Halbleiter sind für die Magnetoelektronik interessant. Deshalb soll die Kombination von GaN und GaInNAs mit Mn, Eu oder Er detailliert hinsichtlich der magneto-optischen und magneto-elektronischen Eigenschaften sowie mit Blick auf deren Einsatz in magneto-elektronischen Bauelementen untersucht werden.