Silicon carbide (SiC) as semiconductor material: Alternative approaches towards crystal growth and doping

碳化硅（SiC）是一种物理和化学特性都很好的半导体材料，具有很高的抗冲击能力，在许多领域都有应用。一个Anwendungsfeld位于Leistungselektronik，wo der generelle Einerelle von SiC anstelle von Silizium zu Einsparungen von mehreren Prozent des Gesamtstromverbrauchs führen wird. An der Realisierung dieses Potentials arbeiten daher füscheunternehmen weltweit，and sie韦尔登werden in vielen Ländern durch langfristig angelegte，nationale Forschungssprogramme unterstützt.在这两个巨大的风险韦尔登迅速建立了水晶和半导体技术的完善。该研究小组将寻求另一种方法，即在电子设备上对碳化硅进行晶化和加工。在《塔萨切》一书中，SiC是一种非常“丛林”的物质主义者，他认为在德国的“主流”研究和结果中，这种物质主义者在德国的冲突中仍然是一个国家。

Siliziumkarbit (SiC) ist ein Halbleitermaterial mit einem erheblichen Anwendungspotential, da es physikalische und chemische Eigenschaften besitzt, die es in vielen Bereichen dem etablierten Silizium überlegen macht. Ein Anwendungsfeld liegt in der Leistungselektronik, wo der generelle Einsatz von SiC anstelle von Silizium zu Einsparungen von mehreren Prozent des Gesamtstromverbrauchs führen wird. An der Realisierung dieses Potentials arbeiten daher führende Industrieunternehmen weltweit, und sie werden in vielen Ländern durch langfristig angelegte, nationale Forschungsprogramme unterstützt. Unter dem Zwang zum wirtschaftlichen Erfolg werden dabei fast ausschließlich etablierte Verfahren der Kristallzucht und der Halbleitertechnologie verfolgt. Die hier vorgestellte Forschergruppe will daher alternative Verfahren zur Kristallzucht und zur Prozessierung von SiC im Hinblick auf elektronische Anwendungen verfolgen. In Anbetracht der Tatsache, dass SiC ein vergleicchsweise "junges" Material ist, sehen die Antragsteller in dieser Forschung abbseits des "mainstream" ein reiches und erfolgversprechendes Betätigungsfeld, das in dieser konsequenten Ausrichtung weder in Deutschland noch sonst einem Land bearbeitet wird.