Atomistische Untersuchungen zu Stabilität und Eigenschaften von Defekten in Galliumnitrid sowie zur Optimierung von kubischen Gruppe III-Nitrid-Übergittern für optoelektronische Bauelemente

在GaN中，为了解决六角材料韦尔登中的位错问题，我们必须进行高温超导工作。在这里，我们将加强Stufenversetzung，deren Strukturen wir bereits im ablaufenden Antragszeitraum bestimmt haben，eine besondere Stellung einnehmen。在Ergänzung wollen wir die Eigenschaften von gemischten Dislokationen verstehen，entsprechende Defekte in kubischen Material charakterisieren and ihre Eigenschaften mit denen im Wurtzit-Material vergleichen.In einem zweiten Teil der Arbeiten stehen die Stabilität und Eigenschaften von GaN-晶体管und Nanoteilchen im Mittelpunkt.在MOCVD工艺中，通过对GaN纳米晶替代前驱体的测试，研究了在1- 10 nm工艺条件下GaN纳米晶对粉体和胶体的影响。从实验开始，我们将在Abhängigkeit von ihrer Größe，Form und Oberflächenpassivierung中确定稳定性。Gleichfalls韦尔登开始了对GaN纳米管的进一步研究，并对纳米管异质结GaN-C-GaN结构的成核模型和本征值进行了估算。

Im Rahmen der Weiterführung unserer Arbeiten zu ausgedehnten Defekten in GaN soll die Beweglichkeit von Dislokationen in hexagonalem Material untersucht werden. Hierbei wird die häufig auftretende Stufenversetzung, deren Strukturen wir bereits im ablaufenden Antragszeitraum bestimmt haben, eine besondere Stellung einnehmen. In Ergänzung wollen wir die Eigenschaften von gemischten Dislokationen verstehen, entsprechende Defekte in kubischen Material charakterisieren und ihre Eigenschaften mit denen im Wurtzit-Material vergleichen.In einem zweiten Teil der Arbeiten stehen die Stabilität und Eigenschaften von GaN-Clustern und Nanoteilchen im Mittelpunkt. Während die Charakteristik der kleinen Clustern mit nur wenigen Atomen Rückschlüsse auf die Verwendung von alternativen Precursoren für das GaN-Wachstum in MOCVD-Prozessen zulassen sollen, wird die Bildung von GaN-Nanoteilchen für Pulver und Kolloide im typischen Größenregime zwischen 1-10nm technologisch von zunehmendem Interesse. Begleitend zu experimentellen Arbeiten untersuchen wir deshalb die Stabilität sowie die elektronisch-optischen Eigenschaften entsprechender Teilchen in Abhängigkeit von ihrer Größe, Form und Oberflächenpassivierung. Gleichfalls werden begonnene Arbeiten zu GaN-Nanotubes weitergeführt, Nukleationsmodelle für ihr Wachstum entwickelt und die Eigenschaften von Nanotube-Heterostrukturen GaN-C-GaN bestimmt.