Development of ZnO-based Thin Film Transistors with Ultra-thin Al_2O_3 Films as Gate Dielectrics
Development of ZnO-based Thin Film Transistors with Ultra-thin Al_2O_3 Films as Gate Dielectrics
以超薄Al_2O_3薄膜作为栅介质的ZnO基薄膜晶体管的研制
批准号：
21760234
负责人：
MURANAKA Tsutomu
金额：
$2.66万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2009
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2009 至 2011
中文摘要
翻译
采用原子氧处理技术制备了超薄Al_2O_3薄膜作为zno基薄膜晶体管的高k栅极介质。采用x射线光电子能谱、x射线反射光谱和扫描电镜对铝膜进行了表征，研究了铝膜的表面氧化过程。采用原子氧处理的氧化工艺对超薄Al_2O_3层的形成是有效的。
英文摘要
Ultra-thin Al_2O_3 films as high-k gate dielectric for ZnO-based thin film transistors were formed by using atomic oxygen treatments. The films were carefully characterized by X-ray photoelectron spectroscopy, X-ray reflectometry and scanning electron microscopy in order to investigate the details of surface oxidation process of the aluminum films. The oxidation process using the atomic oxygen treatment is found to be effective for formation of ultra-thin Al_2O_3 layers.
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
作者：
[S.Ohmagari, T.Yoshitake, Akira Nagano, S.AL-Riyami, R.Ohtani, H.Setoyama, E.Kobayashi, T.Hara, K.Nagayama, Tetsuro Sueyoshi, 堀井貴大,佐野志保,村中司,鍋谷暢一,松本俊,平木哲,古川英明,深沢明広,坂本慎吾,萩原茂,河野裕,木島一広,安部治,八代浩二]
通讯作者：
堀井貴大,佐野志保,村中司,鍋谷暢一,松本俊,平木哲,古川英明,深沢明広,坂本慎吾,萩原茂,河野裕,木島一広,安部治,八代浩二
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2010
期刊：
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--
作者：
[Kazuya Maeda, Kunihiko Tanaka, HisaoUchiki, 西辻正典, 松井裕章, 榊原章剛,森雄大,佐野志保,堀井貴大,村中司,鍋谷暢一,松本俊]
通讯作者：
榊原章剛,森雄大,佐野志保,堀井貴大,村中司,鍋谷暢一,松本俊
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2010
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T. Matsumoto, K. Mizuguchi, T. Horii, S. Sano, T. Muranaka, Y. Nabetani, S. Hiraki, H. Furukawa, A. Fukasawa, S. Sakamoto, S. Hagihara, Y. Kono, K. Kijima, O. Abe, K. Yashiro]
通讯作者：
K. Yashiro
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DOI：
10.1143/jjap.50.05fb13
发表时间：
2011
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
[松井裕章, 他, T.Muranaka]
通讯作者：
T.Muranaka
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--
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T. Muranaka, Y. Ushiyama, N. Marumo, T. Horii, S. Sano, K. Mizuguchi, Y. Sakurai, Y. Nabetani, T. Matsumoto]
通讯作者：
T. Matsumoto
共 11 条
Development of ZnO-based semiconductor flexible device fabrication processes by using atomic-oxygen-assisted molecular beam epitaxy growth
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批准号：16K06297
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$2.83万
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财政年份：2016
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负责人：MURANAKA Tsutomu
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依托单位：
海外基金