Erforschung eines Chemisch-Mechanischen Polierverfahrens für die Planarisierung von Werkstoffverbunden bei der Fertigung von Mikrosystemen

[2] [1] [1] [0] [0] [0] [0] [0] [0] [0] [0] [0] [0] [0] [0] [0] [0] [0] [0] [0]技术进步与发展：<s:1> re e e e hinreichende Planarität der Komponenten sorgen。新材料与微技术的结合与应用：金属结构与高分子材料的结合与发展Strukturhöhen，新材料与高分子材料的结合与发展。Zum ersten Mal sollen mittels CMP zwei werkstoffer组合gezielt planarisiert werden。Hauptgegenstand der Untersuchungen dabei ist die Planarisierung von galvanisch erzeeugten metallischenstructuren, die in iner Polymerschicht ingbettete sint。金属材料与镍-艾森-雷基合金（“Permalloy”）；在Werkstoffe的后面，我们可以看到这样的场景。聚二烯二烯光刻胶，光刻结构胶。Häufig verwandte光刻胶：DNQ/Novolack (AZ9260) sowie ein lichtempfindliches Epoxydharz （SU-8）。实验研究：实验研究：动力与动力系统研究：动力与动力系统研究：动力与动力系统研究：动力与动力系统研究：动力与动力系统研究：动力与动力系统研究Das entstehende模型des CMP-Prozesses ber<s:1> cksichtigt verschiedene Einflussgrößen。Dabei erfolt nur die Parametervariation des trennproesses (z.B. Poliersuspension und deren Zusätze, Beschaffenheit des Poliertuchs, Polierdruck und -geschwindigkeit sowie Trennrate), sondere auth die Untersuchung der Planarisierungsergebnisse。疾病被吸入die Stufenhöhe sowie die Schichtdickenunterschiede der Strukturen in Abhängigkeit von ihrer Größe and den Abständen zueinander。Der Schichtdickenunterschied des Polymers soll最大±0.1微米的距离Länge在10毫米的横向。Des Weiteren ist eine Stufenhöhe zwischen金属与聚合物von weniger和20nm的angestrebt。handeines演示发现，验证模型启动。摘要/ font - font font -宋体；font -宋体；font -宋体；font -宋体；imvierten Jahr soll das werkstoffspectrum erwetert werden sowie ein Übergang von Wafern miteinem Durchmesser von 100 mm (vier Zoll) auf 150 mm (sechs Zoll) erfolgen。

Ziel des Vorhabens im dreijährigen Antragszeitraum ist die Erforschung, Modellierung, Entwicklung und Optimierung eines Chemisch-Mechanischen Polierverfahrens (CMP) für die Fertigung von mehrschichtig aufgebauten Mikrosystemen. Dieser Prozess soll für eine hinreichende Planarität der Komponenten sorgen. Neueste Entwicklungen der Mikrotechnologie basieren auf der Verwendung von Werkstoffverbunden aus metallischen Strukturen und Polymeren bei großen Strukturhöhen, weshalb ein geeignetes CMP-Verfahren für diese Materialkombination notwendig ist. Zum ersten Mal sollen mittels CMP zwei Werkstoffe dieser Kombination gezielt planarisiert werden. Hauptgegenstand der Untersuchungen dabei ist die Planarisierung von galvanisch erzeugten metallischen Strukturen, die in einer Polymerschicht eingebettet sind. An Metallen kommen Kupfer als Leitermaterial und Nickel-Eisen-Legierungen ("Permalloy") als magnetische Flussführungen zum Einsatz; beide Werkstoffe lassen sich galvanisch abscheiden. Als Polymere dienen verschiedene Photoresists, welche mittels Photolithographie strukturierbar sind. Häufig verwandte Photoresists sind DNQ/Novolack (AZ9260) sowie ein lichtempfindliches Epoxydharz (SU-8). Die Ergebnisse experimenteller Untersuchungen an diesen Werkstoffen sind Ausgangspunkt für die Modellierung des Planarisierungsprozesses für diese Werkstoffkombinationen. Das entstehende Modell des CMP-Prozesses berücksichtigt verschiedene Einflussgrößen. Dabei erfolgt nicht nur die Parametervariation des Trennprozesses (z.B. Poliersuspension und deren Zusätze, Beschaffenheit des Poliertuchs, Polierdruck und -geschwindigkeit sowie Trennrate), sondern auch die Untersuchung der Planarisierungsergebnisse. Diese beinhalten die Stufenhöhe sowie die Schichtdickenunterschiede der Strukturen in Abhängigkeit von ihrer Größe und den Abständen zueinander. Der Schichtdickenunterschied des Polymers soll maximal ±0,1 Mikrometer auf einer Länge von 10 mm betragen. Des Weiteren ist eine Stufenhöhe zwischen Metall und Polymer von weniger als 20 nm angestrebt. Anhand eines Demonstrators findet eine Verifizierung des Modells statt. Für die einfache Anwendung der Erkenntnisse im Fertigungsprozess der Mikrosysteme werden Designregeln für das Layout der Lithographiemasken formuliert. Im vierten Jahr soll das Werkstoffspektrum erweitert werden sowie ein Übergang von Wafern mit einem Durchmesser von 100 mm (vier Zoll) auf 150 mm (sechs Zoll) erfolgen.