Metallisierung von SiC Oberflächen durch Wasserstoff-Adsorption

在年轻的时代，人们首先通过水蒸汽吸附层将金属化。我们可以看到，SiC（001）-（3x 2）Oberfläche bei geeigneter Bedeckung mit atomaren Wasserstoff ihren elektronischen Charakter von halbleitend zu metallisch ändert。首先，由于悬挂债券的作用，这种作用在吸附氢原子的真空中被发现，并在氢-氢排斥反应的作用下，不会因为水蒸气的韦尔登而减弱。这种现象是一种理论上的沃登，而且是一种普遍的微观现象。高级研究项目是一项艰巨的任务，用于SiC（001）-（3x 2）Oberfläche金属化的wasterstoffinduzierung的物理基础。这是基于双功能理论基础上的SiC（001）-（3x 2）Oberflächen的从头开始结构和电子本征值计算。SiC（001）-c（4x 2）上的分子筛吸附剂不能与SiC（001）-c（3x 2）结合，但也不能与SiC（001）-c（4x 2）上的分子筛吸附剂结合。在韦尔登的研究中，也有这样的吸附系统，它使人们对H bzw的吸附性能有了更大的了解。H2在SiC（001）-（3x 2）和SiC（001）c-（4x 2）上形成。

In jüngster Zeit wurde erstmals die Metallisierung einer Halbleiteroberfläche durch Wasserstoffadsorption entdeckt. Es wurde beobachtet, dass die SiC(001)-(3x2) Oberfläche bei geeigneter Bedeckung mit atomaren Wasserstoff ihren elektronischen Charakter von halbleitend zu metallisch ändert. Erste Vermutungen gehen davon aus, dass dieser Effekt durch Si Dangling Bonds hervorgerufen wird, die sich auf der dritten Schicht in der Umgebung von adsorbierten H Atomen befinden und aufgrund der starken H-H Repulsion nicht durch weitere Wasserstoffatome abgesättigt werden können. Dieses Phänomen ist bisher weder theoretisch untersucht worden, noch ist sein Zustandekommen mikroskopisch genau verstanden. Hauptziel des vorliegenden Forschungsprojektes ist es daher, die physikalischen Ursprünge für die wasserstoffinduzierte Metallisierung der SiC(001)-(3x2) Oberfläche zu ergründen. Dies soll im Rahmen von ab-initio Berechnungen struktureller und elektronischer Eigenschaften wasserstoffbedeckter SiC(001)-(3x2) Oberflächen auf der Basis der Dichtefunktionaltheorie geschehen. Molekularer Wasserstoff bindet nicht auf SiC(001)-(3x2), während sowohl atomarer als auch molekularer Wasserstoff auf SiC(001)-c(4x2) adsorbieren, dabei aber nicht zu einer Metallisierung führen. Daher sollen auch diese Adsorptionssysteme im Vergleich studiert werden, um wichtige Erkenntnisse über das gänzlich verschiedene Adsorptionsverhalten von H bzw. H2 auf SiC(001)-(3x2) und SiC(001)c-(4x2) zu gewinnen.