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Etching of Aluminum in Halogen-Containing Gasses and Plasmas

Etching of Aluminum in Halogen-Containing Gasses and Plasmas
含卤素气体和等离子体中的铝蚀刻
批准号：
8319353
负责人：
Dennis Hess
金额：
$20.47万
依托单位：
University of California-Berkeley
依托单位国家：
美国
项目类别：
Continuing Grant
财政年份：
1984
资助国家：
美国
项目状态：
已结题
起止时间：
1984-03-15 至 1987-08-31
来源：
https://www.nsf.gov/awardsearch/showAward?AWD_ID=8319353&HistoricalAwards=false
关键词：
EtchingAluminumHalogenContainingGasses

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MRSEC: The Georgia Tech Laboratory for New Electronic Materials
  • 批准号：
    0820382
  • 项目类别：
    Cooperative Agreement
  • 资助金额：
    $675.0万
  • 财政年份：
    2008
  • 负责人：
    Dennis Hess
  • 依托单位：
    Georgia Tech Research Corporation
Low Temperature Plasma Etching of Copper to Minimize Size Effects in Sub-100 nm Features
  • 批准号：
    0755607
  • 项目类别：
    Continuing Grant
  • 资助金额：
    $30.0万
  • 财政年份：
    2008
  • 负责人：
    Dennis Hess
  • 依托单位：
    Georgia Tech Research Corporation
GOALI: Photoresist Dissolution and Stripping in Gas Expanded Liquids
  • 批准号：
    0343142
  • 项目类别：
    Continuing Grant
  • 资助金额：
    $34.73万
  • 财政年份：
    2004
  • 负责人：
    Dennis Hess
  • 依托单位：
    Georgia Tech Research Corporation
LT: Removal of Organic Films and Contaminants from Surfaces Using Elevated Pressure, Elevated Temperature Water
  • 批准号：
    9727249
  • 项目类别：
    Standard Grant
  • 资助金额：
    $10.0万
  • 财政年份：
    1997
  • 负责人：
    Dennis Hess
  • 依托单位：
    Georgia Tech Research Corporation
国内基金
海外基金
Aluminum/CFRP 混合管界面分层对渐进折叠机制影响研究
  • 批准号：
    ZCLQN26E0501
  • 项目类别：
    省市级项目
  • 资助金额：
    --
  • 批准年份：
    2026
  • 负责人：
    沈勇
  • 依托单位：
    浙江农林大学