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Plasma Etching of Thin Films For Integrated Circuits

Plasma Etching of Thin Films For Integrated Circuits
集成电路薄膜的等离子蚀刻
批准号：
7812236
负责人：
Dennis Hess
金额：
$7.8万
依托单位：
University of California-Berkeley
依托单位国家：
美国
项目类别：
Standard Grant
财政年份：
1979
资助国家：
美国
项目状态：
已结题
起止时间：
1979-01-15 至 1981-06-30
来源：
https://www.nsf.gov/awardsearch/showAward?AWD_ID=7812236&HistoricalAwards=false
关键词：
PlasmaEtchingThinFilmsIntegrated

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MRSEC: The Georgia Tech Laboratory for New Electronic Materials
  • 批准号：
    0820382
  • 项目类别：
    Cooperative Agreement
  • 资助金额：
    $675.0万
  • 财政年份：
    2008
  • 负责人：
    Dennis Hess
  • 依托单位：
    Georgia Tech Research Corporation
Low Temperature Plasma Etching of Copper to Minimize Size Effects in Sub-100 nm Features
  • 批准号：
    0755607
  • 项目类别：
    Continuing Grant
  • 资助金额：
    $30.0万
  • 财政年份：
    2008
  • 负责人：
    Dennis Hess
  • 依托单位：
    Georgia Tech Research Corporation
GOALI: Photoresist Dissolution and Stripping in Gas Expanded Liquids
  • 批准号：
    0343142
  • 项目类别：
    Continuing Grant
  • 资助金额：
    $34.73万
  • 财政年份：
    2004
  • 负责人：
    Dennis Hess
  • 依托单位：
    Georgia Tech Research Corporation
LT: Removal of Organic Films and Contaminants from Surfaces Using Elevated Pressure, Elevated Temperature Water
  • 批准号：
    9727249
  • 项目类别：
    Standard Grant
  • 资助金额：
    $10.0万
  • 财政年份：
    1997
  • 负责人：
    Dennis Hess
  • 依托单位：
    Georgia Tech Research Corporation
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