刷新
{{item.name}}会员
Plasma Etching of Aluminum For Integrated Circuits Applications
用于集成电路应用的铝等离子蚀刻
基本信息
- 批准号：8021508
- 负责人：
- 金额：$ 16.55万
- 依托单位：
- 依托单位国家：美国
- 项目类别：Continuing Grant
- 财政年份：1981
- 资助国家：美国
- 起止时间：1981-02-15 至 1984-07-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
Dennis Hess其他文献
Dennis Hess的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
{{ truncateString('Dennis Hess', 18)}}的其他基金
MRSEC: The Georgia Tech Laboratory for New Electronic Materials
MRSEC：佐治亚理工学院新型电子材料实验室
- 批准号：
0820382 - 财政年份：2008
- 资助金额：
$ 16.55万 - 项目类别：
Cooperative Agreement
Low Temperature Plasma Etching of Copper to Minimize Size Effects in Sub-100 nm Features
铜的低温等离子蚀刻可最大限度地减少 100 nm 以下特征的尺寸效应
- 批准号：
0755607 - 财政年份：2008
- 资助金额：
$ 16.55万 - 项目类别：
Continuing Grant
GOALI: Photoresist Dissolution and Stripping in Gas Expanded Liquids
目标：气体膨胀液体中的光刻胶溶解和剥离
- 批准号：
0343142 - 财政年份：2004
- 资助金额：
$ 16.55万 - 项目类别：
Continuing Grant
LT: Removal of Organic Films and Contaminants from Surfaces Using Elevated Pressure, Elevated Temperature Water
LT：使用高压、高温水去除表面的有机薄膜和污染物
- 批准号：
9727249 - 财政年份：1997
- 资助金额：
$ 16.55万 - 项目类别：
Standard Grant
Plasma Oxidation/Anodization of Silicon Films for Photovoltaic and Flat Panel Display Applications
用于光伏和平板显示应用的硅薄膜的等离子体氧化/阳极氧化
- 批准号：
9214138 - 财政年份：1992
- 资助金额：
$ 16.55万 - 项目类别：
Continuing Grant
Engineering Creativity Award: Microwave Plasma Induced Oxidation of Semiconductor
工程创意奖：微波等离子体诱导半导体氧化
- 批准号：
8710988 - 财政年份：1987
- 资助金额：
$ 16.55万 - 项目类别：
Continuing Grant
Morphology, Structure, and Adhesion of Plasma-Deposited ThinFilms
等离子体沉积薄膜的形态、结构和附着力
- 批准号：
8611473 - 财政年份：1987
- 资助金额：
$ 16.55万 - 项目类别：
Continuing Grant
Etching of Aluminum in Halogen-Containing Gasses and Plasmas
含卤素气体和等离子体中的铝蚀刻
- 批准号：
8319353 - 财政年份：1984
- 资助金额：
$ 16.55万 - 项目类别：
Continuing Grant
Plasma Etching of Thin Films For Integrated Circuits
集成电路薄膜的等离子蚀刻
- 批准号：
7812236 - 财政年份：1979
- 资助金额：
$ 16.55万 - 项目类别：
Standard Grant
相似海外基金
Precision Dry Etching of 2D Materials: 2DETCH
2D 材料的精密干法蚀刻：2DETCH
- 批准号：
EP/Z531121/1 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 16.55万 - 项目类别：
Research Grant
Collaborative Research: EPIIC: Expanding Team Capacity for High Impact and New Growth (ETCHING) Cohort
合作研究： EPIIC：扩大高影响力和新增长 (ETCHING) 队列的团队能力
- 批准号：
2331217 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 16.55万 - 项目类别：
Standard Grant
Theoretical Investigation and Design of Thermochemical and Plasma-Assisted Etching of Diamond Surfaces
金刚石表面热化学和等离子体辅助蚀刻的理论研究和设计
- 批准号：
23KJ1431 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 16.55万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
GOALI: Manufacturing of Two-Dimensional MXene Nanosheets by Salt Solution Etching and Their Solution-based Layer-by-Layer Assembly into Heterostructures
GOALI：通过盐溶液蚀刻制造二维 MXene 纳米片及其基于溶液的逐层组装成异质结构
- 批准号：
2240554 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 16.55万 - 项目类别：
Standard Grant
MRI: Track 1 Acquisition of a Deep Reactive Ion Etching System for Enhanced Semiconductor Processing Capability
MRI：轨道 1 采购深度反应离子蚀刻系统以增强半导体加工能力
- 批准号：
2320476 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 16.55万 - 项目类别：
Standard Grant
Collaborative Research: DMREF: Computationally Driven Discovery and Synthesis of 2D Materials through Selective Etching
合作研究：DMREF：通过选择性蚀刻计算驱动的 2D 材料发现和合成
- 批准号：
2324157 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 16.55万 - 项目类别：
Standard Grant
Collaborative Research: DMREF: Computationally Driven Discovery and Synthesis of 2D Materials through Selective Etching
合作研究：DMREF：通过选择性蚀刻计算驱动的 2D 材料发现和合成
- 批准号：
2324156 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 16.55万 - 项目类别：
Standard Grant
HF vapor etching machine
高频气相蚀刻机
- 批准号：
527538686 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 16.55万 - 项目类别：
Major Research Instrumentation
MIR-laser assisted near-field etching ~ contactless super-planarization of compound semiconductors
中红外激光辅助近场蚀刻 ~ 化合物半导体的非接触超平坦化
- 批准号：
23K03616 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 16.55万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)