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Optimization of Schottky Barrier Mixer Diodes for Submilli- meter Wavelength Application
亚毫米波长应用肖特基势垒混频二极管的优化
基本信息
- 批准号：8412477
- 负责人：
- 金额：$ 26.5万
- 依托单位：
- 依托单位国家：美国
- 项目类别：Continuing Grant
- 财政年份：1984
- 资助国家：美国
- 起止时间：1984-09-15 至 1988-08-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
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Investigation of Superconducting Quasiparticle Mixers for Astronomical Receivers
天文接收器超导准粒子混合器的研究
- 批准号：
8922155 - 财政年份：1990
- 资助金额：
$ 26.5万 - 项目类别：
Standard Grant
Research on Optimization of a Whiskerless Mixer/Varactor Schottky Barrier Diode Structure for Application at Milli- meter and Submillimeter Wavelengths
毫米波和亚毫米波无须混频器/变容二极管肖特基势垒二极管结构优化研究
- 批准号：
9016063 - 财政年份：1990
- 资助金额：
$ 26.5万 - 项目类别：
Standard Grant
Special Graduate Student Education and Research Award
研究生教育与研究特别奖
- 批准号：
9017015 - 财政年份：1990
- 资助金额：
$ 26.5万 - 项目类别：
Standard Grant
Research on Optimization of a Whiskerless Mixer/Varactor Schottky Barrier Diode Structure for Application at Millimeter and Submillimeter - Ft. Monmouth
用于毫米级和亚毫米级应用的无须混频器/变容二极管肖特基势垒二极管结构的优化研究 - 英尺。
- 批准号：
8913169 - 财政年份：1989
- 资助金额：
$ 26.5万 - 项目类别：
Standard Grant
Greater Than 1 Tera Herz GaAs Schottky Devices for Radio Astronomy and High Frequency Receiver Applications
适用于射电天文学和高频接收器应用的大于 1 太赫兹 GaAs 肖特基器件
- 批准号：
8720850 - 财政年份：1988
- 资助金额：
$ 26.5万 - 项目类别：
Continuing Grant
Engineering Research Equipment Grant: Suss MJB3 Deep UV Mask Aligner
工程研究设备资助：Suss MJB3 Deep UV Mask Aligner
- 批准号：
8807680 - 财政年份：1988
- 资助金额：
$ 26.5万 - 项目类别：
Standard Grant
Fort Monmouth Interaction: Research on Optimization of a Whiskerless Mixer/Varactor Schottky Barrier Diode Structure for Application at Millimeter and Submillimeter Wavelengths
Fort Monmouth Interaction：用于毫米波和亚毫米波波长应用的无须混频器/变容二极管肖特基势垒二极管结构的优化研究
- 批准号：
8802881 - 财政年份：1988
- 资助金额：
$ 26.5万 - 项目类别：
Standard Grant
Research on Optimization of a Proton Bombarded Whiskerless Mixer/Varactor Schottky Barrier Diode Structure for Application
质子轰击无须混频器/变容二极管肖特基势垒二极管结构优化应用研究
- 批准号：
8611639 - 财政年份：1986
- 资助金额：
$ 26.5万 - 项目类别：
Standard Grant
Engineering Research Equipment Grant: Reactive-Ion Etching System
工程研究设备资助：反应离子蚀刻系统
- 批准号：
8506241 - 财政年份：1985
- 资助金额：
$ 26.5万 - 项目类别：
Standard Grant
Optimization of Noise and Cutoff Frequency of Schottky Barrier Diodes For Use at Sub-Millimeter Wavelengths
用于亚毫米波长的肖特基势垒二极管的噪声和截止频率优化
- 批准号：
8022937 - 财政年份：1981
- 资助金额：
$ 26.5万 - 项目类别：
Continuing Grant
相似国自然基金
Mott-Schottky 异质结静电场调控及抑制锂硫电池穿梭效应研究
- 批准号：2022JJ40423
- 批准年份：2022
- 资助金额：0.0 万元
- 项目类别：省市级项目
Mott-Schottky型催化材料可控合成及其催化氧化降解木质素研究
- 批准号：21773227
- 批准年份：2017
- 资助金额：64.0 万元
- 项目类别：面上项目
共振Schottky探针研制
- 批准号：11275236
- 批准年份：2012
- 资助金额：79.0 万元
- 项目类别：面上项目
相似海外基金
Low Temperature High Performance Zinc Oxide Schottky Barrier Thin Film Transistors
低温高性能氧化锌肖特基势垒薄膜晶体管
- 批准号：
460477-2014 - 财政年份：2016
- 资助金额：
$ 26.5万 - 项目类别：
Alexander Graham Bell Canada Graduate Scholarships - Doctoral
Low Temperature High Performance Zinc Oxide Schottky Barrier Thin Film Transistors
低温高性能氧化锌肖特基势垒薄膜晶体管
- 批准号：
460477-2014 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 26.5万 - 项目类别：
Alexander Graham Bell Canada Graduate Scholarships - Doctoral
Low Temperature High Performance Zinc Oxide Schottky Barrier Thin Film Transistors
低温高性能氧化锌肖特基势垒薄膜晶体管
- 批准号：
460477-2014 - 财政年份：2014
- 资助金额：
$ 26.5万 - 项目类别：
Alexander Graham Bell Canada Graduate Scholarships - Doctoral
High efficiency Schottky barrier silicon solar cells
高效率肖特基势垒硅太阳能电池
- 批准号：
1336297 - 财政年份：2013
- 资助金额：
$ 26.5万 - 项目类别：
Standard Grant
High Performance Enhancement Mode Zinc Oxide Schottky Barrier Transistors
高性能增强型氧化锌肖特基势垒晶体管
- 批准号：
426610-2012 - 财政年份：2012
- 资助金额：
$ 26.5万 - 项目类别：
Alexander Graham Bell Canada Graduate Scholarships - Master's
Material World Network: SWCNT Sensors: Interplay Between Schottky Barrier and Gas Adsorption
材料世界网：SWCNT 传感器：肖特基势垒与气体吸附之间的相互作用
- 批准号：
1008242 - 财政年份：2010
- 资助金额：
$ 26.5万 - 项目类别：
Continuing Grant
New Schottky-barrier theory responding to interface structures
响应界面结构的新肖特基势垒理论
- 批准号：
20540310 - 财政年份：2008
- 资助金额：
$ 26.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Systematic Atomic and Molecular Layer Control of Schottky Barrier Height
肖特基势垒高度的系统原子和分子层控制
- 批准号：
0706138 - 财政年份：2007
- 资助金额：
$ 26.5万 - 项目类别：
Standard Grant
Microscopic Studies of Schottky Barrier Nano-Contacts and Nano-Structured Metal/Semiconductor and Metal/Insulator Interfaces
肖特基势垒纳米接触和纳米结构金属/半导体和金属/绝缘体界面的微观研究
- 批准号：
0505165 - 财政年份：2005
- 资助金额：
$ 26.5万 - 项目类别：
Continuing grant
Fabrication of InP-based high-speed integrated circuits using MESFETs with high Schottky barrier height
使用具有高肖特基势垒高度的 MESFET 制造 InP 基高速集成电路
- 批准号：
07555093 - 财政年份：1995
- 资助金额：
$ 26.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)