Plasma-Enhanced Atomic-Layer-Deposition Anlage

点击翻译按钮获取中文摘要

„Die hier beantragte Plasma-Enhanced Atomic-Layer-Deposition (PE-ALD) Anlage wird eine wichtige Grundlage für die zukünftigen Forschungsarbeiten des Instituts für Physik der Kondensierten Materie (IPKM) und des Instituts für Halbleitertechnik (IHT) der Technischen Universität Braunschweig darstel-len. Es sollen 3- dimensionale Oxid/Metall- und Halbleiter-Nanosysteme prozessiert werden. Die be-antragte PE-ALD wird benutzt werden bei der Herstellung komplexer und funktionalisierter Aggregate von Nanokontakten, wie sie innerhalb der NTH School for Contacs in Nanosystems untersucht werden. Es ist weiterhin geplant, alternative Materialien für Solarzellen auf der Basis von oxidischen und sulfidischen Verbindungen mit Zink und Kupfer zu evaluieren. Im Bereich unserer Aktivitäten an GaN NanoLEDs sollen Strukturen mit Funktionsschichten versehen werden. Im Bereich Halbleiter-Nanoporen- und Nanodraht-Sensorstrukturen soll die Grundlage für eine effiziente Passivierung und nachfolgende Biofunktionalisierung geschaffen werden. Der Einsatz einer ALD mit Plasmaunterstüt-zung ermöglicht eine wesentlich breitere Auswahl von Präkursoren und Reaktionstemperaturen als eine konventionelle ALD. Außerdem können die Probenoberflächen in-situ durch Plasmabehandlung speziell präpariert werden.“