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Plasma-Enhanced Atomic-Layer-Deposition Anlage

等离子体增强原子层沉积系统

基本信息

批准号：
199656457
负责人：
金额：
--
依托单位：
Technische Universität Braunschweig
依托单位国家：
德国
项目类别：
Major Research Instrumentation
财政年份：
2011
资助国家：
德国
起止时间：
2010-12-31 至无数据
项目状态：
未结题

来源：
https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/199656457?language=en
关键词：
Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition

项目摘要

„Die hier beantragte Plasma-Enhanced Atomic-Layer-Deposition (PE-ALD) Anlage wird eine wichtige Grundlage für die zukünftigen Forschungsarbeiten des Instituts für Physik der Kondensierten Materie (IPKM) und des Instituts für Halbleitertechnik (IHT) der Technischen Universität Braunschweig darstel-len. Es sollen 3- dimensionale Oxid/Metall- und Halbleiter-Nanosysteme prozessiert werden. Die be-antragte PE-ALD wird benutzt werden bei der Herstellung komplexer und funktionalisierter Aggregate von Nanokontakten, wie sie innerhalb der NTH School for Contacs in Nanosystems untersucht werden. Es ist weiterhin geplant, alternative Materialien für Solarzellen auf der Basis von oxidischen und sulfidischen Verbindungen mit Zink und Kupfer zu evaluieren. Im Bereich unserer Aktivitäten an GaN NanoLEDs sollen Strukturen mit Funktionsschichten versehen werden. Im Bereich Halbleiter-Nanoporen- und Nanodraht-Sensorstrukturen soll die Grundlage für eine effiziente Passivierung und nachfolgende Biofunktionalisierung geschaffen werden. Der Einsatz einer ALD mit Plasmaunterstüt-zung ermöglicht eine wesentlich breitere Auswahl von Präkursoren und Reaktionstemperaturen als eine konventionelle ALD. Außerdem können die Probenoberflächen in-situ durch Plasmabehandlung speziell präpariert werden.“

“Die plasma-Enhanced Atomic-Layer-Deposition（PE-ALD）Anlage wird eine wichtige Grundlage für die zukünftigen Forschungsarbeiten des Instituts für Physik der Kondensierten Materie（IPKM）und des Instituts für Halbleitertechnik（IHT）der Technischen Universität布伦瑞克darstel-len.这是三维氧化物/金属和半导体纳米系统的解决方案，韦尔登。PE-ALD是一种新型的纳米复合材料和功能性聚合物，它将在NTH纳米系统接触学院内得到应用。这是一种新的替代材料，用于评估基于锌和铜的氧化和硫化物的太阳能电池。Im Bereich unserer Aktivitäten an GaN NanoLED sollen Strukturen with Funktionsschichten versehen韦尔登. Im Bereich Halbleiter-Nanoporen- und Nanodraht-Sensorstrukturen soll die Grundlage für eine effiziente Passivierung und nachfolgende Biofunktionalisierung geschaffen韦尔登. Der Einsteiner ALD mit Plasmaunterstüt-zung ermöglicht eine wesentlich breitere Auswahl von Präkursoren und Reaktionstemperaturen als eine konventionelle ALD. Außerdem können die Probenoberflächen in situ durch Plasmabehandlung speziell präpariert韦尔登。“

项目成果

期刊论文数量（4）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Fabrication and characterization of flexible solar cell from electrodeposited Cu2O thin film on plastic substrate

DOI：
10.1016/j.solener.2015.11.002
发表时间：
2015-12-01
期刊：
SOLAR ENERGY
影响因子：
6.7
作者：
Abdelfatah, Mahmoud;Ledig, Johannes;Bakin, Andrey
通讯作者：
Bakin, Andrey

Fabrication and characterization of low cost Cu2O/ZnO:Al solar cells for sustainable photovoltaics with earth abundant materials

DOI：
10.1016/j.solmat.2015.11.015
发表时间：
2016-02-01
期刊：
SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS
影响因子：
6.9
作者：
Abdelfatah, Mahmoud;Ledig, Johannes;Bakin, Andrey
通讯作者：
Bakin, Andrey

Vertical architecture for enhancement mode power transistors based on GaN nanowires

基于GaN纳米线的增强型功率晶体管的垂直架构

DOI：
10.1063/1.4952715
发表时间：
2016
期刊：
Applied Physics Letters
影响因子：
4
作者：
F. Yu. D. Rümmler;J. Hartmann;L. Caccamo;T. Schimpke;M. Strassburg;A. E. Gad;A. Bakin;H.-H. Wehmann;B. Witzigmann;A. Waag
通讯作者：
A. Waag