Grenzflächenselektive, schädigungsarme Strukturierung von dünnen Schichten durch Rückseiten-Laserablation

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Die lasergestützte Mikrostrukturierung dünner Schichten insbesondere für elektronische Anwendungen ohne Schädigung der Schichten oder des Substrats ist eine noch nicht gelöste Ingenieurtechnische Aufgabenstellung mit allerdings großem Verwertungspotential gerade für zukunftsweisende Entwicklung der flexiblen Elektronik. In diesem Vorhaben soll ein Dünnschichtstrukturierungsprozess untersucht werden, der durch die Laserablation auf der Schichtträgerückseite hervorgerufen wird und der die Herstellung von Mustern in dünnen Schichten mit geringster Schädigung ermöglich. Ausgelöst wird der Schichtabtrag vermutlich durch laserinduzierte mechanische Wirkungen im Schichtgrenzflächenbereich, so dass die mechanischen Effekte der Pulslaserbestrahlung, die Einflüsse der Material- bzw. Grenzflächeneigenschaften sowie die Wirkung von Prozessparametern untersucht werden müssen, um die Voraussetzungen zur technischen Nutzung und Prozessoptimierung zu schaffen. Das Verständnis der wesentlichen Prozessparametereinflüsse soll Erkenntnisse zu dem dominierenden Mechanismus der Strukturentstehung hervorbringen und dadurch die Parameterwahl für Anwendungen erleichtern. Potentielle Anwendungen im Bereich der Elektronik bzw. Photovoltaik zur Mustererzeugung in dünnen Schichten auf flexiblen Trägern sollen erprobt werden.